有机场致发光元件用组合物和有机场致发光元件制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种有机场致发光元件用组合物，其是异物含量少的组合物。本发明专利技术涉及一种有机场致发光元件用组合物，是用于形成选自有机场致发光元件的发光层、空穴注入层和空穴输送层中的至少1层的有机场致发光元件用组合物，含有重均分子量3000～1000000的芳香族胺系聚合物和有机溶剂，上述组合物中的Zn浓度小于0.5ppm。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于形成有机场致发光元件的空穴注入层和/或空穴输送层而使用的有机场致发光元件用组合物。另外，本专利技术涉及使用上述有机场致发光元件用组合物并利用湿式成膜法形成的具有空穴注入层和/或空穴输送层的有机场致发光元件。
技术介绍
近年来，进行着利用有机薄膜的场致发光元件(以下，称为“有机场致发光元件”)的开发。作为有机场致发光元件中的有机薄膜的形成方法，可举出真空蒸镀法和湿式成膜法。其中，真空蒸镀法由于可层叠化，所以具有容易改善来自阳极和/或阴极的电荷注入、容易将激子关入发光层这样的优点。另一方面，湿式成膜法具有不需要真空工序、容易大面积化、容易将具有各种功能的多个材料混合放入1个层(涂布液)等优点。作为用湿式成膜法形成有机层的例子，专利文献1中，公开了采用电荷输送用组合物所使用的各种溶剂或苯甲酸乙酯作为溶剂的空穴注入层用组合物。但是，湿式成膜法中，发生异物的混入等时，有时发生涂布缺陷，特别是使用有机薄膜的有机场致发光元件中要求形成非常薄的膜，所以要求抑制异物的混入、组合物中的异物的生成。特别是使用有机溶剂作为涂布溶剂时，由于通过离子键而形成的盐不溶于有机溶剂，所以因在水系溶剂中不析出的微量杂质导致盐析出成为异物，成为成膜时的麻烦、有机场致发光元件不良的原因。作为用湿式成膜法形成空穴注入层的例子，专利文献2～4记载了关于使用水作为涂布溶剂的PEDOT(聚乙撑二氧噻吩)－PSS(聚苯乙烯磺酸)树脂系空穴注入材料的技术。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2010－98306号公报专利文献2:日本特开2005－276749号公报专利文献3:日本特开2006－5144号公报专利文献4:日本特表2008－515194号公报
技术实现思路
然而，上述技术是涉及水系这种溶剂体系的不同技术。另外，由于是水系，所以金属成分的混入量多，金属的混入量以溶液中浓度计达到数十ppm以上，污染程度非常高。因此，在本专利技术中，鉴于上述实际情况，其课题在于提供一种用于形成有机场致发光元件的空穴注入层和/或空穴输送层的、含有空穴注入·输送性材料和有机溶剂的有机场致发光元件用组合物，该组合物的异物含量少、成膜时的麻烦少。本专利技术人等经过深入研究，结果发现通过使组合物中的Zn的含量(Zn浓度)小于0.5ppm，能够抑制由Zn引起的异物的生成，能解决上述课题，从而完成了本专利技术。即，本专利技术的主旨在于以下的<1>～<22>。<1>一种有机场致发光元件用组合物，是用于形成选自有机场致发光元件的发光层、空穴注入层和空穴输送层中的至少1层的有机场致发光元件用组合物，含有重均分子量3000～1000000的芳香族胺系聚合物和有机溶剂，上述组合物中的Zn浓度小于0.5ppm。<2>根据上述<1>所述的有机场致发光元件用组合物，上述有机场致发光元件用组合物是用于形成有机场致发光元件的空穴注入层和空穴输送层中的至少1层的组合物。<3>根据上述<1>或<2>所述的有机场致发光元件用组合物，上述Zn浓度小于0.1ppm。<4>根据上述<1>～<3>中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，上述组合物1ml中所含的长径0.1μm以上的含Zn异物的数目为50000个以下。<5>根据上述<1>～<4>中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，上述组合物中的S浓度小于20ppm。<6>根据上述<1>～<4>中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，上述组合物中的S浓度小于5ppm。<7>根据上述<5>或<6>所述的有机场致发光元件用组合物，存在于上述组合物中的S来自有机化合物。<8>根据上述<1>～<7>中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，上述芳香族胺系聚合物具有由下述式(2)表示的重复单元。(式中，m表示0～3的整数，Ar31和Ar32各自独立地表示直接键合、可以具有取代基的2价的芳香族烃环基或可以具有取代基的2价的芳香族杂环基，Ar33～Ar35各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基。应予说明，Ar33和Ar35表示1价的基团，Ar34表示2价的基团。其中，Ar31和Ar32不同时为直接键合。)<9>根据上述<1>～<7>中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，上述芳香族胺系聚合物具有由下述式(3)表示的重复单元。(式中，Ar51～Ar53各自独立地表示可以具有取代基的2价的芳香族基团，Ar54和Ar55各自独立地表示可以具有取代基的芳香族基团，Ar56和Ar57各自独立地表示直接键合或可以具有取代基的2价的芳香族基团，R11和R12各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基或可以具有取代基的芳香族基团，m’表示0～5的整数，R11和R12可以相互键合而形成环结构。)<10>根据上述<1>～<9>中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，上述芳香族胺系聚合物具有由下述式(1)表示的重复单元。(式中，Ar1和Ar2各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基。Ar3～Ar5各自独立地表示可以具有取代基的2价的芳香族烃环基或可以具有取代基的2价的芳香族杂环基。Ar1～Ar5中，与同一N原子键合的两个基团可以相互键合而形成环。X表示选自下述连接基团组X’中的1个连接基团。)<连接基团组X’>(式中，Ar11～Ar28各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基。R41和R42各自独立地表示氢原子或任意的取代基。)<11>根据上述<10>所述的有机场致发光元件用组合物，上述式(1)是由下述式(1－1)表示的重复单元。(式中，R1～R5各自独立地表示任意的取代基。p和q各自独立地表示0～5的整数。r、s和t各自独立地表示0～4的整数。X与式(1)中的X意思相同。)<12>根据上述<8>～<11&g本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机场致发光元件用组合物，是用于形成选自有机场致发光元件的发光层、空穴注入层和空穴输送层中的至少1层的有机场致发光元件用组合物，含有重均分子量3000～1000000的芳香族胺系聚合物和有机溶剂，所述组合物中的Zn浓度小于0.5ppm。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.04.09 JP 2012-088477;2012.04.09 JP 2012-088471.一种有机场致发光元件用组合物，是用于形成选自有机场致发
光元件的发光层、空穴注入层和空穴输送层中的至少1层的有机场致发
光元件用组合物，
含有重均分子量3000～1000000的芳香族胺系聚合物和有机溶剂，
所述组合物中的Zn浓度小于0.5ppm。
2.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用组合物，其中，所
述有机场致发光元件用组合物是用于形成有机场致发光元件的空穴注
入层和空穴输送层中的至少1层的组合物。
3.根据权利要求1或2所述的有机场致发光元件用组合物，其中，
所述Zn浓度小于0.1ppm。
4.根据权利要求1～3中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，
其中，所述组合物1ml中所含的长径0.1μm以上的含Zn异物的数目为
50000个以下。
5.根据权利要求1～4中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，
其中，所述组合物中的S浓度小于20ppm。
6.根据权利要求1～4中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，
其中，所述组合物中的S浓度小于5ppm。
7.根据权利要求5或6所述的有机场致发光元件用组合物，其中，
存在于所述组合物中的S来自有机化合物。
8.根据权利要求1～7中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，
其中，所述芳香族胺系聚合物具有由下述式(2)表示的重复单元，
式中，m表示0～3的整数，
Ar31和Ar32各自独立地表示直接键合、可以具有取代基的2价的芳
香族烃环基或可以具有取代基的2价的芳香族杂环基，
Ar33～Ar35各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以
具有取代基的芳香族杂环基，
其中，Ar33和Ar35表示1价的基团，Ar34表示2价的基团，但Ar31和Ar32不同时为直接键合。
9.根据权利要求1～7中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，
其中，所述芳香族胺系聚合物具有由下述式(3)表示的重复单元，
式中，Ar51～Ar53各自独立地表示可以具有取代基的2价的芳香族
基团，
Ar54和Ar55各自独立地表示可以具有取代基的芳香族基团，
Ar56和Ar57各自独立地表示直接键合或可以具有取代基的2价的芳
香族基团，
R11和R12各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具
有取代基的烷氧基或可以具有取代基的芳香族基团，
m’表示0～5的整数，
R11与R12可以相互键合而形成环结构。
10.根据权利要求1～9中任1项所述的有机场致发光元件用组合物，
其中，所述芳香族胺系聚合物具有由下述式(1)表示的重复单元，
式中，Ar1和Ar2各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃环基
或可以具有取代基的芳香族杂环基，Ar3～Ar5各自独立地表示可以具有
取代基的2价的芳香族烃环基或可以具有取代基的2价的芳香族杂环
基，Ar1～Ar5中，与同一N原子键合的二个基团可以相互键合而形成环，
X表示选自下述连接基团组X’中的1个连接基团，
<连接基团组X’>
式中，Ar11～Ar28各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃环基或
可以具有取代基的芳香族杂环基，R41和R42各自独立地表示氢原子或

\t任意的取代基。
11...

【专利技术属性】
技术研发人员：水上润二，清水渡，竹本洋己，
申请(专利权)人：三菱化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP