本发明专利技术涉及触摸屏导电膜技术领域，具体涉及一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，它依次包括以下步骤：步骤A、干膜覆合：在导电薄膜的双面贴合干膜;步骤B、曝光、显影;步骤C、第一次蚀刻、剥膜；步骤D、耐酸印刷；步骤E、第二次蚀刻、剥膜；步骤F、绝缘印刷；步骤G、覆膜分切。本发明专利技术在干膜覆合的基础上，通过第一次蚀刻和第二次蚀刻的方式得到了改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组，该种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组不仅轻薄,且可以做成窄边框的触摸屏，通过上述制作工艺使制得的产品良率高而且性能好较同类产品也有较大提高。
【技术实现步骤摘要】
-种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺
本专利技术涉及触摸屏
，具体涉及一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控 模组的制作工艺。
技术介绍
触摸屏是一种显著改善人机操作界面的输入设备，具有直观、简单、快捷的优点。 触摸屏在许多电子产品中已经获得了广泛的应用，比如手机、PDA、多媒体、公共信息查询系 统等。 传统触控技术采用双层玻璃触控模组，它不仅厚重，而且不能做成窄边框的触摸 屏。GF2架构触控技术，表示ITO pattern [RX]和[TX]都同时放在ITO Film上，GF2比传 统双层玻璃触控模组更轻薄，且可以做成窄边框的触摸屏，同时在主要原材料，制程工艺 等部分具有较高的技术门槛。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术的不足，提供一种改进的GF2双面导电薄膜结构 的触控模组的制作工艺，该种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组轻薄，且可以做成 窄边框的触摸屏。 为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案： 一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，它依次包括以下步骤： 步骤A、干膜覆合：在导电薄膜的双面贴合干膜，所述导电薄膜包括基材层，所述基材 层的正面依次设有ΙΤ0层和金属层，所述基材层的背面也依次设有ΙΤ0层和金属层，所述干 膜贴合于所述金属层； 步骤B、曝光、显影：将导电薄膜双面的干膜进行曝光，然后将曝光后的产品用显影剂 进行显影，发生反应的干膜对导电薄膜进行保护； 步骤C、第一次蚀刻、剥膜：用第一蚀刻液进行第一次蚀刻以除去不受干膜保护的ΙΤ0 层和金属层，最后用碱液将已发生反应的干膜剥离； 步骤D、耐酸印刷：将经过步骤C处理后的导电薄膜的正反两面的边框区分别印刷 10-15 μ m厚的耐酸胶进行保护； 步骤E、第二次蚀刻、剥膜：将经过步骤D处理后的导电薄膜用第二蚀刻液进行第二次 蚀刻以除去可视区的金属层，然后用碱液去除耐酸胶； 步骤F、绝缘印刷：将经过步骤E处理后的导电薄膜的背面的边框区印刷8-12 μ m厚的 绝缘胶； 步骤G、覆膜分切：将经过步骤F处理后的产品进行双面覆膜，然后切成片材。 步骤A所述干膜采用杜邦公司型号为MX7000的干膜，所述导电薄膜采用台湾郡宏 光电的DIT0双面导电薄膜。 步骤C所述每升第一蚀刻液由以下原料组成： 盐酸 180-220 mL 磷酸二氢钠 5-20g 氢氟酸 70-90 mL 双氧水 40-50mL 氯代十六烷基吡啶〇. 1-1 mL 余量为水。 本专利技术第一次蚀刻的蚀刻液针对需要蚀刻的材料的特性，在第一蚀刻液中加入了 缓蚀剂等成分可控制蚀刻速度，使蚀刻更精准，使形基本无侧蚀现象，这样大大提高了产品 良率。 步骤D所述耐酸油墨由以下重量份的原料组成： 环氧改性酚醛树脂 10-15份 乙二醇乙醚醋酸酯 20-30份 甲基丙烯酸甲酯 15-20份 三聚氰胺甲醛树脂 10-15份 氯化聚丙烯 3-6份 壬基酚聚氧乙烯醚 3-8份 四氟乙烯粉末 5-8份。 上述几种不同树脂相互配合，取长补短，制得的耐酸油墨具有良好的韧性和耐酸 性能，能保护触摸屏制作过程中蚀刻工艺的顺利进行蚀刻工艺完成后，容易剥离，不会有残 留在材料表面或者污染材料。 步骤E所述每升第二蚀刻液由以下原料组成： 盐酸 160-200 mL 硝酸 60-80 mL 草酸 180-200 mL 氯化铁10_20g 烷基酚聚氧乙烯醚10_20ml 余量为水。 本专利技术的第二次蚀刻的蚀刻液针对需要蚀刻的材料的特性，在第二蚀刻液中加入 了缓蚀剂等成分可控制蚀刻速度，使蚀刻更精准，使形基本无侧蚀现象，这样大大提高了产 品良率。 步骤C和步骤E中碱液采用质量百分比浓度为3%_8%的氢氧化钠溶液。 步骤C和步骤E中，定期对第一蚀刻液和第二蚀刻液进行检测，用0. 5mol/L的 NaOH溶液滴定，消耗该NaOH溶液<14-17ml时，须补加盐酸，控制pH值在3-5之间。 步骤D耐酸印刷时先将背面覆盖一层聚乙烯薄膜，印刷正面；然后再将正面覆盖 一层聚乙烯薄膜，印刷背面；步骤F绝缘印刷时先将正面覆盖一层聚乙烯薄膜，然后印刷背 面。 本专利技术与现有技术相比较，有益效果在于：本专利技术在干膜覆合的基础上，通过第一 次蚀刻和第二次蚀刻的方式得到了改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组，该种改进的 GF2双面导电薄膜结构的触控模组不仅轻薄，且可以做成窄边框的触摸屏，通过上述制作 工艺使制得的产品良率高而且性能好较同类产品也有较大提高。 【具体实施方式】 下面结合实施例对本专利技术作进一步的说明。 实施例1。 一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，它依次包括以下步 骤： 步骤A、干膜覆合：在导电薄膜的双面贴合干膜，所述导电薄膜包括基材层，所述基材 层的正面依次设有ΙΤ0层和金属层，所述基材层的背面也依次设有ΙΤ0层和金属层，所述干 膜贴合于所述金属层； 步骤B、曝光、显影：将导电薄膜双面的干膜进行曝光，然后将曝光后的产品用显影剂 进行显影，发生反应的干膜对导电薄膜进行保护； 步骤C、第一次蚀刻、剥膜：用第一蚀刻液进行第一次蚀刻以除去不受干膜保护的ΙΤ0 层和金属层，最后用碱液将已发生反应的干膜剥离； 步骤D、耐酸印刷：将经过步骤C处理后的导电薄膜的正反两面的边框区分别印刷 10 μ m厚的耐酸胶进行保护； 步骤E、第二次蚀刻、剥膜：将经过步骤D处理后的导电薄膜用第二蚀刻液进行第二次 蚀刻以除去可视区的金属层，然后用碱液去除耐酸胶； 步骤F、绝缘印刷：将经过步骤E处理后的导电薄膜的背面的边框区印刷8 μ m厚的绝 缘胶； 步骤G、覆膜分切：将经过步骤F处理后的产品进行双面覆膜，然后切成片材。 其中，步骤A所述干膜采用杜邦公司型号为MX7000的干膜，所述导电薄膜采用台 湾郡宏光电的DIT0双面导电薄膜。 步骤C中，所述每升第一蚀刻液由以下原料组成： 盐酸 180 mL 磷酸二氢钠 5g 氢氟酸 90 mL 双氧水 50mL 氯代十六烷基吡啶1 mL 余量为水。 步骤E中，所述每升第二蚀刻液由以下原料组成： 盐酸 160mL 硝酸 60mL 草酸 180mL 氯化铁l〇g 烷基酚聚氧乙烯醚20ml 余量为水。 步骤D中，所述耐酸油墨由以下重量份的原料组成： 环氧改性酚醛树脂 10份 乙二醇乙醚醋酸酯 30份 甲基丙烯酸甲酯 15份 三聚氰胺甲醛树脂 15份 氯化聚丙烯 3份 壬基酚聚氧乙烯醚 8份 四氟乙烯粉末 8份。 步骤C和步骤E中，碱液采用质量百分比浓度为4%的氢氧化钠溶液。 