用于分离多层结构的装置和方法制造方法及图纸

在各实施例中，可提供一种用于分离多层结构的装置，所述多层结构包括第一层、第二层和在所述第一层和所述第二层之间的脱模层。所述装置可包括附接表面，该附接表面被构造为通过附接到所述第一层来悬挂所述多层结构。所述装置可进一步包括致动机构，该致动机构被构造为通过弯曲所述附接表面而形成所述第一层的曲度。所述装置还可包括容器，以容纳用于蚀刻所述脱模层以便将所述第一层与所述第二层分离的蚀刻剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】在各实施例中，可提供一种用于分离多层结构的装置，所述多层结构包括第一层、第二层和在所述第一层和所述第二层之间的脱模层。所述装置可包括附接表面，该附接表面被构造为通过附接到所述第一层来悬挂所述多层结构。所述装置可进一步包括致动机构，该致动机构被构造为通过弯曲所述附接表面而形成所述第一层的曲度。所述装置还可包括容器，以容纳用于蚀刻所述脱模层以便将所述第一层与所述第二层分离的蚀刻剂。【专利说明】相关申请的交叉引用本申请要求于2012年4月23日递交的美国申请第61/637020号的优先权的利益，其内容为所有目的而通过引用被全部合并于此。
本公开的各方面涉及。
技术介绍
在外延层剥离(ELO)中，可通过横向刻蚀器件膜与衬底之间的脱模层而将器件膜与衬底分离。脱模层可被沉积或生长在衬底上。器件膜随后被沉积或生长在脱模层上。 用于脱模层的材料可被选择为提供与结构的其它部分相比高的蚀刻选择性，以便进行有效的分离。衬底可被重新用于后续的ELO过程以便减少成本。 对该过程而言，需要脱模层具有快速蚀刻速率以便进行大规模制造。在当前方法中，脱模层的蚀刻速率不足以进行大规模的制造。
技术实现思路
在各实施例中，提供一种用于分离多层结构的装置，所述多层结构包括第一层、第二层和在所述第一层和所述第二层之间的脱模层。所述装置可包括附接表面，该附接表面被构造为通过附接到所述第一层而悬挂所述多层结构。所述装置可进一步包括致动机构，该致动机构被构造为通过弯曲所述附接表面而形成所述第一层的曲度。所述装置还可包括容器，以容纳用于蚀刻所述脱模层以便将所述第一层与所述第二层分离的蚀刻剂。 在各实施例中，提供一种用于分离多层结构的方法，所述多层结构包括第一层、第二层和在所述第一层和所述第二层之间的脱模层。所述方法可包括通过将所述第一层附接到附接表面来悬挂所述多层结构。所述方法可进一步包括通过使用致动机构弯曲所述附接表面而形成所述多层结构的第一层的曲度。所述方法还可包括蚀刻所述脱模层以便将所述第一层与所述第二层分离。 【专利附图】【附图说明】 当结合非限制性示例和附图考虑时，通过参照详细说明，本专利技术将被更好地理解，附图中: 图1A示出根据的各实施例的用于分离多层结构的装置的示意图。 图1B示出根据各实施例的多层结构的示意图。 图2A示出根据各实施例的用于分离多层结构的装置的示意图。 图2B示出根据各实施例的用于分离多层结构的装置的示意图。 图3A示出根据各实施例的用于分离多层结构的装置的侧视图的照片。 图3B示出根据各实施例的用于分离多层结构的装置的俯视图的照片。 图3C示出根据各实施例的用于分离多层结构的装置的仰视图的照片。 图3D示出根据各实施例的用于分离多层结构的装置的仰视图的照片。 图3E示出根据各实施例的用于分离多层结构的装置的侧视图的照片，其中千分尺被电子线性致动器取代。 图4示出根据各实施例的用于分离多层结构的方法的示意图。 图5示出根据各实施例的用于分离多层结构的方法的示意图。 图6示出根据各实施例的用于分离多层结构的方法的示意图。 图7A为示出根据各实施例的不同晶片的横向蚀刻深度与蚀刻持续时间之间的模型的曲线图，其中由致动器进行的不同晶片的初始弯曲调节具有不同的初始量。 图7B为示出根据各实施例的不同晶片的弯曲调节与蚀刻持续时间的曲线图，其中由致动器进行的不同晶片的初始弯曲调节具有不同的初始量。 图8A示出根据各实施例的在附接表面上的被分离的第一层的照片。 图8B示出根据各实施例的被分离的第二层的照片。 图9A示出根据各实施例的在附接表面上的被分离的第一层的俯视图的照片。 图9B示出根据各实施例的在附接表面上的被分离的第一层的侧视图的照片。 