本文所述的实施例大体涉及用于加热基板的设备。所述设备通常包括处理腔室，所述处理腔室具有基板支撑件于所述处理腔室中。多个灯被定位以提供通过光学透明拱形结构的辐射能量至位于所述基板支撑件上的基板。聚光组件位于所述腔室内，用以影响所述基板上的加热及温度分布，并且用以促进在基板上形成具有均匀特性的膜，所述特性比如密度。所述聚光组件能包括一或更多个反射器、光管或折射透镜。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本文所述的实施例大体涉及用于加热基板的设备。所述设备通常包括处理腔室，所述处理腔室具有基板支撑件于所述处理腔室中。多个灯被定位以提供通过光学透明拱形结构的辐射能量至位于所述基板支撑件上的基板。聚光组件位于所述腔室内，用以影响所述基板上的加热及温度分布，并且用以促进在基板上形成具有均匀特性的膜，所述特性比如密度。所述聚光组件能包括一或更多个反射器、光管或折射透镜。【专利说明】用于控制传输穿过锥形石英拱形结构的光的光学系统
本专利技术的实施例大体涉及用于加热基板的设备，比如半导体基板。
技术介绍
半导体基板被处理以用于各种各样的应用，包括集成器件与微器件的制造。处理基板的一种方法包括沉积材料(比如介电材料或导电金属)于基板的上表面上。可通过使工艺气体平行于位于支撑件上的基板的表面流动且将工艺气体热分解以从所述气体沉积材料于基板表面上来在横向流动腔室(lateral flow chamber)中沉积所述材料。因为已加热的基板会促进工艺气体的热分解，所以为了在基板上产生均匀沉积，期望具有均匀的基板温度。基板温度的不均匀可能导致基板上的不均匀材料沉积，这最终会影响最终所制造的器件的性能。 因此，对用于均匀加热基板的设备有需要。
技术实现思路
本文所述的实施例大体涉及用于加热基板的设备。所述设备通常包括处理腔室，所述处理腔室具有基板支撑件于所述处理腔室中。多个灯被定位以提供穿过光学透明拱形结构的辐射能量至位于所述基板支撑件上的基板。聚光组件定位于所述腔室内，用以影响所述基板上的加热及温度分布，并且用以促进在基板上形成具有均匀特性的膜，所述特性比如密度。所述聚光组件能包括一或更多个反射器、光管或折射透镜。 在一个实施例中，处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体包括光学透明拱形结构。基板支撑件设置于所述腔室主体内。多个灯设置成相邻于所述光学透明拱形结构。聚光组件位于所述腔室主体内在所述多个灯与基板之间，所述基板位于所述基板支撑件上。所述聚光组件适用于影响从所述多个灯发射的辐射能量。 在另一实施例中，处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体包括光学透明拱形结构。基板支撑件设置于所述腔室主体内。所述基板支撑件具有从所述基板支撑件延伸的支撑轴，所述支撑轴具有空腔(hollow cavity)于所述支撑轴中。多个灯设置成相邻于所述光学透明拱形结构。聚光组件位于所述腔室主体内在所述光学透明拱形结构与所述基板支撑件之间。所述聚光组件接触所述光学透明拱形结构的上表面，且所述聚光组件适用于影响从所述多个灯发射的辐射能量。 在另一实施例中，光学组件包括多个同心环，所述多个同心环由光学透明材料形成。每一同心环具有空腔于同心环中。反射材料设置于这些同心环的所述空腔内，且多个折射元件耦接相邻的同心环。 【专利附图】【附图说明】 为了能够详细理解本专利技术的上述特征，可通过参考实施例获得以上简要概述的本专利技术的更具体的描述，实施例的一些实施例示于附图中。但是，应注意到，附图只示出本专利技术的典型实施例且因此不应被视为对本专利技术范围的限制，因为本专利技术可允许其他等同效果的实施例。 图1为根据本专利技术的一个实施例的处理腔室的示意截面图。 图2A与图2B为根据本专利技术的一个实施例的聚光组件的示意例示图。 图3A-3D为根据本专利技术的其他实施例的聚光组件的示意例示图。 图4例示根据本专利技术的另一实施例的聚光组件。 图5例示根据本专利技术的另一实施例的聚光组件。 图6例示根据本专利技术的另一实施例的聚光组件。 图7例示根据本专利技术的另一实施例的聚光组件。 图8A与图8B为根据本专利技术的一个实施例的环的立体图。 为了帮助理解，已尽可能使用相同的标记数字来表示附图中共有的相同元件。