气体反应连续腔及气体反应方法技术

本发明专利技术提供一种气体反应连续腔以及使用该气体反应连续腔的气体反应方法，该气体反应连续腔包含有依序排列的一预热腔室、一反应腔室及一冷却腔室，各个该腔室位于二隔离装置之间，该数个隔离装置使该数个腔室能呈气密状态，一输送装置位于该数个腔室及隔离装置内，用以带动一受反应物移动进而通过该数个腔室，该数个腔室分别设置用以朝向受反应物的顶面作用而调整其温度的上加热器，反应腔室及冷却腔室分别具有一反应气体输入口；藉此，本发明专利技术可使受反应物进行气体反应且具有良好之效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种气体反应连续腔以及使用该气体反应连续腔的气体反应方法，该气体反应连续腔包含有依序排列的一预热腔室、一反应腔室及一冷却腔室，各个该腔室位于二隔离装置之间，该数个隔离装置使该数个腔室能呈气密状态，一输送装置位于该数个腔室及隔离装置内，用以带动一受反应物移动进而通过该数个腔室，该数个腔室分别设置用以朝向受反应物的顶面作用而调整其温度的上加热器，反应腔室及冷却腔室分别具有一反应气体输入口；藉此，本专利技术可使受反应物进行气体反应且具有良好之效率。【专利说明】
本专利技术是与用以进行气体反应(例如硒化反应)的装置有关，特别是关于一种。
技术介绍
在半导体制程中，时常包含有进行气体反应的步骤，例如CIGS (Copper IndiumGal I ium Se I eni de )太阳能电池中的铜铟镓硒玻璃板，其玻璃基板溅镀铜、铟、镓、硒等材料后，需加热至能使硒产生气体反应(亦即硒化反应)的温度，以于玻璃基板上合成出CIGS半导体薄膜。 现有的进行气体反应的方式，是将已镀有反应材料的基板设置于一呈真空状态或设有特定气体(例如氮气)的封闭腔室内，且该腔室内设有加热器(例如红外线加热器)，然后，先将基板温度从室温升高到气体反应所需的温度(例如硒化反应需达摄氏500?550度)，且升温速度不可过快以免基板破裂，气体反应完成之后，需先将基板逐渐降温到摄氏200度以下，才能将基板自该腔室取出，以避免基板因与室温的温差过大而破裂。 然而，前述过程相当费时，而且，该腔室内必须依序完成加热、反应及冷却的步骤后，才能再对另一基板重复进行同样的过程，因此其效率不佳而仍有待改进。
技术实现思路
有鉴于上述缺失，本专利技术的主要目的在于提供一种气体反应连续腔，以及一种使用该气体反应连续腔的气体反应方法，可对受反应物进行加热、气体反应及冷却的步骤，且具有良好的效率。 为达成上述目的，本专利技术所提供的气体反应连续腔包含有至少三腔室、至少四隔离装置以及一位于该数个腔室及该数个隔离装置内的输送装置，各个该腔室位于二该隔离装置之间，藉以使该数个腔室能呈气密状态。该输送装置具有一前端、一后端以及能供该隔离装置穿过的至少四空隙，该输送装置用以设置一受反应物，并带动该受反应物朝向该前端移动进而通过该数个腔室。其中，该数个腔室包含有依序排列的一预热腔室、一反应腔室及一冷却腔室，该预热腔室、该反应腔室及该冷却腔室分别设置一位于该输送装置上方的上加热器，用以朝向该受反应物的一顶面作用而调整该受反应物的温度，该反应腔室及该冷却腔室分别具有一反应气体输入口。 本专利技术所提供的使用如前述的气体反应连续腔的气体反应方法包含有下列步骤:a)将一受反应物设置于该输送装置，该受反应物的顶面具有反应材料；b)在该预热腔室内将该受反应物加热至第一温度；c)使该受反应物进入该反应腔室，该反应腔室内设有反应气体；d)将该受反应物加热至一能使该反应材料产生气体反应的第二温度；e)使该受反应物进入该冷却腔室，该冷却腔室内设有反应气体；以及f)将该受反应物冷却至第三温度。 藉此，该受反应物依序在预热腔室、反应腔室及冷却腔室分别进行加热、气体反应及冷却的步骤，而且，完成气体反应的受反应物通过反应腔室及冷却腔室的过程中，该反应腔室及该冷却腔室内的反应气体可避免受反应物上仍为气态的反应材料过度散逸。如此一来，该气体反应连续腔及该气体反应方法不但可使受反应物的气体反应效果良好；而且，预热腔室、反应腔室及冷却腔室内的加热器可分别维持在符合其功能的温度，因而可较快速地将受反应物调节至各阶段所需的温度；再者，预热腔室、反应腔室及冷却腔室可同时分别供不同的受反应物进行不同的步骤，意即，不需等到一受反应物完成所有步骤才让另一受反应物开始进行该数个步骤，因此，本专利技术所提供的具有较现有者更高的效率。 有关本专利技术所提供的的详细构造、特点、组装或使用方式，将于后续的实施方式详细说明中予以描述。然而，在本专利
中具有通常知识者应能了解，该数个详细说明以及实施本专利技术所列举的特定实施例，仅系用于说明本专利技术，并非用以限制本专利技术的专利申请范围。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术第一较佳实施例所提供的气体反应连续腔的示意图，显示一受反应物位于该气体反应连续腔的一预热腔室，且该气体反应连续腔的一遮盖装置的盖体位于一顶高位置； 图2为图1的局部放大图，显示该遮盖装置的盖体位于一遮盖位置，且该受反应物是受:该盖体遮盖； 图3至图6类同于图1，分别显示使用该气体反应连续腔的气体反应方法的不同步骤；以及图7为本专利技术第二较佳实施例所提供的气体反应连续腔的示意图。 【具体实施方式】 请先参阅图1，本专利技术第一较佳实施例所提供的气体反应连续腔10包含有一输送装置12，以及依序连接的一第一隔离装置14、一预热腔室16、一第二隔离装置18、一反应腔室20、一第三隔离装置22、一冷却腔室24及一第四隔离装置26，且该输送装置12位于该数个腔室16、20、24及该数个隔离装置14、18、22、26内。 该输送装置12具有一前端122及一后端124，该输送装置12用以设置一受反应物28，且主要用以带动该受反应物28朝向该前端122移动进而通过该数个腔室16、20、24 ;然而，该输送装置12亦可(但不限于)具有能带动该受反应物28朝向该后端122移动的功能。 在本实施例中，该输送装置12包含有多数平行排列的圆柱126，该数个圆柱126的材质可为(但不限于)能耐高温的石英陶瓷，每两相邻圆柱126之间具有一空隙128，该数个圆柱126朝顺时针方向旋转时能带动该受反应物28朝向该前端122移动，该数个圆柱126朝逆时针方向旋转时能带动该受反应物28朝向该后端124移动。 该第一隔离装置14、该第二隔离装置18、该第三隔离装置22及该第四隔离装置26分别包含有一气密阀门30及一风刀单元32，各个该气密阀门30关闭时穿过该输送装置12的空隙128，各个该腔室16、18、24在其二侧的气密阀门30皆关闭时呈气密状态，各个该气密阀门30开启时可供受反应物28通过，该数个风刀单元32用以使该数个腔室16、20、24即使在气密阀门30开启时仍不相互连通且亦不与外部环境连通，以避免影响各个该腔室16、20,24内的温度及气体浓度。该气密阀门30及该风刀单元32皆具有能使腔室16、18、24呈气密状态的功能，因此各个该隔离装置14、18、22、26只要包含有该气密阀门30及该风刀单元32 二者至少其中之一即可。 该预热腔室16、该反应腔室20及该冷却腔室24原先呈真空状态，或者亦可充以氮气。此外，该反应腔室20及该冷却腔室24分别具有一反应气体输入口 202、242，用以供一反应气体源(图中未示)利用饱和蒸气压而将反应气体(例如，欲进行硒化反应时，该反应气体即为硒蒸气)输入至反应腔室20及冷却腔室24。值得一提的是，在各个该腔室16、20、24原先已充设氮气的情况下，反应气体需先与氮气混合，以利用氮气作为携带气体(carriergas)而一同与反应气体自各该反应气体输入口 202、242输入至反应腔室20及冷却腔室24。 该预热腔室16、该反应腔室20及该冷却腔室24分别设置数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体反应连续腔，其特征在于，包含有：至少三腔室及至少四隔离装置，各个该腔室位于二该隔离装置之间，藉以使该数个腔室能呈气密状态；以及一输送装置，位于该数个腔室及该数个隔离装置内，该输送装置具有一前端、一后端以及能供该隔离装置穿过的至少四空隙，该输送装置用以设置一受反应物，并带动该受反应物朝向该前端移动进而通过该数个腔室；其中，该数个腔室包含有依序排列的一预热腔室、一反应腔室及一冷却腔室，该预热腔室、该反应腔室及该冷却腔室分别设置一位于该输送装置上方的上加热器，用以朝向该受反应物的一顶面作用而调整该受反应物的温度，该反应腔室及该冷却腔室分别具有一反应气体输入口。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾昭隆，廖科峰，邱文鼎，赵子铭，黄世壬，汪宇炎，黎胜，何文福，
申请(专利权)人：生阳新材料科技宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33