半导体制程装置制造方法及图纸

一种半导体制程装置，适用于进行光电半导体之快速升降温制程。半导体制程装置包括制程腔体及至少一个加热源。制程腔体包括散热底板及环状金属侧壁，环状金属侧壁配置于散热底板上且与散热底板直接接触。而加热源配置于制程腔体内。本发明专利技术的半导体制程装置仅于制程腔体上方设置加热源，以对制程腔体内部的物体进行单向加热。而且，制程腔体是直接与导热率佳的散热底板接触，因此在完成加热制程后，可加速制程腔体内的物体降温速度，以缩短降温时间。

【技术实现步骤摘要】
半导体制程装置
本专利技术是有关于一种制程装置，尤其是有关于一种适用于进行光电半导体之快速升降温制程的半导体制程装置。
技术介绍
现阶段,快速热工艺(Rapid Thermal Processing)已应用于许多半导体的制程上，例如快速热氧化(Rapid Thermal Oxidat1n)、快速热化学气相沉积(Rapid ThermalCVD),快速热退火(Rapid Thermal Annealing)等，由此可知,快速热工艺对于半导体制程已相当地重要。 在半导体制程中，热量主要靠辐射传至晶圆上，因此，现在的半导体制程装置在制程腔体的上方及下方皆设有加热灯管，以达到晶圆均匀加热的目的。但此种半导体制程装置并不能针对晶圆的特定位置加热，且结构也较为复杂，无法节省成本。 再者，现在的半导体装程装置在加热后，晶圆的热量会通过辐射或对流的方式散发，但因制程腔体的材质为石英，不易使制程腔体的热散失，因此，造成降温的速度慢，且对于晶圆在热处理时的温度均匀性较不稳定，容易影响晶粒的质量及良率。
技术实现思路
鉴于上述状况，有必要提供一种可用于光电半导体的快速升降温制程的半导体制程装置。 一种半导体制程装置，适用于进行光电半导体的快速升降温制程，所述半导体制程装置包括制程腔体及至少一个加热源，所述制程腔体包括散热底板以及配置于所述散热底板上且与所述散热底板直接接触的环状金属侧壁，所述至少一个加热源配置于所述制程腔体内。 根据本专利技术的一个实施例，所述制程腔体还包括导流板，所述导流板具有多个导流孔，且所述导流板设置于所述至少一个加热源上方。 根据本专利技术的一个实施例，所述半导体制程装置还包括载盘，且所述环状金属侧壁具有一抽取口，所述载盘适于经由所述抽取口进出所述制程腔体。 根据本专利技术的一个实施例，所述导流板的材料为石英、金属或陶瓷。 根据本专利技术的一个实施例，所述环状金属侧壁包括多个板体，所述多个板体可拆卸地组合于彼此而成为所述环状金属侧壁。 根据本专利技术的一个实施例，所述至少一个加热源包括多个灯管，所述多个灯管具有不同的输出功率。 根据本专利技术的一个实施例，所述散热底板的材质为金属或陶瓷。 根据本专利技术的一个实施例，所述散热底板包括板体和冷却管路，所述板体具有位于相对两侧的第一表面及第二表面，所述环状金属侧壁位于所述第一表面上；所述冷却管路设置于所述板体的第二表面。 根据本专利技术的一个实施例，所述散热底板具有多条冷却通道。 根据本专利技术的一个实施例，所述散热板具有第一表面、第二表面以及散热孔，所述第一表面与所述第二表面位于相对两侧，所述散热孔连通所述第一表面与所述第二表面，所述环状金属侧壁位于所述第一表面上。 根据本专利技术的一个实施例，所述半导体制程装置还包括隔绝板，所述隔绝板设置于所述加热源及所述环状金属侧壁之间。 本专利技术的半导体制程装置仅于制程腔体上方设置加热源，以对制程腔体内部的物体进行单向加热。而且，制程腔体是直接与导热率佳的散热底板接触，因此在完成加热制程后，可加速制程腔体内的物体降温速度，以缩短降温时间。 【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1A是本专利技术第一实施例的半导体制程装置的立体示意图。 图1B是图1A的半导体制程装置的分解示意图。 图2A是本专利技术第一实施例的散热底板的立体图。 图2B是本专利技术另一实施例的散热底板的立体图。 图3是本专利技术第二实施例的半导体制程装置的分解示意图。 图4是本专利技术第三实施例的半导体制程装置的分解示意图。 【具体实施方式】 图1A是本专利技术第一实施例的半导体制程装置的立体示意图，图1B是图1A的半导体制程装置的分解示意图。请同时参照图1A及图1B，第一实施例的半导体制程装置100包括制程腔体110及配置于制程腔体110内的至少一个加热源120。制程腔体110包括散热底板111及环状金属侧壁112，而环状金属侧壁112配置于散热底板111上而与散热底板111直接接触。