MEMS器件及其制作方法技术

技术编号:10854084 阅读:145 留言:0更新日期:2015-01-01 03:04
一种MEMS器件及其制作方法,MEMS器件制造方法包括:提供第一半导体衬底和第二半导体衬底,第一半导体衬底中形成有CMOS控制电路;在第一半导体衬底上形成第一介质层,第一介质层中具有第一金属互连结构,第一金属互连结构与CMOS控制电路相连;在第一介质层上形成牺牲层和覆盖牺牲层的键合层;将第二半导体衬底与键合层键合在一起;形成贯穿第二半导体衬底与键合层的第一通孔;在第一通孔的侧壁形成隔离层;在第一通孔中形成导电插塞,导电插塞与第一金属互连结构相连;形成第二金属互连结构,第二金属互连结构将第二半导体衬底和导电插塞的上端相连;释放出MEMS器件的可动电极。形成的MEMS器件的集成度高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种MEMS器件的制作方法,其特征在于,包括:提供第一半导体衬底和第二半导体衬底,所述第一半导体衬底中形成有CMOS控制电路,所述第二半导衬底包括第一区域和第二区域;在第一半导体衬底上形成第一介质层,所述第一介质层中具有第一金属互连结构,第一金属互连结构与CMOS控制电路相连;在部分第一介质层上形成牺牲层;形成覆盖第一介质层和牺牲层的键合层;将第二半导体衬底与键合层键合在一起;形成贯穿第二半导体衬底的第一区域与键合层的若干第一通孔,第一通孔暴露出第一金属互连结构的表面;在第一通孔的侧壁和第二半导体衬底表面形成隔离层;在第一通孔中填充导电材料,形成导电插塞,导电插塞的下端与第一金属互连结构相连;在隔离层中形成第二金属互连结构,第二金属互连结构的一端与第二半导体衬底的第一区域相连,第二金属互连结构的另一端与导电插塞的上端相连;形成贯穿第二半导体衬底的第二区域和部分键合层的若干第二通孔,沿第二通孔去除所述第二半导体衬底的第二区域底部的牺牲层,形成空腔,释放出MEMS器件的可动电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘煊杰谢红梅郭亮良
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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