应了解到，一个实施例的元件与特征可有利地并入其他实施例中，而无需进一步详述。 【具体实施方式】 本文所述的实施例大体涉及用于加热基板的设备。所述设备通常包括处理腔室，所述处理腔室具有基板支撑件于所述处理腔室中。多个灯被定位以提供穿过光学透明拱形结构的辐射能量至位于基板支撑件上的基板。聚光组件位于光学透明拱形结构与基板支撑件之间，用以影响基板上的加热及温度分布，并且用以促进在基板上形成具有均匀特性的膜，所述特性比如密度。聚光组件能包括一或更多个反射器、光管或折射透镜。 图1为根据本专利技术的一个实施例的处理腔室100的示意截面图。处理腔室100可用于处理一或更多个基板，包括沉积材料于基板的上表面上。处理腔室100包括腔室主体101、上拱形结构102，腔室主体101、上拱形结构102由诸如不锈钢、铝、陶瓷(例如石英)或者被涂覆的金属或陶瓷之类的材料形成。处理腔室100也包括下拱形结构104，下拱形结构104由光学透明材料形成，比如石英。下拱形结构104耦接至腔室主体101，或者下拱形结构104是腔室主体101的组成部分(integral part)。基板支撑件106适用于支撑其上的基板108，基板支撑件106设置于处理腔室100内在上拱形结构102与下拱形结构104之间。基板支撑件106稱接至支撑板109并且在基板支撑件106与支撑板109之间形成间隙111。支撑板109由光学透明材料形成，比如石英，以允许来自灯142的辐射能量照射到基板支撑件106上且加热基板支撑件106至期望的处理温度。基板支撑件106由碳化硅或涂覆有碳化硅的石墨形成，以吸收来自灯142的辐射能量并且将辐射能量传导至基板108。 基板支撑件106被图示成在升高的处理位置中，但可由致动器112垂直致动至处理位置之下的装载位置，以允许升降销I1接触下拱形结构104并且将基板108从基板支撑件106举起。然后机械手(未图示)可进入处理腔室100，以从处理腔室100通过开口114(比如狭缝阀)接合并且移除基板108。基板支撑件106也适于在处理期间通过致动器112来旋转，以促进基板108的均匀处理。 基板支撑件106位于处理位置中时，基板支撑件106将处理腔室100的内部容积分成工艺气体区域116与净化气体区域118。当基板支撑件106位于处理位置中时，工艺气体区域116包括位于上拱形结构102与基板支撑件106的平面120之间的内部腔室容积。净化气体区域118包括位于下拱形结构104与平面120之间的内部腔室容积。 供给自净化气源122的净化气体通过净化气体入口 124被引入至净化气体区域118，净化气体入口 124形成在腔室主体101的侧壁内。净化气体沿着流动路径126横向流动横越支撑件106的背面，且净化气体从净化气体区域118通过净化气体出口 128而被排出，净化气体出口 128位于处理腔室100的与净化气体入口 124相对的侧上。耦接到净化气体出口 128的排气泵130促进净化气体从净化气体区域118移除。 供给自工艺气体供给源132的工艺气体通过工艺气体入口 134而引入至工艺气体区域116，工艺气体入口 134形成在腔室主体101的侧壁中。工艺气体沿着流动路径136横向流动横越基板108的上表面。工艺气体通过工艺气体出口 138而离开工艺气体区域116，工艺气体出口 138位于处理腔室100的与工艺气体入口 134相对的侧上。通过耦接到工艺气体出口 138的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种处理腔室，包括：腔室主体，所述腔室主体包括光学透明拱形结构；基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述腔室主体内；多个灯，所述多个灯设置成相邻于所述光学透明拱形结构；及聚光组件，所述聚光组件定位于所述腔室主体内在所述多个灯与基板之间，所述基板位于所述基板支撑件上，所述聚光组件适用于影响从所述多个灯发射的辐射能量。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：约瑟夫·M·拉内什，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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