蚀刻剂组合物制造技术

本发明专利技术公开一种蚀刻剂组合物，包括：大约0.5重量％至大约20重量％的过硫酸盐、大约0.01重量％至大约2重量％的氟化物、大约1重量％至大约10重量％的无机酸、大约0.5重量％至大约5重量％的环胺化合物、大约0.1重量％至大约10.0重量％的具有氨基和磺酸的化合物、大约0.1重量％至大约15.0重量％的有机酸或其盐、以及对于总共100重量％的蚀刻剂组合物的水。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用根据美国法典第35篇第119节，本申请要求于2013年6月27日提交的韩国专利申请第10-2013-0074896号的优先权和权益，通过引用将本专利公开内容结合于此。
本专利技术的实施方式涉及一种蚀刻剂组合物，并且涉及一种使用蚀刻剂组合物制造金属布线的方法，和使用金属布线制造薄膜晶体管(TFT)的方法。
技术介绍
通常，在液晶显示器(LCD)装置或有机发光二极管显示器(OLED)装置中，薄膜晶体管(TFT)基板用作独立驱动每一个像素的电路板。TFT基板包括栅极布线、数据布线、以及连接到栅极布线和数据布线两者的TFT。TFT基板的各种布线和电极使用诸如光刻方法的图案化工序形成。图案化工序包括蚀刻步骤。然而，因为在形成具有希望性能的布线方面存在限制，所以不易于使用蚀刻工序制造布线。
技术实现思路
本文中公开的实施方式提供了一种相对于金属布线具有改善的蚀刻性能的蚀刻剂组合物，通过使用蚀刻剂组合物形成金属布线的方法，以及制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法。根据一个实施方式，提供了一种蚀刻剂组合物包括：0.5重量％至大约20重量％的过硫酸盐、0.01重量％至2重量％的氟化物、1重量％至10重量％的无机酸、0.5重量％至5重量％的环胺化合物、0.1重量％至15.0重量％的有机酸或其盐、以及对于总共100重量％的蚀刻剂组合物的水，其中，重量百分数基于蚀刻剂组合物的总重量。过硫酸盐可以是过硫酸钾(K2S2O8)、过硫酸钠(Na2S2O8)、以及过硫酸铵((NH4)2S2O8)的至少一个。氟化物可以是氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化氢铵、氟化氢钠、以及氟化氢钾的至少一个。无机酸可以是硝酸、硫酸、磷酸、以及高氯酸的至少一个。环胺化合物可以是氨基四氮唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、以及吡咯啉的至少一个。具有氨基和磺酸基的化合物通过以下化学式1表示：式1在此，R1和R2单独地是氢，或C1至C3烷基基团，并且R3是键合或C1至C3亚烷基基团。具有氨基和磺酸基的化合物可以是氨基磺酸和氨基乙磺酸的至少一个。有机酸或其盐可以是羧酸、二元羧酸或三羧酸、以及四羧酸的至少一个，并且有机盐是有机酸的钾盐、钠盐、以及铵盐。有机酸或其盐可以是乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡糖酸、羟基乙酸、丙二酸、乙二酸、戊酸、磺基苯酸、磺基琥珀酸、磺基酞酸、水杨酸、磺基水杨酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、异柠檬酸、丙烯酸、亚氨基二乙酸、以及乙二胺四乙酸(EDTA)的至少一个，并且有机酸盐是有机酸的钾盐、钠盐、或铵盐。蚀刻剂组合物可以用于蚀刻由铜和钛形成的多层结构。根据另一个方面，提供了制作金属布线的方法，该方法包括：在基板上形成包括铜和钛的金属层；在金属层上形成光敏层图案，利用蚀刻剂组合物蚀刻一部分金属层，其中光敏层图案充当掩模；并且移去光敏层图案，其中，蚀刻剂组合物包括：0.5重量％至大约20重量％的过硫酸盐、0.01重量％至2重量％的氟化物、1重量％至10重量％的无机酸、0.5重量％至5重量％的环胺化合物、0.1重量％至10.0重量％的具有氨基和磺酸的化合物、0.1重量％至15.0重量％的有机酸或其盐、以及对于总共100重量％的蚀刻剂组合物的水，其中，重量百分数基于蚀刻剂组合物的总重量。金属层可以包括由钛形成的第一金属层和由铜形成的第二金属层，其中，在第一金属层上形成第二金属层。过硫酸盐可以是过硫酸钾(K2S2O8)、过硫酸钠(Na2S2O8)、以及过硫酸铵((NH4)2S2O8)的至少一个。无机酸可以是硝酸、硫酸、磷酸、以及高氯酸的至少一个。环胺化合物可以是氨基四氮唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、以及吡咯啉的至少一个。具有氨基和磺酸基的化合物可以是氨基磺酸和氨基乙磺酸的格式。有机酸可以是羧酸、二元羧酸或三羧酸、以及四羧酸的至少一个，并且有机酸盐是有机酸的钾盐、钠盐、以及铵盐。有机酸可以是乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡糖酸、羟基乙酸、丙二酸、乙二酸、戊酸、磺基苯酸、磺基琥珀酸、磺基酞酸、水杨酸、磺基水杨酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、异柠檬酸、丙烯酸、亚氨基二乙酸、以及乙二胺四乙酸(EDTA)的至少一个，并且有机酸盐是有机酸的钾盐、钠盐、或铵盐。根据另一个方面，提供了一种制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法，该方法包括：在基板和连接到栅极线的栅电极上形成栅极线，其中，栅极线沿第一方向延伸；形成沿第二方向延伸的数据线、连接到数据线的源电极、以及与源电极分开的漏电极，其中，数据线与栅极线交叉；并且形成连接到漏电极的像素电极，其中栅极线和连接到栅极线的栅电极的形成包括：在基板上形成包括铜和钛的金属层；在金属层上形成光敏层图案，并且利用蚀刻剂组合物蚀刻一部分金属层，其中，光敏层图案充当掩模；并且移去光敏层图案，其中，蚀刻剂组合物包括：大约0.5重量％至大约20重量％的过硫酸盐、0.01重量％至2重量％的氟化物、1重量％至10重量％的无机酸、0.5重量％至5重量％的环胺化合物、0.1重量％至10.0重量％的具有氨基和磺酸的化合物、0.1重量％至15.0重量％的有机酸或其盐、以及对于总共100重量％的蚀刻剂组合物的水，其中，重量百分数基于蚀刻剂组合物的总重量。金属层可以包括由钛形成的第一金属层和由铜形成的第二金属层，其中，在第一金属层上形成第二金属层。附图说明通过参照附图来进一步详细地描述本专利技术的示例性实施方式，本专利技术的上述及其他特性和优势将变得更为显而易见，其中：图1到图5是示出了根据本专利技术的通过使用蚀刻剂组合物形成金属布线的工序的示例性实施方式的剖面图；图6是示出了根据本专利技术的包括使用蚀刻剂组合物制造的薄膜晶体管(TFT)基板的实施方式的显示器装置的平面图；图7是沿在图6所示装置的线I-I’截取的显示器装置的剖面图；图8到图10是示出了制造在图6的显示器装置中包括的TFT基板的工序的平面图；图11到图13是沿在图8到图10所示TFT基板的线I-I’截取的TFT基板的剖面图；图14示出了示出利用(a)实验例1和(b)比较例1进行光致抗蚀剂(PR)抬起试验的结果的光学图像；图15示出了示出利用(a)实验例1和(b)比较例1进行玻璃损坏试验的结果的SEM图像；并且图16示出了示出利用(a)实验例1和(b)比较例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻剂组合物，包括：0.5重量％至20重量％的过硫酸盐；0.01重量％至2重量％的氟化物；1重量％至10重量％的无机酸；0.5重量％至5重量％的环胺化合物；0.1重量％至10.0重量％的具有氨基和磺酸基的化合物；0.1重量％至15.0重量％的有机酸或有机酸盐；以及对于总共100重量％的所述蚀刻剂组合物的水，其中，所述重量百分数基于所述蚀刻剂组合物的总重量。

【技术特征摘要】
2013.06.27 KR 10-2013-00748961.一种蚀刻剂组合物，包括：
0.5重量％至20重量％的过硫酸盐；
0.01重量％至2重量％的氟化物；
1重量％至10重量％的无机酸；
0.5重量％至5重量％的环胺化合物；
0.1重量％至10.0重量％的具有氨基和磺酸基的化合物；
0.1重量％至15.0重量％的有机酸或有机酸盐；以及
对于总共100重量％的所述蚀刻剂组合物的水，
其中，所述重量百分数基于所述蚀刻剂组合物的总重量。
2.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述过硫酸盐是过硫酸
钾(K2S2O8)、过硫酸钠(Na2S2O8)、以及过硫酸铵((NH4)2S2O8)中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述氟化物是氟化铵、
氟化钠、氟化钾、氟化氢铵、氟化氢钠、以及氟化氢钾中的至少一个。
4.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述无机酸是硝酸、硫
酸、磷酸、以及高氯酸中的至少一个。
5.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述环胺化合物是氨基
四氮唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘仁浩，鞠仁说，南基龙，朴英哲，尹暎晋，李昔准，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR