发光器件制造技术

本发明专利技术公开了一种发光器件。该发光器件包括：衬底；在衬底上的发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；在第二导电半导体层上的反射电极；在反射电极上的第一凸块；以及在反射电极与第一凸块之间的第一防剥离层。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种发光器件。该发光器件包括：衬底；在衬底上的发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；在第二导电半导体层上的反射电极；在反射电极上的第一凸块；以及在反射电极与第一凸块之间的第一防剥离层。【专利说明】发光器件 相关申请的交叉引用 本申请要求韩国专利申请第10-2013-0064394号（2013年6月5日提交的）的优 先权，其全部内容通过引用并入本文。
本实施方案涉及一种发光器件。 本实施方案涉及一种发光器件封装件。
技术介绍
已经积极展开对于具有发光器件的发光器件封装件的研究。 由例如半导体材料制成的发光器件是用于将电能转换为光能的半导体发光器件 或半导体发光二极管。 当与常规光源例如荧光灯和白炽灯相比时，半导体发光器件具有低能耗、半永久 寿命、快速响应速度、安全和环境友好性能的优点。在这点上，已经进行各种研究以利用LED 取代常规光源。 发光器件或发光器件封装件越来越多地用作用于照明装置的光源，所述照明装置 例如在室内和室外使用的各种灯、液晶显示器、电子标识牌以及街灯。
技术实现思路
本实施方案提供了一种能够提高器件的可靠性的发光器件。 本实施方案提供了一种能够防止电极剥离的发光器件。 本实施方案提供了 一种能够提高光效率的发光器件。 根据实施方案，提供了一种发光器件，该发光器件包括：衬底；在衬底上的发光结 构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；在第二导电半导体层 上的反射电极；在反射电极上的第一凸块；以及在反射电极与第一凸块之间的第一防剥离 层。 根据实施方案，提供了一种发光器件封装件，该发光器件封装件包括：具有腔的本 体；在腔中的第一电极层和第二电极层；在第一电极层和第二电极层上的发光器件；以及 包围发光器件的模制构件。 根据实施方案，由于在反射电极与电极焊盘之间形成防剥离层，使得通过防剥离 层防止了反射电极剥离，所以可以提高可靠性。 根据实施方案，由于电极焊盘与防剥离层的外侧电连接或者通过穿过防剥离层与 反射电极电连接，所以即使形成有防剥离层也可以容易地供应功率。 根据实施方案，由于凸块与多个电极焊盘电连接，所以可以向发光器件的整个区 域快速的供应电流，使得可以提高光效率。 【专利附图】【附图说明】 图1是示出了根据第一实施方案的发光器件的平面图。 图2是示出了沿着图1的线H-H'截取的发光器件的截面图。 图3是示出了沿着图1的线Ι-Γ截取的发光器件的截面图。 图4是示出了图1中示出的防剥离层的宽度与防剥离层的周边的宽度之间的关系 的图。 图5是示出了根据第二实施方案的发光器件的截面图。 图6是示出了图5的防剥离层的平面图。 图7是示出了根据第三实施方案的发光器件的截面图。 图8是示出了根据实施方案的发光器件封装件的截面图。 【具体实施方式】 在实施方案的描述中，应该理解，当元件被称为在另一元件"上（下）或下（上）" 时，该元件它可以直接在另一元件上或者存在至少一个中间元件。此外，当表达为"向上 (向下）或向下（向上）"时，其可以包括基于该一个元件的向上方向以及向下方向。 图1是示出了根据第一实施方案的发光器件的平面图，图2是示出了沿着图1的 线H-H'截取的发光器件的截面图，以及图3是示出了沿着图1的线Ι-Γ截取的发光器件 的截面图。 参照图1至图3,根据第一实施方案的发光器件1可以包括生长衬底2、发光结构 12、反射电极14以及第一凸块和第二凸块。 根据第一实施方案的发光器件1可以是倒装芯片型发光器件，但是第一实施方案 不限于此。 根据第一实施方案的发光器件1还可以包括多个第一电极焊盘18和多个第二电 极焊盘20,但是第一实施方案不限于此。 根据第一实施方案的发光器件1还可以包括第一凸块焊盘28和第二凸块焊盘30， 但是第一实施方案不限于此。 根据第一实施方案的发光器件1还可以包括缓冲层4,但是第一实施方案不限于 此。 根据第一实施方案的发光器件1还可以包括设置在发光结构12上和/或下的至 少一个化合物半导体层，但是第一实施方案不限于此。 缓冲层4和发光结构12可以由第II-VI族化合物半导体材料或第III-V族化合物 半导体材料形成。例如，缓冲层4和发光结构I2可以包括选自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、 AIN、InN和AlInN中的至少一种，但是实施方案不限于此。 将生长衬底2用于在生长发光结构12的同时支承发光结构12。生长衬底2可以 包括适合于生长半导体材料的材料。生长衬底2可以包括具有热稳定性和晶格常数与发光 结构12的晶格常数近似的材料。生长衬底2可以是导电衬底、化合物半导体衬底和绝缘衬 底之一，但是实施方案不限于此。 生长衬底2可以包括选自蓝宝石 中的至少一种。 生长衬底2可以包括使得生长衬底2具有导电性的掺杂剂，但是实施方案不限于 此。包括掺杂剂的生长衬底2可以用作电极层，但是实施方案不限于此。 缓冲层4可以置于生长衬底2与发光结构12之间，但是实施方案不限于此。 缓冲层4可以减少生长衬底2与发光结构I2的晶格常数之差。此外，缓冲层4可 以防止生长衬底2的材料被扩散到发光结构12中，防止回熔现象（如在生长衬底2的顶表 面上形成凹部），或者通过控制应变来防止生长衬底2破裂，但是实施方案不限于此。 可以在生长衬底2上形成缓冲层4,并且可以在缓冲层4上形成发光结构12。艮p, 可以在生长衬底2与发光结构12之间形成缓冲层4。 发光结构12可以形成在缓冲层4上。由于发光结构12生长在具有与发光结构12 的晶格常数类似的晶格常数的缓冲层4上，所以可以减少缺陷，例如位错。 发光结构12可以包括多个化合物半导体层。 例如，发光结构12可以包括至少第一导电半导体层6、有源层8和第二导电半导体 层10,但是实施方案不限于此。 有源层8可以设置在第一导电半导体层6上，并且第二导电半导体层10可以设置 在有源层8上。 第一导电半导体层6、有源层8和第二导电半导体层1〇可以通过利用具有 AlxInyGa"-x_y>N(0彡X彡1，〇彡y彡1，〇彡 x+y彡D的组成式的第η，族或第m_v族 化合物半导体材料实现。例如，第一导电半导体层6、有源层8和第二导电半导体层1〇可以 包括选自11^16&163?'^163111!631''^1]''1、1_和411議中的至少一种，但是实施方案不限 于此。 例如，第一导电半导体层6可以是包括N型掺杂剂的N型半导体层，第二导电半导 体层10可以是包括P型掺杂剂的P型半导体层，但是实施方案不限于此。N型掺杂剂包括 Si、Ge和Sn，P型掺杂剂包括Mg、Zn、Ca、Sr和Ba，但是实施方案不限于此。 有源层8通过第一载流子（例如，通过第一导电半导体层6注入的电子）与第二 载流子（例如，通过弟_导电半导体层10注入的空穴）的复合而发射具有与构成有源层8 的材料之间的能带隙对应的波长的光。 有源层8可以包括MQW(多量子阱）结构、量子线结构或量子点结构之一。有源层 8可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：衬底；在所述衬底上的发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；在所述第二导电半导体层上的反射电极；在所述反射电极上的第一凸块；以及在所述反射电极与所述第一凸块之间的第一防剥离层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔锡范，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR