静电保护结构制造技术

本发明专利技术公开了一种静电保护结构，包括：静电进入端连接第一电容的一端、第一NPN三极管和第二NPN三极管的集电极；第一NPN三极管其发射极连接第一电容的另一端、第一二极管的正极和第一电R1的一端，其基极连接第一二极管的负极、第二二极管的正极、第二电阻的一端、第一电阻的另一端和第二NPN三极管的发射极；第二二极管的负极、第二电阻的另一端和第二NPN三极管的基极接地。本发明专利技术的静电保护结构利用已有CMOS器件能降低静电保护开启电压，确保在电路正常工作下处于关断状态，当有静电来临时能瞬间开启并泄放电流，能提升器件泄放电流能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种静电保护结构。
技术介绍
静电放电（ESD）对于电子产品的伤害一直是不易解决的问题，对于高压工艺来说，静电保护器件不仅需要满足耐压要大于电源电压的要求，其静电触发电压还需要小于被保护器件的损坏电压才可以。传统的静电保护电路结构如图1所示，使用基极接地的NPN三极管保护电路，在静电保护时，通过集电极与基极的结击穿来达到开启。此结构虽然简单，但是开启电压通常偏高，不易调整，易导致保护器件的泄流能力不稳定。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是利用已有CMOS器件提供一种降低静电保护开启电压，提升器件泄放电流能力的静电保护结构。为解决上述技术问题本专利技术的静电保护结构，包括：静电进入端E连接第一电容C1的一端、第一NPN三极管T1和第二NPN三极管T2的集电极；第一NPN三极管T1其发射极连接第一电容C1的另一端、第一二极管D1的正极和第一电阻R1的一端，其基极连接第一二极管D1的负极、第二二极管D2的正极、第二电阻R2的一端、第一电阻R1的另一端和第二NPN三极管T2的发射极；第二二极管D2的负极、第二电阻R2的另一端和第二NPN三极管T2的基极接地G。本专利技术的工作原理：当正常工作时，由于第一NPN三极管和第二NPN三极管的基极均通过电阻接地，因此本专利技术的保护电路结构处于关断状态；当有静电来临时，由于通过第一电容和第一电阻的RC耦合效应，在第一NPN三极管的基极上耦合电压，当达到Vbe大于0.7V时，第一NPN三极管开启进入电流放大区，有电流流过第二电阻；导致第二NPN三极管的基极电压抬高，当其第二NPN三极管的基极电压达到0.7V时，第二NPN三极管也开启进行电流放大区。第一二极管在于限制第一电容和第一电阻耦合的电压；第二二极管在于限制第一NPN三极管开启后的电流。本专利技术的静电保护结构利用已有CMOS器件能降低静电保护开启电压，确保在电路正常工作下处于关断状态，当有静电来临时能瞬间开启并泄放电流，能提升器件泄放电流能力。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明：图1是一种现有的静电保护结构示意图。图2本专利技术一实施例的结构示意图。附图标记说明E是静电进入端C1是第一电容T1是第一NPN三极管T2是第二NPN三极管D1是第一二极管D2是第二二极管R是电阻R1是第一电阻R2是第二电阻G是地具体实施方式如图2所示，本专利技术静电保护结构一实施例，包括：静电进入端E连接第一电容C1的一端、第一NPN三极管T1和第二NPN三极管T2的集电极；第一NPN三极管T1其发射极连接第一电容C1的另一端、第一二极管D1的正极和第一电阻R1的一端，其基极连接第一二极管D1的负极、第二二极管D2的正极、第二电阻R2的一端、第一电阻R1的另一端和第二NPN三极管T2的发射极；第二二极管D2的负极、第二电阻R2的另一端和第二NPN三极管T2的基极接地G。静电进入端E连接第一电容C1的一端、第一NPN三极管T1和第二NPN三极管T2的集电极；第一NPN三极管T1其发射极连接第一电容C1的另一端、第一二极管D1的正极和第一电阻R1的一端，其基极连接第一二极管D1的负极、第二二极管D2的正极、第二电阻R2的一端、第一电阻R1的另一端和第二NPN三极管T2的发射极；第二二极管D2的负极、第二电阻R2的另一端和第二NPN三极管T2的基极接地G。正常工作时，由于第一NPN三极管T1和第二NPN三极管T2的基极均通过电阻接地，因此本专利技术的保护电路结构处于关断状态；当有静电来临时，由于通过第一电容C1和第一电阻R1的RC耦合效应，在第一NPN三极管T1的基极上耦合电压，当达到Vbe大于0.7V时，第一NPN三极管T1开启进入电流放大区，有电流流过第二电阻R2；导致第二NPN三极管T2的基极电压抬高，当其第二NPN三极管T2的基极电压达到0.7V时，第二NPN三极管T2也开启进行电流放大区。第一二极管D1在于限制第一电容C1和第一电阻R1耦合的电压；第二二极管D2在于限制第一NPN三极管T1开启后的电流。以上通过具体实施方式和实施例对本专利技术进行了详细的说明，但这些并非构成对本专利技术的限制。在不脱离本专利技术原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电保护结构，其特征是，包括：静电进入端（E）连接第一电容（C1）的一端、第一NPN三极管（T1）和第二NPN三极管（T2）的集电极；第一NPN三极管（T1）其发射极连接第一电容（C1）的另一端、第一二极管（D1）的正极和第一电阻（R1）的一端，其基极连接第一二极管（D1）的负极、第二二极管（D2）的正极、第二电阻（R2）的一端、第一电阻（R1）的另一端和第二NPN三极管（T2）的发射极；第二二极管（D2）的负极、第二电阻（R2）的另一端和第二NPN三极管（T2）的基极接地（G）。

【技术特征摘要】
1.一种静电保护结构，其特征是，包括：
静电进入端（E）连接第一电容（C1）的一端、第一NPN三极管（T1）和第二NPN
三极管（T2）的集电极；
第一NPN三极管（T1）其发射极连接第一电容（C1）的另一端、第一二极管（D1）
的正极和第一电阻（R1）的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏庆，邓樟鹏，苗彬彬，张强，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31