含1,3-二噁烷及二氟甲氧基桥键化合物的液晶组合物及其应用制造技术

本发明专利技术涉及液晶材料领域，特别涉及一种液晶组合物及其应用。本发明专利技术提供的液晶组合物，按重量份，包括以下组分：(1)1～40份通式I所代表的化合物，(2)10～80份通式II所代表的化合物，(3)1～50份通式III所代表的化合物，其中通式I所代表的化合物为含1,3-二噁烷及二氟甲氧基桥键结构的化合物。本发明专利技术提供的液晶组合物具有低的旋转粘度和大的弹性常数，表现为具有较短的响应时间，可用于多种显示模式的快响应液晶显示，其在TN、IPS或FFS模式显示器中的使用能明显改善液晶显示器显示效果。

【技术实现步骤摘要】
含1,3-二噁烷及二氟甲氧基桥键化合物的液晶组合物及 其应用
本专利技术涉及液晶材料领域，特别涉及一种含1，3-二噁烷及二氟甲氧基桥键化合 物的液晶组合物及其应用。
技术介绍
目前，液晶在信息显示领域得到了广泛应用，同时在光通讯中的应用也取得了一 定的进展（S.T.Wu，D.K. Yang. Ref lective Liquid Crystal Displays. Wiley，2001)。近几 年，液晶化合物的应用领域已经显著拓宽到各类显示器件、电光器件、电子元件、传感器等， 向列型液晶化合物已经在平板显示器中得到最为广泛的应用，特别是用于TFT有源矩阵的 系统中。 液晶显示伴随液晶的发现经历了漫长的发展道路。1888年奥地利植物学家 Friedrich Reinitzer发现了第一种液晶材料安息香酸胆固醇（cholesteryl benzoate)。 1917年Manguin专利技术了摩擦定向法，用以制作单畴液晶和研究光学各向异性。1909年 E. Bose建立了攒动（Swarm)学说，并得到L.S. Ormstein及F. Zernike等人的实验支持 (1918年），后经De Gennes论述为统计性起伏。G. W. Oseen和H. Zocher在1933年创立连 续体理论，并得到 F. C. Frank 完善（1958 年）。M. Born (1916 年）和 K. Lichtennecker (1926 年）发现并研究了液晶的介电各向异性。1932年，W. Kast据此将向列相分为正、负性两大 类。1927年，V. Freedericksz和V. Zolinao发现向列相液晶在电场或磁场作用下，发生形 变并存在电压阈值（Freederichsz转变）。这一发现为液晶显示器的制作提供了依据。 1968年美国RCA公司R. Williams发现向列相液晶在电场作用下形成条纹畴，并有 光散射现象。G. H. Heilmeir随即将其发展成动态散射显示模式，并制成世界上第一个液晶 显示器（IXD)。七十年代初，Helfrich及Schadt专利技术了 TN原理，人们利用TN光电效应和 集成电路相结合，将其做成显示器件（TN-LCD)，为液晶的应用开拓了广阔的前景。七十年 代以来，由于大规模集成电路和液晶材料的发展，液晶在显示方面的应用取得了突破性的 发展，1983?1985年T. Scheffer等人先后提出超扭曲向列相（Super Twisred Nematic: STN)模式以及P. Brody在1972年提出的有源矩阵（Active matrix :AM)方式被重新采用。 传统的TN-IXD技术已发展为STN-IXD及TFT-IXD技术，尽管STN的扫描线数可达768行以 上，但是当温度升高时仍然存在着响应速度、视角以及灰度等问题，因此大面积、高信息量、 彩色显示大多采用有源矩阵显示方式。TFT-LCD已经广泛用于直视型电视、大屏幕投影电 视、计算机终端显示和某些军用仪表显示，相信TFT-LCD技术具有更为广阔的应用前景。 其中有源矩阵包括两种类型：1、在作为基片的硅晶片上的0MS(金属氧化物半 导体）或其它二极管。2、在作为基片的玻璃板上的薄膜晶体管（TFT)。 单晶硅作为基片材料限制了显示尺寸，因为各部分显示器件甚至模块组装在其结 合处出现许多问题。因而，第二种薄膜晶体管是具有前景的有源矩阵类型，所利用的光电效 应通常是TN效应。TFT包括化合物半导体，如Cdse，或以多晶或无定形硅为基础的TFT。 目前，IXD产品技术已经成熟，成功地解决了视角、分辨率、色饱和度和亮度等技术 难题，其显示性能已经接近或超过CRT显示器。大尺寸和中小尺寸IXD在各自的领域已逐 渐占据平板显示器的主流地位。但是受液晶材料本身的制约（粘度高），致使响应时间成为 影响高性能显示器的主要因素。 具体而言，液晶的响应时间受限于液晶的旋转粘度Y 1以及弹性常数，降低液晶 组合物的旋转粘度和提升弹性常数对于减少液晶显示器的响应时间，加快液晶显示器的 响应速度有着显著的效果。
技术实现思路
本专利技术的第一目的是提供一种含1，3-二噁烷及二氟甲氧基桥键化合物的液晶组 合物。 为实现本专利技术的第一目的，具体采用如下的技术方案：一种液晶组合物，按重量 份，包括以下组分： ⑴1?40份通式I所代表的化合物， (2) 10?80份通式II所代表的化合物， (3) 1?50份通式III所代表的化合物； 其中，通式I所代表的化合物结构如下：本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含1，3‑二噁烷及二氟甲氧基桥键化合物的液晶组合物，其特征在于，按重量份，包括以下组分：(1)1～40份通式I所代表的化合物，(2)10～80份通式II所代表的化合物，(3)1～50份通式III所代表的化合物；其中，通式I所代表的化合物结构如下：在通式I中A1、A2各自独立地代表：n各自独立地代表1～12的整数，m各自独立地代表0或1；通式II所代表的化合物结构如下：R1‑A3‑A4‑R2  II在通式II，R1、R2各自独立地代表C1～C12的直链烷基，其中一个或多个不相邻的CH2可以被O、S或CH＝CH所取代；A3、A4各自独立地代表反式1，4‑环己基或1，4‑亚苯基；通式III所代表的化合物结构如下：在通式III中，R3各自独立地代表C1～C12的直链烷基、C2～C12的直链烯基；L1各自独立地代表H或F；X各自独立地代表F、C1～C6的烷基、烷氧基、卤代烷基或卤代烷氧基；A5各自独立地代表反式1，4‑环己基或1，4‑亚苯基。

【技术特征摘要】
1. 一种含1，3-二噁烷及二氟甲氧基桥键化合物的液晶组合物，其特征在于，按重量 份，包括以下组分： (1) 1?40份通式I所代表的化合物， (2) 10?80份通式II所代表的化合物， (3) 1?50份通式III所代表的化合物； 其中，通式I所代表的化合物结构如下：在通式I中Ap A2各自独立地代表：η各自独立地代表1?12的整数， m各自独立地代表0或1 ; 通式Π 所代表的化合物结构如下： R1-A3-A4-R2 II 在通式II，Rp R2各自独立地代表C1?C12的直链烷基，其中一个或多个不相邻的CH 2 可以被0、S或CH = CH所取代； A3、A4各自独立地代表反式1，4-环己基或1，4-亚苯基； 通式ΠΙ所代表的化合物结构如下：在通式III中，R3各自独立地代表C1?C12的直链烷基、C 2?C12的直链烯基A1各自 独立地代表H或F ;X各自独立地代表F、C1?C6的烷基、烷氧基、齒代烷基或齒代烷氧基； A5各自独立地代表反式1，4-环己基或1，4-亚苯基。2. 根据权利要求1所述的液晶组合物，其特征在于，按重量份，包括以下组分： (1) 5?40份通式I所代表的化合物， (2) 20?70份通式II所代表的化合物， (3) 1?30份通式III所代表的化合物。3. 根据权利要求1或2所述的液晶组合物，其特征在于，通式I所代表的化合物选自式 I-A?式I-H所代表的化合物的一种或几种：其中，η各自独立地代表1?7的整数，优选2?5的整数； 优选的，通式I所代表的化合物选自式I-A-I?式Ι-Η-4所代表的化合物的一种或几 种：更优选的，通式I所代表的化合物选自I-F-2、I-F-3、I-D-3、I-D-2、I-F-2、I-G-3、 I-G-2或I-A-3的一种或几种。4.根据权利要求I或2所述的液晶组合物，其特征在于，所述通式II所代表的化合物 选自以下化合物的一种或几种：其中，R1各自独立地代表C1?C7的直链烷基，优选C1?C 5的直链烷基；R2各自独立地 代表C1?C7的直链烷基、直链烷氧基或C2?C7的直链烯基，优选C 1?C5的直链烷基、烷氧 基或C2?C5的直链烯基； 优选的，通式II所代表的化合物选自式II-A-I?式II-C-24所代表的化合物的一种 或几种：更优选的，通式II所代表的化合物选自ΙΙ-Α-1、ΙΙ-Α-9、ΙΙ-Α-2或II-C-4的一种或几 种。5. 根据权利要求1或2所述的液晶组合物，其特征在于，通式III所代表的化合物选自 以下化合物的一种或多种：其中，R3各自独立地代表C1?C12的直链烷基或C2?C 12的直链烯基，优选C2?Cltl的 直链烷基或直链烯基，进一步优选C2?C5的直链烷基或直链烯基； X各自独立地代表F、OCF3 ; ...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴英洙，陈卯先，陈海光，姜天孟，田会强，储士红，贺树芳，张琳，苏学辉，
申请(专利权)人：北京八亿时空液晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11