银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种银纳米线-M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法。薄膜由衬底上依次覆有膜厚为80～120nm的银纳米线膜和100～1000nm的M相二氧化钒纳米颗粒膜组成，其中，构成银纳米线膜的银纳米线的线直径为40～100nm、线长为50～100μm，构成M相二氧化钒纳米颗粒膜的M相二氧化钒纳米颗粒的粒径为20～100nm；方法为先将浓度为0.3～1.5wt％的银纳米线异丙醇溶液旋涂或刮涂于衬底上，干燥后再将浓度为2～5wt％的M相二氧化钒纳米颗粒水或乙醇溶液旋涂或刮涂至其上覆有银纳米线膜的衬底的银纳米线膜上，制得目的产物。它的相变电压低，制备工艺便捷、成本低，可广泛地用于节能窗、气敏传感器、光电开关、热敏电阻、红外遥感接收器和非制冷焦平面辐射探测器等领域。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种银纳米线‑M相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜，包括衬底，其特征在于：所述复合薄膜由衬底上依次覆有银纳米线膜和M相二氧化钒纳米颗粒膜组成；所述银纳米线膜的膜厚为80～120nm，构成银纳米线膜的银纳米线的线直径为40～100nm、线长为50～100μm；所述M相二氧化钒纳米颗粒膜的膜厚为100～1000nm，构成M相二氧化钒纳米颗粒膜的M相二氧化钒纳米颗粒的粒径为20～100nm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李明，潘静，吴昊，钟莉，王强，李广海，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：安徽;34