低介电损耗10瓦30dB衰减片制造技术

本发明专利技术公开了一种低介电损耗10瓦30dB衰减片，其包括一尺寸为长5mm、宽2.5mm、厚0.635mm的低介电常数氮化铝陶瓷基板，氮化铝陶瓷基板的背面印刷有银浆，氮化铝陶瓷基板的正面印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线两端分别连接两个焊盘，银浆导线之间连接5个电阻形成衰减电路，电阻上层通过厚膜印刷有绿色保护膜。通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和电阻值来获得需要的衰减值,通过导线设计的介质感应提高衰减精度以及获得较好的驻波特性。该低介电损耗10瓦30dB衰减片，介电损耗小、衰减精度高，使产品性能指标达到3G频段，可以应用于目前的4G网络。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种低介电损耗10瓦30dB衰减片，其包括一尺寸为长5mm、宽2.5mm、厚0.635mm的低介电常数氮化铝陶瓷基板，氮化铝陶瓷基板的背面印刷有银浆，氮化铝陶瓷基板的正面印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线两端分别连接两个焊盘，银浆导线之间连接5个电阻形成衰减电路，电阻上层通过厚膜印刷有绿色保护膜。通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和电阻值来获得需要的衰减值,通过导线设计的介质感应提高衰减精度以及获得较好的驻波特性。该低介电损耗10瓦30dB衰减片，介电损耗小、衰减精度高，使产品性能指标达到3G频段，可以应用于目前的4G网络。【专利说明】低介电损耗10瓦30dB衰减片
本专利技术涉及一种衰减片，特别涉及一种低介电损耗10瓦30dB衰减片。
技术介绍
目前集成了多个膜状电阻为一体，通过电阻及线路不同设计的衰减片广泛应用于雷达，卫星通讯，电子对抗等军事工业和移动电话、PCS和商用基站市场领域。使用负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而使用衰减片在吸收反向输入的功率同时还能抽取需要的信号进行分析，并在高频电路上调整功率电平，去耦，对相关设备起到了保护作用。 在国外，特别是欧美国家，对衰减片和负载片研发生产都要比国内起步早很多，无论在产品的丰富性还是产品微波特性上都处于比较优势地位。同时国内市场上现有的衰减片系列少，衰减精度低，且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本专利技术要解决的技术问题是提供一种阻值满足50 Ω ±3%，在3G频段以内衰减精度为30±ldB，驻波要求输入、输出端在1.15以内，能够满足目前4G网络的应用要求的低介电损耗10瓦30dB衰减片，取代国外同类产品，并在特性上填补国内产品的空白。 为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案:一种低介电损耗10瓦30dB衰减片,包括一尺寸为长5mm、宽2.5mm、厚0.635mm的低介电常数氮化铝陶瓷基板，氮化铝陶瓷基板子的背面印刷有银浆，氮化铝陶瓷基板的正面印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线两端分别连接两个焊盘，银浆导线之间连接5个电阻形成衰减电路，电阻上层通过厚膜印刷有绿色保护膜。通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和电阻值来获得需要的衰减值，通过导线设计的介质感应提高衰减精度以及获得较好的驻波特性。该低介电损耗10瓦30dB衰减片，介电损耗小、衰减精度高，使产品性能指标达到3G频段，可以应用于目前的4G网络。 优选的，所述衰减片基板采用低介电常数薄型氮化铝陶瓷基板。 优选的，所述银浆采用低银离子迁移银浆。 优选的，所述电阻上层通过厚膜印刷有绿色保护膜，该绿色保护膜需要进行高温紅彡口 ? 上述技术方案具有如下有益效果:低介电损耗10瓦30dB衰减片，采用了低介电常数的氮化铝陶瓷，这样减少了衰减精度的介质干扰，同时低银离子迁移银浆的使用以及导线走位的优化设计，提高了产品的各项微波性能，使产品性能指标得到提高，在微波性能提高的同时满足了产品的功率容量要求，改产品的衰减精度达到了 3G以内30±ldB，驻波满足市场要求，从而使得产品可以应用于4G网络。 上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本专利技术的【具体实施方式】由以下实施例及其附图详细给出。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术实施例的结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图对本专利技术的优选实施例进行详细介绍。 如图1所示，该低介电损耗10瓦30dB衰减片，包括一长5.0mm、宽2.5mm、厚度 0.635mm的低介电常数氮化铝陶瓷基板1，低介电常数氮化铝陶瓷基板I的背面印刷有银浆，氮化铝陶瓷基板I的正面印刷有银浆导线2及膜状电阻Rl、R2、R3，R4、R5，膜状电阻Rl、R2、R3、R4、R5通过银浆导线连接形成衰减电路，衰减电路通过端涂银浆与背部银浆层连接，从而使衰减电路形成通路。该衰减电路沿陶瓷基板的中心线对称，膜状电阻R1、R2、R3、R4、R5上印刷有绿色保护膜3，银浆导线2及绿色保护膜3的上表面还印刷有一层树脂保护膜4，这样可对银浆导线2及膜状电阻町、1?2、1?3、1?4、1?5形成保护。 该低介电损耗10瓦30dB衰减片要求输入端和接地的阻值为50Ω ±3%，输出端和接地端的阻值为50 Ω ±3%。信号从输入端进入衰减片，经过5个黑色膜状电阻Rl、R2、R5、R3、R4对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号。 该低介电损耗10瓦30dB衰减片，采用了低介电常数的氮化铝陶瓷，这样减少了衰减精度的介质干扰，同时低银离子迁移银浆的使用以及导线走位的优化设计，提高了产品的各项微波性能，使产品性能指标得到提高，在微波性能提高的同时满足了产品的功率容量要求，该产品的衰减精度达到了 3G以内30±ldB，驻波满足市场要求，从而使得产品可以应用于4G网络。 以上对本专利技术实施例所提供的一种低介电损耗10瓦30dB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本专利技术实施例的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本专利技术的限制，凡依本专利技术设计思想所做的任何改变都在本专利技术的保护范围之内。【权利要求】1.一种低介电损耗10瓦30dB衰减片，其特征在于:包括一尺寸为长5mm、宽2.5mm、厚0.635mm的低介电常数氮化铝陶瓷基板，氮化铝陶瓷基板子的背面印刷有银浆，氮化铝陶瓷基板的正面印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线两端分别连接两个焊盘，银浆导线之间连接5个电阻形成衰减电路，电阻上层通过厚膜印刷有绿色保护膜；通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和电阻值来获得需要的衰减值，通过导线设计的介质感应提高衰减精度以及获得较好的驻波特性；该低介电损耗10瓦30dB衰减片，介电损耗小、衰减精度高，使产品性能指标达到3G频段，可以应用于目前的4G网络。2.根据权利要求1所述的低介电损耗10瓦30dB衰减片，其特征在于:所述衰减片基板采用低介电常数薄型氮化铝陶瓷基板。3.据权利要求1所述的低介电损耗10瓦30dB衰减片，其特征在于:所述银浆采用低银离子迁移银浆。4.根据权利要求1所述的低介电损耗10瓦30dB衰减片，其特征在于:所述电阻上层通过厚膜印刷有绿色保护膜，该绿色保护膜需要进行高温烧结。【文档编号】H01P1/22GK104241775SQ201410235275【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年5月29日 优先权日:2014年5月29日 【专利技术者】不公告专利技术人 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低介电损耗10瓦30dB衰减片，其特征在于：包括一尺寸为长5mm、宽2.5mm、厚0.635mm的低介电常数氮化铝陶瓷基板，氮化铝陶瓷基板子的背面印刷有银浆，氮化铝陶瓷基板的正面印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线两端分别连接两个焊盘，银浆导线之间连接5个电阻形成衰减电路，电阻上层通过厚膜印刷有绿色保护膜；通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和电阻值来获得需要的衰减值,通过导线设计的介质感应提高衰减精度以及获得较好的驻波特性；该低介电损耗10瓦30dB衰减片，介电损耗小、衰减精度高，使产品性能指标达到3G频段，可以应用于目前的4G网络。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：苏州市新诚氏电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32