特别的是，本实施例的环状金属侧壁112例如由多个板体112a所组成。具体来说，这些板体112a例如是可拆卸地组合于彼此而成为环状金属侧壁112，且其材质例如是铝金属或其它导热性佳的金属材料。此外，在另一实施例中，环状金属侧壁112亦可以是以一体成型的方式所制成的。 另一方面，散热底板111的材质也可以是金属、陶瓷等高导热系数材料，但不以此为限。进一步来说，如图2A所示,散热底板111例如是包括板体Illa及冷却管路111b。板体Illa具有位于相对两侧的第一表面SI及第二表面S2，而环状金属侧壁112是配置于第一表面SI上。冷却管路Illb则是设置于板体Illa的第二表面S2，且管内例如是填有可快速降温的液体，以提升散热底板111的散热速度。此外，如图2B所示，散热底板111内部例如具有多条冷却通道111c。须特别说明的是，这些冷却通道Illc是横贯散热底板111的两侧面，供可快速降温的液体流通，以增加散热底板111的散热速度。 此外，本实施例以多个加热源120为例做说明。进一步来说，本实施例之加热源120例如是灯管，且其以数组的方式排列在制程腔体110上方。特别的是，这些灯管可以具有不同的输出功率，以便于对制程腔体110内的物体提供不同的热能。 由上述可知，本实施例的半导体制程装置100仅于制程腔体110上方配置有加热源120，而制程腔体110下方并未配置有任何加热组件。换言之，本实施例的半导体制程装置100仅透过配置于制程腔体110上方的加热源120来对放置于制程腔体110内的物体进行单向加热制程。而且，由于制程腔体110下方即为散热底板111，因此在完成加热后可迅速将制程腔体110内的温度降至适当温度，以便于对制程腔体110内的物体进行下一步制程。 具体来说，请再次参照图1B，本实施例的半导体制程装置100还包括有载盘130，用以承载待加热的半导体元件131。本实施例的待加热的半导体元件131例如是晶圆，但不限于此。而且，制程腔体110的环状金属侧壁112具有抽取口 112d，载盘130即是透过抽取口 112d来进出制程腔体110。详细来说，在将半导体元件131放置于载盘130之后，接着即将载盘130经由抽取口 112d推入制程腔体110内，再开启加热源120，以便于在制程腔体110内对半导体元件131进行加热。 在完成加热制程后，关闭加热源120，并且使半导体元件131降温至适当温度时，再经由抽取口 112d将载盘130抽出至制程腔体110外，以供相关人员将半导体元件131自载盘130上取走。 另外，须特别说明的是，上述实施例中的半导体制程装置可适用于常压制程或真空制程的环境中，但不以此为限。 图3是本专利技术第二实施例的半导体制程装置的分解示意图。请参照图3，本实施例的半导体制程装置200与前述实施例的半导体制程装置100相似，两者相异之处在于本实施例的半导体制程装置200还包括有导流板140，设置于加热源12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制程装置，适用于进行光电半导体的快速升降温制程，其特征在于：所述半导体制程装置包括制程腔体及至少一个加热源，所述制程腔体包括散热底板以及配置于所述散热底板上且与所述散热底板直接接触的环状金属侧壁，所述至少一个加热源配置于所述制程腔体内。

【技术特征摘要】
1.一种半导体制程装置，适用于进行光电半导体的快速升降温制程，其特征在于:所述半导体制程装置包括制程腔体及至少一个加热源，所述制程腔体包括散热底板以及配置于所述散热底板上且与所述散热底板直接接触的环状金属侧壁，所述至少一个加热源配置于所述制程腔体内。2.如权利要求1所述的半导体制程装置，其特征在于:所述制程腔体还包括导流板，所述导流板具有多个导流孔，且所述导流板设置于所述至少一个加热源上方。3.如权利要求1所述的半导体制程装置，其特征在于:所述半导体制程装置还包括载盘，且所述环状金属侧壁具有一抽取口，所述载盘适于经由所述抽取口进出所述制程腔体。4.如权利要求2所述的半导体制程装置，其特征在于:所述导流板的材料为石英、金属或陶瓷。5.如权利要求1所述的半导体制程装置，其特征在于:所述环状金属侧壁包括多个板体，所述多个板体可拆卸地组合于彼此而成为所述环状金属侧壁。6.如权利要求1所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：林武郎，郑煌玉，郭明伦，刘又瑋，陈世敏，黄文泰，
申请(专利权)人：技鼎股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71