发光装置以及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供发光装置以及电子设备。上述发光装置具备形成在基体上的第一发光元件以及第二发光元件、和覆盖上述第一发光元件以及上述第二发光元件的密封层，上述第一发光元件与上述第二发光元件的间隔、上述第一发光元件与上述第二发光元件的节距、以及上述发光元件的宽度中的至少一个为上述密封层的膜厚以下。

【技术实现步骤摘要】
发光装置以及电子设备
本专利技术涉及利用例如有机EL材料等的发光材料的发光装置。
技术介绍
以往已经提出一种将在基板上平面状地排列利用例如有机EL材料的发光元件的发光装置作为各种电子设备的显示装置。专利文献I公开了以用于防止外部空气、水分的侵入的密封剂来覆盖基板上的多个发光元件的结构。在专利文献I的技术中，以相对于各发光元件的间隔充分薄的膜厚形成密封剂。 专利文献1:日本特开2008 - 525955号公报 然而，在如专利文献I那样将密封剂形成为充分薄的膜厚的结构中，在密封剂的表面显现反映了基板上的各元件的形状的凹凸(阶梯差)，其结果，有可能降低密封剂的密封性能。在如专利文献I的技术那样，各发光元件的间隔(0.3_左右)相对于密封剂的膜厚充分大的大型发光装置中，密封剂的表面的凹凸的影响较小，但在以较小的间隔高密度地排列例如面积为40 μ m2以下的微小的各发光元件的微型显示器中，密封剂的表面的凹凸的影响特别明显。考虑以上的情况，本专利技术目的在于减少覆盖发光元件的密封层的表面的凹凸。
技术实现思路
为了解决以上的技术问题，本专利技术的第一方式的发光装置具备形成在基体上的第一发光兀件以及第二发光兀件、和覆盖第一发光兀件以及第二发光兀件的密封层，第一发光元件与第二发光元件的间隔为密封层的膜厚以下。在以上的结构中，由于第一发光元件和第二发光元件的间隔为密封层的膜厚以下，所以与第一发光元件和第二发光元件的间隔超过密封层的膜厚的结构相比，能够减少密封层的表面的凹凸。 本专利技术的第二方式的发光装置具备形成在基体上的第一发光元件以及第二发光元件、和覆盖第一发光元件以及第二发光元件的密封层，第一发光元件与第二发光元件的节距为密封层的膜厚以下。在以上的结构中，由于第一发光元件与第二发光元件的节距在密封层的膜厚以下，所以与第一发光元件与第二发光元件的节距为超过密封层的膜厚的结构相比，能够减少密封层的表面的凹凸。 本专利技术的第三方式的发光装置具备形成在基体上的发光元件和覆盖发光元件的密封层，发光元件的宽度为密封层的膜厚以下。在以上的结构中，由于发光元件的宽度为密封层的膜厚以下，所以与发光层的宽超过密封层的膜厚的结构相比，能够减少密封层的表面的凹凸。 在第三方式的发光装置中，在基体上形成有相互对置的第一电极以及第二电极、第一电极与第二电极之间的发光功能层、以及形成在第一电极和第二电极且具有开口部的像素定义层的结构中，将开口部的内侧且在第一电极和第二电极之间夹有发光功能层的部分作为发光元件而发挥功能，发光元件的宽度为开口部的宽度。 在第一方式至第三方式的发光装置的优选例中，发光元件包括形成在绝缘层的面上且相互对置的第一电极以及第二电极、和遍及多个发光元件连续地形成且位于第一电极与第二电极之间的发光功能层，在绝缘层中的各发光元件之间的区域形成开口部，发光功能层进入至该开口部。在以上的构成中，由于在绝缘层中的各发光元件之间形成有开口部且发光功能层进入至该开口部，所以尽管是发光功能层遍及多个发光元件且连续的构成，也能够防止相互相邻的各发光元件之间的漏电电流。由此，具有能够将各发光元件高精度地控制为目标亮度这一优点。另一方面，在绝缘层形成开口部的构成中，具有在密封层的表面容易显现凹凸这一趋势。考虑以上的趋势，能够减少密封层的表面的凹凸的本专利技术的各方式的发光装置格外优选在绝缘层设置开口部的构成。 在以上的各方式的发光装置的优选例中，密封层的上面比该密封层中的发光元件侧的下面平坦。此外，在非常高精细地形成有各发光元件的结构(微型显示器)中，密封层的表面的凹凸的影响特别明显。由此，本专利技术格外优选例如发光元件的面积为40 μ Hi2以下的发光装置。 以上的各方式的发光装置作为例如显示装置而被用于各种电子设备。具体而言，作为本专利技术的电子设备的优选例能够例示出头部安装型的显示装置、拍摄装置的电子式取景器等，但本专利技术的适用范围并不局限于以上的例示。 【附图说明】 图1是本专利技术的第一实施方式的发光装置的俯视图。 图2是像素的电路图。 图3是发光装置的截面图。 图4是发光装置的截面图。 图5是形成在基板上的各元件的说明图。 