本实用新型专利技术公开了一种LED COB光源,包括有镜面铝材料制成的镜面基板,镜面基板的上表面为反射面,在镜面基板上粘合有BT绝缘层,BT绝缘层上间隔设置有2个以上的线路,镜面基板上阵列分布有LED芯片,镜面基板的最左端设置有与外接电源连接的焊接点,其中1个焊接点接电源正极后与最左端的线路连接,该线路再与其右侧同一列的LED芯片连接,该同一列的LED芯片再与其右侧的线路连接,如此类推连接,最右端的线路与另一个焊接点连接,并接至电源负极,相邻两列LED芯片之间设置有使得镜面基板外露出来的空腔。本实用新型专利技术的连接方式使得每1个线路就相当于1个电源,当同一行的1个LED芯片损坏以后,其后端或者前面的LED芯片还可以由其相邻的线路导通供电。
【技术实现步骤摘要】
—种LED COB光源
本技术涉及一种LED COB光源,属于LED光源
。
技术介绍
现有的LED光源的LED芯片连接过程中,如附图4所示,同一行的LED芯片之间相互串联连接,相邻两行之间的LED芯片之间并联连接,这样的连接方式存在I个很大的问题。如果输入电流为600ma,每个芯片的额定电流是300ma、两组芯片的电流就是600ma,假设芯片I在使用过程中损坏,那么芯片2也会无法正常工作。在电压不变的情况下,芯片I的电流会自动加载到芯片3上,会导致芯片3的电流加大,超出额定电流,从而加快芯片的3的损坏。为了防止芯片损坏故在每个芯片上并联连接一个保护电阻,但是添加保护电阻的话,又会出现新的问题,当芯片I损坏后,电流会通过保护电阻I将电流电压传递到芯片2上面,这样芯片I形成暗区不发光,保护电阻I会产生耗能但是不发光。再者就是现有的LED光源结构为普通铝基板上设置有环氧树脂层,环氧树脂层上为铜箔沉金层,LED芯片设置在铜箔沉金上,LED芯片产生的热量向下传递过程中,铜箔沉金层以及环氧树脂层这两层热阻层会影响LED芯片的寿命,还有就是这样的结构反光率低,铜箔沉金层的反光率仅为80%左右,再者就是环氧树脂层可焊性能差,环氧树脂在110摄氏度后会膨胀,焊线加工过程中变形、变软。
技术实现思路
本技术的目的在于:提供一种LED COB光源,该LED COB光源中的LED芯片使用特殊的连接方式进行连接,避免了同一行的I颗LED芯片损坏后,整一行的LED芯片无法工作的问题出现。而且该光源结构上与现有结构有区别,提高了反光率的同时,延长了 LED芯片的寿命,而且焊线加工过程中不会出现变形膨胀变软。 本技术的技术方案:一种LED COB光源,包括有镜面铝材料制成的镜面基板,镜面基板的上表面为反射面,在镜面基板上粘合有BT绝缘层,BT绝缘层上间隔设置有2个以上的线路,镜面基板上阵列分布有LED芯片,镜面基板的最左端设置有与外接电源连接的焊接点,其中I个焊接点接电源正极后与最左端的线路连接,该线路再与其右侧同一列的LED芯片连接,该同一列的LED芯片再与其右侧的线路连接,如此类推连接,最右端的线路与另一个焊接点连接,并接至电源负极,相邻两列LED芯片之间设置有使得镜面基板外露出来的空腔。 上述的LED COB光源,所述LED芯片上浇滴有硅胶。 本技术的有益效果:本技术使用过程中电流通过焊接点正极接入后与相邻的线路连接,线路再与相邻的LED芯片连接,如此的连接方式直到所有的芯片连接完毕。这样的连接方式使得每I个线路就相当于I个电源,当同一行的I个LED芯片损坏以后,其后端或者前面的LED芯片还可以由其相邻的线路导通供电。避免了一行一颗LED芯片损坏,同行其它颗LED芯片无法工作的情况出现。本技术的LED芯片在连接过程中,并联有多个LED芯片,并联的多个LED芯片降低了芯片的正常使用功率,从而使得LED芯片的连接过程中,不需要在连接保护电阻,产生额外的能耗。而且本技术的LED芯片设置在镜面基板上,LED芯片散热时无热阻层,提高了 LED芯片的使用寿命,而且使用镜面铝制作而成的基本板上表面作为反光面,其反光率可以达到98%,提高了反光率,使用BT材料制作而成的绝缘层耐温度为160-230摄氏度,焊线的加工过程中不会发生变形膨胀变软现象。 【附图说明】 附图1为本技术的俯视结构示意图; 附图2为本技术的主视结构示意图; 附图3为本技术的LED芯片与线路的连接示意图; 附图4为现有LED电源芯片连接方式; 附图标记:1_镜面基板,2-BT绝缘层,3-线路,4-LED芯片,5-焊接点,6-硅胶,7-空腔。 【具体实施方式】 本技术的实施例:一种LED COB光源,如附图1_3所示,包括有用镜面铝材料制成的镜面基板1,该镜面基板I的上表面为反射面,因为镜面铝材料的反光率在98%左右,使用镜面铝制作成基板,提高了光源的反光率。而在镜面基板I上粘合有I层用BT树脂制作而成的BT绝缘层2,用做绝缘隔热层,由于BT绝缘层2的耐高温温度为160-230摄氏度,因此在后续的焊线加工过程中不会出现变形膨胀变软的现象。而在BT绝缘层2上间隔设置有2个以上的线路3,在镜面基板I上阵列分布有多个LED芯片4,而在镜面基板I的最左端设置有与外接电源连接的焊接点5,其中I个焊接点5用于与外接电源的正极连接,连接后该焊接点5再与最左端的线路3连接,该线路3再与其右侧同一列的LED芯片4连接,该同一列的LED芯片4再与其右侧的线路3连接,如此类推连接,至到所有LED芯片4与线路3连接完毕为止,连接完毕后最右端的线路3则连接至另一个焊接点5,该焊接点5再连接至电源负极。如附图3所示使用时,电流经过焊接点5正极流入,然后流入与之连接的线路3中,线路3中的电流再流入其右侧的4个LED芯片4中,然后再由这4个LED芯片4流入其右侧的线路3中,直到经过最后I个线路3流入焊接点5负极,最后接电源负极。以输入电流600ma计算,如果每个LED芯片4的额定电流是300ma、让4颗LED芯片4,也可以是任意很多颗,形成一个整体的集群,4颗LED芯片4的电流相加就是1200ma,但是我们实际使用的只有600ma,从而降低了 LED芯片4的正常使用功率,用这种方式替代了保护电阻。使用过程中如果芯片a在使用过程中损坏,那么电流、电压会通过芯片c、e、g传递到芯片b、d、f、h上面,在芯片a损坏后多出来的150ma电流被均勻的分配到芯片C、e、g上面,这时芯片c、e、g所承受的电流是200ma,比额定使用电流低10ma,确保了在不损坏LED芯片4的情况下还可以让集群中的其他LED芯片4还可以正常使用。在相邻两列LED芯片4之间设置有使得镜面基板I外露出来的空腔7,用于反射发光二极管发出的光线。 而在每个LED芯片3上浇滴有硅胶6进行封装。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种LED COB光源,其特征在于:包括有镜面铝材料制成的镜面基板(1),镜面基板(1)的上表面为反射面,在镜面基板(1)上粘合有BT绝缘层(2),BT绝缘层(2)上间隔设置有2个以上的线路(3),镜面基板(1)上阵列分布有LED芯片(4),镜面基板(1)的最左端设置有与外接电源连接的焊接点(5),其中1个焊接点(5)接电源正极后与最左端的线路(3)连接,该线路(3)再与其右侧同一列的LED芯片(4)连接,该同一列的LED芯片(4)再与其右侧的线路(3)连接,如此类推连接,最右端的线路(3)与另一个焊接点(5)连接,并接至电源负极,相邻两列LED芯片(4)之间设置有使得镜面基板(1)外露出来的空腔(7)。
【技术特征摘要】
1.一种LED COB光源,其特征在于:包括有镜面铝材料制成的镜面基板(I),镜面基板(I)的上表面为反射面,在镜面基板(I)上粘合有BT绝缘层(2),BT绝缘层(2)上间隔设置有2个以上的线路(3),镜面基板(I)上阵列分布有LED芯片(4),镜面基板(I)的最左端设置有与外接电源连接的焊接点(5),其中I个焊接点(5)接电源正极后与最左端的线路(...
【专利技术属性】
技术研发人员:骆沾沾,
申请(专利权)人:贵州黔光照明科技有限公司,
类型:新型
国别省市:贵州;52
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