步骤C和步骤E中，定期对第一蚀刻液和第二蚀刻液进行检测，用0. 5mol/L的 NaOH溶液滴定，消耗该NaOH溶液<14ml时，须补加盐酸，控制pH值在3-5之间。 步骤D耐酸印刷时先将背面覆盖一层聚乙烯薄膜，印刷正面；然后再将正面覆盖 一层聚乙烯薄膜，印刷背面；步骤F绝缘印刷时先将正面覆盖一层聚乙烯薄膜，然后印刷背 面。 实施例2。 一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，它依次包括以下步 骤： 步骤A、干膜覆合：在导电薄膜的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：它依次包括以下步骤：步骤A、干膜覆合：在导电薄膜的双面贴合干膜，所述导电薄膜包括基材层，所述基材层的正面依次设有ITO层和金属层，所述基材层的背面也依次设有ITO层和金属层，所述干膜贴合于所述金属层;步骤B、曝光、显影：将导电薄膜双面的干膜进行曝光，然后将曝光后的产品用显影剂进行显影，发生反应的干膜对导电薄膜进行保护;步骤C、第一次蚀刻、剥膜：用第一蚀刻液进行第一次蚀刻以除去不受干膜保护的ITO层和金属层，最后用碱液将已发生反应的干膜剥离；步骤D、耐酸印刷：将经过步骤C处理后的导电薄膜的正反两面的边框区分别印刷10‑15μm厚的耐酸胶进行保护；步骤E、第二次蚀刻、剥膜：将经过步骤D处理后的导电薄膜用第二蚀刻液进行第二次蚀刻以除去可视区的金属层，然后用碱液去除耐酸胶；步骤F、绝缘印刷：将经过步骤E处理后的导电薄膜的背面的边框区印刷8‑12μm厚的绝缘胶；步骤G、覆膜分切： 将经过步骤F处理后的产品进行双面覆膜，然后切成片材。
【技术特征摘要】
1. 一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：它依次包 括以下步骤： 步骤A、干膜覆合：在导电薄膜的双面贴合干膜，所述导电薄膜包括基材层，所述基材 层的正面依次设有ITO层和金属层，所述基材层的背面也依次设有ITO层和金属层，所述干 膜贴合于所述金属层； 步骤B、曝光、显影：将导电薄膜双面的干膜进行曝光，然后将曝光后的产品用显影剂 进行显影，发生反应的干膜对导电薄膜进行保护； 步骤C、第一次蚀刻、剥膜：用第一蚀刻液进行第一次蚀刻以除去不受干膜保护的ITO 层和金属层，最后用碱液将已发生反应的干膜剥离； 步骤D、耐酸印刷：将经过步骤C处理后的导电薄膜的正反两面的边框区分别印刷 10-15 μ m厚的耐酸胶进行保护； 步骤E、第二次蚀刻、剥膜：将经过步骤D处理后的导电薄膜用第二蚀刻液进行第二次 蚀刻以除去可视区的金属层，然后用碱液去除耐酸胶； 步骤F、绝缘印刷：将经过步骤E处理后的导电薄膜的背面的边框区印刷8-12 μ m厚的 绝缘胶； 步骤G、覆膜分切：将经过步骤F处理后的产品进行双面覆膜，然后切成片材。2. 根据权利要求1所述的一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺， 其特征在于：步骤A所述干膜采用杜邦公司型号为MX7000的干膜，所述导电薄膜采用台湾 郡宏光电的DITO双面导电薄膜。3. 根据权利要求1所述的一种改进的GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺， 其特征在于：步骤C所述每升第一蚀刻液由以下原料组成： 盐酸 180-220 mL 磷酸二氢钠 5-20g 氢氟酸 70-90 mL 双氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：李林波，
申请(专利权)人：江西省平波电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36
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