【具体实施方式】 下面的详细说明参照附图，附图通过例示的方式示出本专利技术可实施的特定细节和实施例。这些实施例被描述的足够详细以便使本领域技术人员能够实施本专利技术。在不脱离本专利技术范围的情况下，可利用其它实施例且可做出结构和逻辑上的改变。各实施例未必是相互排斥的，同样地，一些实施例可与一个或更多其它实施例组合来形成新的实施例。 为了使本专利技术可被容易地理解并且被可行地进行实施，现在将通过示例而非限制的方式并且参照附图描述特定实施例。 应该理解，术语“顶部”、“底部”、“向下”、“侧”等在下面的说明中使用时为了方便而被使用，并且为了帮助理解相对位置或方向，并非旨于限制多层结构、包括在多层结构中的层或用于分离多层结构的装置的定向。 图1A示出根据各实施例的用于分离多层结构104的装置102的示意图100a。多层结构104可包括第一层104a、第二层104b和在第一层104a和第二层104b之间的脱模层104c。装置102可包括被构造为通过附接到第一层104a而悬挂多层结构104的附接表面106。装置102可进一步包括致动机构108，致动机构108被构造为通过弯曲附接表面106来形成第一层104a的曲度110。装置102还可包括容器114以容纳蚀刻剂112，用于蚀刻脱模层104c，以便将第一层104a与第二层104b分离。 换言之，可提供多层结构104。多层结构可包括在第二层104b上的脱模层104c和在脱模层104c上的第一层104a。装置102可被提供为通过使用蚀刻剂112蚀刻脱模层104c而将第一层104a与第二层104b分离。蚀刻剂112可被容纳在容器110中。装置102可进一步包括附接表面106以便挂起多层结构104。多层结构104可通过将第一层104a附接到附接表面106而被挂起。附接表面106可通过致动机构108被弯曲。附接表面106可被弯曲为使得该附接形成曲度110。 第一层104a可包括器件、电路、互连件和金属化部(metallizat1n)中的一个或更多个。器件可例如为太阳能器件、半导体器件、电子器件、光子器件、微电子机械器件、传感器件或光电子器件。第一层104a可包括晶体管。例如,第一层104a包括金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)。第一层104a可替代地或另外地可为或可包括双极型晶体管。第一层104a可包括集成电路，例如逻辑集成电路、存储器集成电路或功率集成电路。集成电路可为专用集成电路(ASIC)或现场可编程门阵列(FPGA)。作为替代，集成电路可为任何其它可编程逻辑电路，诸如例如可编程处理器，例如可编程微处理器或可编程毫微秒处理器。第一层104a可为起始层，在蚀刻掉脱模层104c之后在该起始层上形成器件或结构。 第一层104a另外或可替代地可包括电容器、感应器、电阻器或任何其它电子部件。第一层104a可替代地或另外地可包括诸如金属互连件之类的互连件和/或诸如金属触点之类的触点。 包括器件、电路、互连件和金属化部中的一个或更多个的第一层104a可被称为器件层。 第二层104b可为或可包括衬底。衬底可为诸如硅衬底或砷化镓(GaAs)衬底之类的半导体衬底。 脱模层104c可包括提供高于第一层104a和第二层104b的高蚀刻选择性的材料或由提供高于第一层104a和第二层104b的高蚀刻选择性的材料制成。例如，第一层104a和/或层104b可包括砷化镓或可由砷化镓制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于分离多层结构的装置，所述多层结构包括第一层、第二层和在所述第一层和所述第二层之间的脱模层，所述装置包括：附接表面，被构造为通过附接到所述第一层来悬挂所述多层结构；致动机构，被构造为通过弯曲所述附接表面而形成所述第一层的曲度；和容器，被构造为容纳用于蚀刻所述脱模层以便将所述第一层与所述第二层分离的蚀刻剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁顺发，许大卫，杨秋勇，
申请(专利权)人：南洋理工大学，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG