【技术实现步骤摘要】
大功率大电流二极管封装框架(一)
本技术涉及一种电子器件封装框架，特别涉及一种矩阵形式分布、适用于多个产品的大功率大电流二极管封装框架。 (二)
技术介绍
现有的贴片桥堆封装框架基本采用两片、五片式上下组合焊接方式，一种封装形式采用一种框架结构，单条产品数量大致在16?36颗，单条封装数量较少，产能不高，效率极低，工序较多且存在质量隐患。 (三)
技术实现思路
本技术为了弥补现有技术的不足，提供了一种产品收缩率小、尺寸稳定、强度高、延展及表面平滑性好、易于电镀、封装尺寸范围广的大功率大电流二极管封装框架。 本技术是通过如下技术方案实现的: 一种大功率大电流二极管封装框架，包括上料片和下料片，其特征是:所述上料片一侧均匀设有若干方孔，下料片一侧均匀设有若干定位扣销，上料片内部均匀设有若干排上料片引脚，下料片内部均匀设有若干排下料片引脚，上料片引脚两侧对应设有若干排上料片焊盘，下料片引脚两侧对应设有若干排下料片焊盘。 所述上料片和下料片的另一侧均匀设有若干定位圆孔。 本技术的有益效果是:采用多排矩阵形式分布，产品收缩率小、尺寸稳定、强度高、延展及表面平滑性好、易于电镀、封装尺寸范围广，适用于多个产品封装结构方式。 (四) 【附图说明】 下面结合附图对本技术作进一步的说明。 附图1为本技术的上料片结构示意图； 附图2为本技术的下料片结构示意图； 附图3为本技术的上料片和下料片组合后结构示意图； 附图4为本技术的方孔结构示意图； 附图5为本技术的定位扣销结构示意图； 附图6为本技术的上料片引脚结构示意图...
【技术保护点】
一种大功率大电流二极管封装框架，包括上料片（1）和下料片（2），其特征是：所述上料片（1）一侧均匀设有若干方孔（3），下料片（2）一侧均匀设有若干定位扣销（4），上料片（1）内部均匀设有若干排上料片引脚（5），下料片（2）内部均匀设有若干排下料片引脚（6），上料片引脚（5）两侧对应设有若干排上料片焊盘（7），下料片引脚（6）两侧对应设有若干排下料片焊盘（8）。
【技术特征摘要】
1.一种大功率大电流二极管封装框架，包括上料片(I)和下料片(2)，其特征是:所述上料片(I) 一侧均匀设有若干方孔(3)，下料片(2)—侧均匀设有若干定位扣销(4)，上料片(O内部均匀设有若干排上料片引脚(5)，下料片(2)内部均匀设有若干排下料片...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱和平，
申请(专利权)人：阳信金鑫电子有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37
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