图6是形成在基板上的各元件的说明图。 图7是形成在基板上的各元件的说明图。 图8是形成在基板上的各元件的说明图。 图9是形成在基板上的各元件的说明图。 图10是第一电源导电体以及第二电源导电体的示意图。 图11是形成在基板上的各元件的说明图。 图12是形成在基板上的各元件的说明图。 图13是形成在基板上的各元件的说明图。 图14是形成在基板上的各元件的说明图。 图15是着眼于光路调整层的各显示像素的截面图。 图16是用于说明光路调整层的开口部与各发光元件的间隔的俯视图。 图17是密封体的第二密封层的说明图。 图18是第二实施方式的发光装置的截面图。 图19是用于说明发光元件的宽度的俯视图。 图20是第四实施方式的发光装置的俯视图。 图21是电子设备的一个例子的头部安装型的显示装置的示意图。 【具体实施方式】 第一实施方式 图1是本专利技术的第一实施方式的发光装置100的俯视图。第一实施方式的发光装置100是在基板10的面上形成利用了有机EL材料的发光元件的有机EL装置。基板10是由硅(硅)等半导体材料形成的板状构件(半导体基板)，被用作形成有多个发光元件的基体(基底)。如图1所示，基板10的表面被划分为第一区域12和第二区域14。第一区域12是矩形状的区域，第二区域14是包围第一区域12的矩形框状的区域。 在第一区域12形成有沿X方向延伸的多个扫描线22、与各扫描线22对应地沿X方向延伸的多个控制线24、以及沿与X方向交叉的Y方向延伸的多个信号线26。与多个扫描线22和多个信号线26的各交叉对应地形成有像素P (PD、PE)。由此，多个像素P遍及X方向以及Y方向行列状地排列。 在第二区域14设置有驱动电路30、多个安装端子36以及保护环38。驱动电路30是驱动各像素P的电路，构成为包括在X方向上夹着第一区域12的各位置设置的两个扫描线驱动电路32、和设置在第二区域14中的沿X方向延伸的区域的信号线驱动电路34。多个安装端子36形成在夹着信号线驱动电路34而与第一区域12相反的一侧的区域内，经由与基板10接合的挠性的布线基板(图示略)与控制电路、电源电路等外部电路(例如安装在布线基板上的电子电路)电连接。 第一实施方式的发光装置100通过与多个基板10相当尺寸的原基板的切断(划线)而一次形成多个。图1的保护环38防止原基板的切断时的冲击、静电的影响波及驱动电路30或者各像素P、从各基板10的端面(原基板的截面)侵入水分。如图1所示，保护环38形成为包围驱动电路30、多个安装端子36以及第一区域12的环状(矩形框状)。 图1的第一区域12被划分为显示区域16和周边区域18。显示区域16是通过各像素P的驱动而实际显示图像的区域。周边区域18是包围显示区域16的矩形框状的区域，在显示区域16内的各像素P配置有构造类似但实际上无助于图像的显示的像素P (以下称为“虚设像素ro”)。从明确与周边区域18内的虚设像素ro之间的在表记上的区别的观点出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，具备：形成在基体上的第一发光元件以及第二发光元件；和覆盖所述第一发光元件以及所述第二发光元件的密封层，所述第一发光元件和所述第二发光元件的间隔在所述密封层的膜厚以下。

【技术特征摘要】
2013.06.18 JP 2013-1272071.一种发光装置，其特征在于，具备: 形成在基体上的第一发光元件以及第二发光元件；和 覆盖所述第一发光元件以及所述第二发光元件的密封层， 所述第一发光元件和所述第二发光元件的间隔在所述密封层的膜厚以下。2.一种发光装置，其特征在于，具备: 形成在基体上的第一发光元件以及第二发光元件；和 覆盖所述第一发光元件以及所述第二发光元件的密封层， 所述第一发光元件和所述第二发光元件的节距在所述密封层的膜厚以下。3.根据权利要求1或者权利要求2所述的发光装置，其特征在于， 具备绝缘层，所述绝缘层的面上形成所述第一发光元件以及所述第二发光元件， 所述第一发光元件以及第二发光元件分别包括相互对置的第一电极以及第二电极、和遍及所述第一发光元件和所述第二发光元件连续地形成且位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光功能层， 在所述绝缘层中的所述第一发光元件和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：野泽陵一，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP