单级低噪声放大器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种单级低噪声放大器，其特征在于：包括，输入高通阻抗匹配网络、输出高通阻抗匹配网络，输入高通阻抗匹配网络选用带阻加变容管高通滤波器结构，其中，输入高通阻抗匹配网络和输出高通阻抗匹配网络均为π型匹配网络；输入高通阻抗匹配网络包含有由变容二极管串联形成的电容组合部分；还包括由1R99\1R100\1C165\1R104为栅极提供偏置电路、由1R94\1L151\1L53\1C163为漏极提供偏置电路，所述输出高通阻抗匹配网络包括输出级带通滤波器。本实用新型专利技术所述的单级低噪声放大器，该产品主要特点：模块化、小型化、低噪声、增益高、带外抑制性能好、低功耗、工作电压低、可靠性高、适应环境温度范围宽(-30—+60℃)。

【技术实现步骤摘要】
单级低噪声放大器
本技术涉及一种放大器，具体来讲是一种单级低噪声放大器。
技术介绍
电子信息产业仍是全球竞争的战略重点、融合创新推动产业格局发生重大变革、 工业转型升级催生新的产业增长点、国内外市场环境机遇与挑战并存。随着我国十二五规 划的实施，信息化产业的发展将引发新一轮信息技术革命和产业革命，是信息产业领域未 来竞争的制高点和产业升级的核心驱动力。在射频/微波
和信息处理高速化、多 元化领域出现了巨大商机。在电子信息工业的飞速发展的今天，人们对各种无线通讯设备 的要求也越来越高。要求功率辐射小、作用距离远、覆盖范围大。已成为各运营商乃至无线 通讯设备制造商的普遍追求，这就对系统的接收灵敏度提出了更高的要求。 在通信系统中，衡量通信质量的一个重要指标是信噪比，而改善信噪比的关键就 在于降低接收机的噪声系数。如果在接收系统的前端连接高性能的低噪声放大器，在低噪 声放大器增益足够大的情况下，就能够抑制后级电路的噪声。一个具有低噪声放大器的接 收机系统，其整机噪声系数将大大降低，从而灵敏度大大提高。由此可见微波低噪声放大器 的性能制约了整个接收系统的性能，对于整个接收系统技术水平的提高，也起了决定性的 作用。另外，在通信系统中，低电源、低功耗也是很重要的技术指标，原因是在通信中，接收 机处于等待状态时，射频前端电路一直处于工作状态，低功耗十分重要。因此对微波低噪声 放大器的再研究具有重要的意义。 在国际卫星通信应用中，低噪声放大器发展的目标是性能提高和成本降低。性能 提高就是展宽低噪声放大器的带宽和降低其噪声温度，不断地满足通信量年复一年的迅速 增加。成本减低就是能够与海底电缆系统相竞争。而降低低噪声放大器的噪声温度是降低 卫星通信系统成本的一种最有效的方法，因为地面站天线的直径可以通过改善噪声温度 性能而减小。
技术实现思路
本技术的目的在于在此提供一种单级低噪声放大器，低噪声放大器有着广泛 的实际应用价值，主要体现在雷达、通信、卫星、电子对抗、遥测、遥控等电子设备中关键的 射频/微波部件上，是射频接收机前端的主要部件，在放大从天线或天线滤波器送来信号 的同时抑制噪声干扰（信号中伴随有许多强干扰信号混入，抑制带外和镜像频率干扰），提 高系统灵敏度。由于微波系统的噪声系数基本上取决于前级放大器的噪声系数，因此微波 低噪声放大器噪声系数的优劣会直接影响整个接收系统性能的好坏。 本技术是这样实现的，构造一种单级低噪声放大器，其特征在于：包括，输 入高通阻抗匹配网络、输出高通阻抗匹配网络，输入高通阻抗匹配网络选用带阻加变容管 高通滤波器结构，其中，输入高通阻抗匹配网络和输出高通阻抗匹配网络均为η型匹配 网络；输入高通阻抗匹配网络包含有由变容二极管串联形成的电容组合部分；还包括由 1R99\1R100\1C165\1R104为栅极提供偏置电路、由1R94\1L151\1L53\1C163为漏极提供偏 置电路，所述输出高通阻抗匹配网络包括输出级带通滤波器。 本技术的优点在于：本技术所述的单级低噪声放大器，该产品主要特点： 模块化、小型化、低噪声、增益高、带外抑制性能好、低功耗、工作电压低、可靠性高、适应环 境温度范围宽（-30--+60°C)。该项目研制成功，为应用电子技术、无线电技术、通信技术 专业的发展、射频/微波方面人才的培养、学生职业技能培训、大学生技能竞赛、课程设计、 毕业设计奠定了坚实的基础，同时为后续研制多级射频/微波低噪声放大器微波集成化和 微带化的设计提供了人才上的储备和技术上的支持。 【附图说明】 图1接收机射频前端原理图 图2是放大电路框图 图3是放大器电路图 其中：输入高通阻抗匹配网络1、由变容二极管串联形成的电容组合部分2、由 1R99\1R100\1C165\1R104为栅极提供偏置电路3、由1R94\1L151\1L53\1C163为漏极提供 偏置电路4、输出高通阻抗匹配网络5、输出级带通滤波器6。 【具体实施方式】 下面将结合附图1- 3对本技术进行详细说明，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整 地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基 于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所 有其他实施例，都属于本技术保护的范围。 本技术在此提供一种单级低噪声放大器，包括，输入高通阻抗匹配网络1、 输出高通阻抗匹配网络5,输入高通阻抗匹配网络1选用带阻加变容管高通滤波器结 构，其中，输入高通阻抗匹配网络1和输出高通阻抗匹配网络5均为π型匹配网络； 输入高通阻抗匹配网络1包含有由变容二极管串联形成的电容组合部分2 ;还包括由 1R99\1R100\1C165\1R104为栅极提供偏置电路3、由1R94\1L151\1L53\1C163为漏极提供 偏置电路4,所述输出高通阻抗匹配网络（5)包括输出级带通滤波器6。 如图3所示，输入高通阻抗匹配网络，为π型匹配网络，选用带阻加变容管高通滤 波器结构，目的是为了获得较陡的带通特性，较大的带外抑制，从而提高抗干扰能力，以减 小电压波动对带通特性影响，抑制镜像频率干扰。各级不同的与变容二极管串联的电容的 组合可以微调带通形状。1R99\1R100\1C165\1R104为栅极提供偏置，1C165低频去耦电容。 匹配中的电容1C120UC178起到隔直电容的作用。1R94\1L151\1L53\1C163为漏提供极偏 置，1C163低频去耦电容。输出高通阻抗匹配网络，为π型匹配网络。可以有效地降低回波 损耗，提高增益和稳定性。输出级带通滤波器增加一级到地的串联谐振带通滤波器是为了 增加带通右边的抑制度。 广品的王要指标 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单级低噪声放大器，其特征在于：包括，输入高通阻抗匹配网络(1)、输出高通阻抗匹配网络(5)，输入高通阻抗匹配网络(1)选用带阻加变容管高通滤波器结构，其中，输入高通阻抗匹配网络(1)和输出高通阻抗匹配网络(5)均为π型匹配网络；输入高通阻抗匹配网络(1)包含有由变容二极管串联形成的电容组合部分(2)；栅极偏置电路(3)由电阻1R99、电阻1R100、电容1C165、电阻1R104组成；漏极偏置电路(4)由电阻1R94、电感1L151、电感1L53、电容1C163组成；所述输出高通阻抗匹配网络(5)包括输出级带通滤波器(6)。

【技术特征摘要】
1. 一种单级低噪声放大器，其特征在于：包括，输入高通阻抗匹配网络（1)、输出高通 阻抗匹配网络（5)，输入高通阻抗匹配网络（1)选用带阻加变容管高通滤波器结构，其中， 输入高通阻抗匹配网络（1)和输出高通阻抗匹配网络（5)均为π型匹配网络；输入高通阻 抗匹配网络（1)包含有...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴志毅，
申请(专利权)人：吴志毅，四川信息职业技术学院，
类型：新型
国别省市：四川;51