含氮杂环化合物和包含其的有机电子器件制造技术

提供了一种含氮杂环化合物和一种由其制备的有机电子器件。本说明书的有机电子器件就效率、驱动电压和寿命而言具有优异的性质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】提供了一种含氮杂环化合物和一种由其制备的有机电子器件。本说明书的有机电子器件就效率、驱动电压和寿命而言具有优异的性质。【专利说明】含氮杂环化合物和包含其的有机电子器件
本专利技术涉及一种新的含氮杂环化合物和并且涉及一种包含该含氮杂环化合物的 有机电子器件。本申请要求于2012年7月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请 第10-2012-0064915号的权益，其公开全文以引用的方式纳入本说明书。本申请还要求于 2013年4月22日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2013-00444496号的权益， 其公开全文以引用的方式纳入本说明书。
技术介绍
如此处所使用，术语"有机电子器件"是指一种需利用空穴和/或电子，在电极与 有机材料之间进行电荷交换的器件。有机电子器件根据操作原理主要分为以下两种类型。 一种类型为具有以下构型的电子器件：其中由外部光源进入器件的光子在有机材料层中形 成激子（exctions)，随后分离为电子及空穴，所述电子及空穴传输至不同电极以产生电流 (电压来源）；另一种类型为具有以下构型的电子器件：其中电压或电流被施加于两个或多 个电极，以将空穴和/或电子注入至位于两电极之间界面上的有机半导体中，且此器件是 利用注入的电子及空穴而操作。 上述有机电子器件的实例包含有机发光器件、有机太阳能电池、有机光导体 (0PC)、有机晶体管等，其均需要空穴注入材料或空穴传输材料、电子注入材料或电子传输 材料或发光材料，以驱动此器件。在下文中，将主要并且具体描述该有机发光器件，但上述 提及的有机电子器件中，空穴注入材料、空穴传输材料、电子注入材料、电子传输材料以及 发光材料根据类似的原理起作用。 一般而言，术语"有机发光现象"是指利用有机材料将电能转换为光能的现象。利 用该有机发光现象的有机发光器件具有含有阳极、阴极和插入其中的有机材料层的结构。 在此，有机层通常具有由不同材料制成的多个层组成的多层结构以提高有机发光器件的效 率及稳定性。例如，该有机材料层由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注 入层等组成。在具有该结构的有机发光器件中，当在两电极间施加电压时，来自阳极的空穴 与来自阴极的电子将注入至有机材料层，且该注入的空穴及电子彼此结合形成激子。当随 后激子回到基态时，将发光。此类有机发光器件是已知的并且具有以下特征：包括自发光 性、高亮度、高效率、低驱动电压、广视角、高对比度及高速响应特性。 在有机发光器件中用于有机材料层的材料根据功能可分为发光材料及电荷传输 材料，例如空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料、电子注入材料等。此外，发光材料 根据发光颜色可以分为蓝光材料、绿光材料及红光材料，并且另外分为黄光材料和橙光材 料，需要黄光材料和橙光材料以实现更自然的色彩。同时，当单一材料用作发光材料时，通 过内部分子作用而使波峰发光波长位移至更长的波长，由于发光衰减而使器件的颜色纯度 或效率降低。因此，为通过能量转移而提高颜色纯度及提高发光效率，可将主体/掺杂物 (dopant)体系用作发光材料。 为使有机发光器件充分地呈现上述优异特性，器件中构成有机层的材料例如空穴 注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料等应使用稳定且高效的 材料支撑。然而，用于有机发光器件中的稳定且高效的有机层材料的开发仍不足。因此，需 要不断开发用于有机发光器件的新材料，并且还需要开发用于如上所述的其他有机电子器 件的新材料。 现有抟术f献 韩国专利特许公开第10-2006-0051606号
技术实现思路
技术问题 本专利技术人已经发现一种具有新结构的含氮杂环化合物。本专利技术人还已经发现当 形成含有新含氮杂环化合物的有机电子器件的有机材料层时，该新化合物具有提高器件效 率、降低器件驱动电压和提高器件稳定性的效果。 因此，本专利技术的目的是提供一种含氮杂环化合物以及包含其的有机电子器件。 技术方案 本专利技术的一个实施方案提供一种如下式1所表示的含氮杂环化合物： 式 1 【权利要求】1. 