本实用新型专利技术公开了一种层状双体LED芯片封装结构，包括LED晶片、正极金线、正极焊层、负极金线、负极焊层、底层成型体和顶层封装体，LED晶片、正极焊层和负极焊层置于底层成型体的一面上，LED晶片通过正极金线电连接正极焊层，且该LED晶片通过负极金线电连接负极焊层；顶层封装体与底层成型体连接后将LED晶片封装在内，且正极焊层和负极焊层有金属连接端露出；顶层封装体的表面设有SiO2增透薄膜。本案利用层状双体的中部夹持住发光源，使得发光源被抬高一段位移，这样出光角度更大；又顶层封装体为环氧树脂材质，光强损失小，出光效率更高。在顶层封装体的表面设有SiO2增透薄膜，可以进一步地提高出光效率。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及绿色照明
，尤其涉及一种层状双体LED芯片封装结构。
技术介绍
目前，贴片式LED一般采用封装体，封装体由于体积小，重量轻，散射角度大，发光均匀性好，可靠性高，抗振能力强，高频性能好，易于实现自动化提高生产效率，所以广泛应用于照明、显示器、背光等领域。现有的LED灯封装结构中，支架体采用塑料材质，塑料材质不仅透光性不好，而且会造成环境污染。透光性是衡量固晶胶性能最重要的参数，而硅胶的透光性能一般，如果采用硅胶作为固晶胶，会导致LED灯的光强损失较大。
技术实现思路
针对上述技术中存在的不足之处，本技术提供一种发光角度更大，出光效率更高，且光强损失较小的层状双体LED芯片封装结构。为实现上述目的，本技术提供一种层状双体LED芯片封装结构，包括LED晶片、正极金线、正极焊层、负极金线、负极焊层、底层成型体和顶层封装体，所述LED晶片、正极焊层和负极焊层置于底层成型体的一面上，所述LED晶片通过正极金线电连接正极焊层，且该LED晶片通过负极金线电连接负极焊层；所述顶层封装体与底层成型体连接后将LED晶片封装在内，且正极焊层和负极焊层有金属连接端露出；所述顶层封装体的表面设有SiO2增透薄膜。其中，所述底层成型体和顶层封装体为环氧树脂材质，且底层成型体为掺杂具有反射效果的不透光结构。其中，所述底层成型体为聚乙烯材质，所述顶层封装体为环氧树脂材质，且底层成型体为掺杂具有反射效果的不透光结构。其中，所述底层成型体和顶层封装体为环氧树脂材质，该底层成型体为透光结构，其表面设有SiO2增透薄膜。其中，所述底层成型体为聚乙烯材质，所述顶层封装体为环氧树脂材质，该底层成型体为透光结构，其表面设有SiO2增透薄膜。本技术的有益效果是：与现有技术相比，本技术提供的层状双体LED芯片封装结构，利用层状双体的中部夹持住发光源，使得发光源被抬高一段位移，这样出光角度更大；又利用封装的双焊层结构，并利用金线进行焊接导电，可以显著提高电连接的可靠性；又顶层封装体为环氧树脂材质，光强损失小，出光效率更高。在顶层封装体的表面设有SiO2增透薄膜，可以进一步地提高出光效率。进一步地，层状双体结构可以有多种变形：第一种为上下均为环氧树脂的反射结构，这样的布置可以提高定向发光强度，发光切线好，无需反光杯即可实现高反射光。第二种为上环氧树脂下聚乙烯的反射结构，这样的布置可以提高定向发光强度，发光切线好，无需反光杯即可实现高反射光。第三种为上下均为环氧树脂的透明结构，这样的布置可以最大限度地拓展出光角度，使得发光源360度全发光。第四种为上环氧树脂下聚乙烯的透光结构，利用聚乙烯材质的特性，安装在不同规格的散热基板上，成型体具有较高的耐高温特性。附图说明图1为本技术的层状双体LED芯片封装结构的结构图。主要元件符号说明如下：10、底层成型体 11、顶层封装体12、LED晶片 13、正极焊层14、负极焊层 15、正极金线16、负极金线具体实施方式为了更清楚地表述本技术，下面结合附图对本技术作进一步地描述。请参阅图1，本技术的层状双体LED芯片封装结构，包括LED晶片12、正极金线15、正极焊层13、负极金线16、负极焊层14、底层成型体10和顶层封装体11，LED晶片12、正极焊层13和负极焊层14置于底层成型体10的一面上， LED晶片12通过正极金线15电连接正极焊层13，且该LED晶片12通过负极金线16电连接负极焊层14；顶层封装体11与底层成型体10连接后将LED晶片12封装在内，且正极焊层13和负极焊层14有金属连接端露出；顶层封装体11的表面设有SiO2增透薄膜。相较于现有技术的情况，本技术提供的层状双体LED芯片封装结构，利用层状双体的中部夹持住发光源，使得发光源被抬高一段位移，这样出光角度更大；又利用封装的双焊层结构，并利用金线进行焊接导电，可以显著提高电连接的可靠性；又顶层封装体为环氧树脂材质，光强损失小，出光效率更高。在顶层封装体的表面设有SiO2增透薄膜，可以进一步地提高出光效率。本技术的优势在于，层状双体结构可以有多种变形：第一种为上下均为环氧树脂的反射结构，底层成型体10和顶层封装体11为环氧树脂材质，且底层成型体10为掺杂具有反射效果的不透光结构。这样的布置可以提高定向发光强度，发光切线好，无需反光杯即可实现高反射光。第二种为上环氧树脂下聚乙烯的反射结构，底层成型体10为聚乙烯材质，顶层封装体11为环氧树脂材质，且底层成型体为掺杂具有反射效果的不透光结构。这样的布置可以提高定向发光强度，发光切线好，无需反光杯即可实现高反射光。第三种为上下均为环氧树脂的透明结构，底层成型体10和顶层封装体11为环氧树脂材质，该底层成型体10为透光结构，其表面设有SiO2增透薄膜。这样的布置可以最大限度地拓展出光角度，使得发光源360度全发光。第四种为上环氧树脂下聚乙烯的透光结构，底层成型体10为聚乙烯材质，顶层封装体11为环氧树脂材质，该底层成型体10为透光结构，其表面设有SiO2增透薄膜。利用聚乙烯材质的特性，安装在不同规格的散热基板上，成型体具有较高的耐高温特性。以上公开的仅为本技术的几个具体实施例，但是本技术并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本技术的保护范围。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种层状双体LED芯片封装结构，其特征在于，包括LED晶片、正极金线、正极焊层、负极金线、负极焊层、底层成型体和顶层封装体，所述LED晶片、正极焊层和负极焊层置于底层成型体的一面上，所述LED晶片通过正极金线电连接正极焊层，且该LED晶片通过负极金线电连接负极焊层；所述顶层封装体与底层成型体连接后将LED晶片封装在内，且正极焊层和负极焊层有金属连接端露出；所述顶层封装体的表面设有SiO2增透薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种层状双体LED芯片封装结构，其特征在于，包括LED晶片、正极金线、正极焊层、负极金线、负极焊层、底层成型体和顶层封装体，所述LED晶片、正极焊层和负极焊层置于底层成型体的一面上，所述LED晶片通过正极金线电连接正极焊层，且该LED晶片通过负极金线电连接负极焊层；所述顶层封装体与底层成型体连接后将LED晶片封装在内，且正极焊层和负极焊层有金属连接端露出；所述顶层封装体的表面设有SiO2增透薄膜。
2.根据权利要求1所述的层状双体LED芯片封装结构，其特征在于，所述底层成型体和顶层封装体为环氧树脂材质，且底层成型体为掺杂具有反射效果的...
【专利技术属性】
技术研发人员：许海鹏，
申请(专利权)人：深圳市新光台电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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