一种由以下式1所表示的含氮杂环化合物： 式1 其中Rl至R5中的一个或多个各自独立地由-L-A表示，其中L为直接键或二价基团，所述二 价基团包含一种或多种选自取代或未取代的芳族环基和取代或未取代的杂环基的基团，并 且A为包含一个或多个N原子的取代或未取代的单环杂环基； 其余的Rl至R5选自氢、氘、卤素基团、腈基、硝基、羟基、取代或未取代的烷基、取代或 未取代的环烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷硫氧 基、取代或未取代的芳硫氧基、取代或未取代的烷基亚硫酰基、取代或未取代的芳基亚硫酰 基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硼基、取代或未取代 的烷胺基、取代或未取代的芳烷胺基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的杂芳胺基、 取代或未取代的芳基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基，和包含至少一种选自 N、O和S杂原子的取代或未取代的杂环基； a、b、d和e各自独立为1至4的整数； 且c为1至3的整数。2. 权利要求1的含氮杂环化合物，其中式1中的A选自取代或未取代的吡啶基、取代 或未取代的嘧啶基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的三嗪 基、取代或未取代的四嗪基和五嗪基。3. 权利要求1的含氮杂环化合物，其中式1中的L选自取代或未取代的亚苯基、取代或 未取代的联苯基、取代或未取代的萘基和取代或未取代的蒽基。4. 权利要求1的含氮杂环化合物，其中式1中的-L-A为以下取代基1-1至1-21中的 任一个：5.权利要求1的含氮杂环化合物，其中式1所示化合物由下式1-1至1-35中的任一个 表不：6. -种由以下式2所表示的含氮杂环化合物： 式2 其中，X为C或Si ; R6至RlO中的一个或多个各自独立地为包含一个或多个N原子的取代或未取代的单环 杂环基； 其余的R6至RlO选自氢、氘、卤素基团、腈基、硝基、羟基、取代或未取代的烷基、取代或 未取代的环烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷硫氧 基、取代或未取代的芳硫氧基、取代或未取代的烷基亚硫酰基、取代或未取代的芳基亚硫酰 基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硼基、取代或未取代 的烷胺基、取代或未取代的芳烷胺基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的杂芳胺基、 取代或未取代的芳基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基、以及包含至少一个选 自N、O和S的杂原子的取代或未取代的杂环基； a'、b'、d'和e'各自独立为1至4的整数； 且c'为1至3的整数。7. 权利要求6的含氮杂环化合物，其中式2的R6至RlO中的一个或多个各自独立地选 自取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代 的吡嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的四嗪基，和五嗪基。8. 权利要求6的含氮杂环化合物，其中式2的R6至RlO中的一个或多个各自独立地为 以下取代基2-1至2-21中的任一个：9.权利要求6的含本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种由以下式1所表示的含氮杂环化合物：式1其中R1至R5中的一个或多个各自独立地由‑L‑A表示，其中L为直接键或二价基团，所述二价基团包含一种或多种选自取代或未取代的芳族环基和取代或未取代的杂环基的基团，并且A为包含一个或多个N原子的取代或未取代的单环杂环基；其余的R1至R5选自氢、氘、卤素基团、腈基、硝基、羟基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷硫氧基、取代或未取代的芳硫氧基、取代或未取代的烷基亚硫酰基、取代或未取代的芳基亚硫酰基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硼基、取代或未取代的烷胺基、取代或未取代的芳烷胺基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的杂芳胺基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基，和包含至少一种选自N、O和S杂原子的取代或未取代的杂环基；a、b、d和e各自独立为1至4的整数；且c为1至3的整数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴胎润，千民承，洪性佶，李东勋，金东宪，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR