装备有具有温度管理的灯头的基板处理系统技术方案

在此提供处理基板的设备。在一些实施方式中，在基板处理中所使用的灯头包括具有轮廓表面的单块构件；位于轮廓表面中的多个反射腔，其中每一个反射腔都具有作为反射镜或接收灯的可替换反射镜的形状；和多个灯通道，其中每一个灯通道都从多个反射腔之一延伸至单块构件中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】在此提供处理基板的设备。在一些实施方式中，在基板处理中所使用的灯头包括具有轮廓表面的单块构件；位于轮廓表面中的多个反射腔，其中每一个反射腔都具有作为反射镜或接收灯的可替换反射镜的形状；和多个灯通道，其中每一个灯通道都从多个反射腔之一延伸至单块构件中。【专利说明】装备有具有温度管理的灯头的基板处理系统
本专利技术的各实施方式大体涉及热基板处理系统。
技术介绍
-些处理基板的方法（例如外延沉积处理）可能对于处理腔室的处理环境中的温 度敏感。例如，可能影响处理环境的温度的一个或更多个部件可能是腔室壁和/或表面，在 这些位置处可与处理环境进行热交换。 因此，本专利技术人提供用于基板处理系统的加热和温度管理的改良设备。
技术实现思路
在此提供处理基板的设备。在一些实施方式中，在基板处理中所使用的灯头包括 具有轮廓（contoured)表面的单块构件（monolithic member);位于所述轮廓表面中的多 个反射腔（reflector cavities)，其中每一个反射腔都具有作为反射镜或接收灯的可替换 反射镜的形状；和多个灯通道，其中每一个灯通道从多个反射腔之一延伸至单块构件中。 在一些实施方式中，一种处理基板的设备包括具有处理容积的处理腔室；使处理 容积与外部容积分离并具有轮廓外表面的拱形结构（dome);和位于外部容积中并经配置 以通过所述拱形结构提供能量至处理容积的灯头，所述灯头进一步包括单块构件，所述单 块构件具有实质上与拱形结构的轮廓外表面匹配的第一轮廓表面；位于第一轮廓表面中的 多个反射腔，其中每一个反射腔都具有作为反射镜或接收灯的可替换反射镜的形状；和多 个灯通道，其中每一个灯通道都从多个反射腔之一延伸至单块构件中。 在一些实施方式中，所述设备进一步包括多个冷却通道，这些冷却通道位于单块 构件中并靠近于多个灯通道。 以下叙述本专利技术的其他和进一步的实施方式。 【专利附图】【附图说明】 可通过参照在附图中所描绘的本专利技术的说明性实施方式来理解以上简要概述并 于以下更加详细讨论的本专利技术的各实施方式。然而，要注意这些附图仅图示本专利技术的典型 实施方式，因此不被视为对本专利技术范围的限制，因为本专利技术可以允许其他等效的实施方式。 图1A描绘根据本专利技术的一些实施方式的基板处理系统的示意图。 图1B描绘根据本专利技术的一些实施方式的基板处理系统的局部示意图。 图2描绘根据本专利技术的一些实施方式的灯头的由上往下示意图。 图3描绘根据本专利技术的一些实施方式的灯头的一部分的侧视截面图。 图4描绘根据本专利技术的一些实施方式的灯头的一部分的侧视截面图。 图5描绘根据本专利技术的一些实施方式的灯头的一部分的侧视截面图。 图6描绘根据本专利技术的一些实施方式的灯头的由上往下示意图。 图7描绘根据本专利技术的一些实施方式的灯头的由上往下示意图。 图8描绘根据本专利技术的一些实施方式的灯头的一部分的侧视截面图。 图9描绘根据本专利技术的一些实施方式的灯头的由上往下示意图。 图10描绘根据本专利技术的一些实施方式的灯头的一部分的侧视截面图。 图11描绘根据本专利技术的一些实施方式的灯头的由上往下示意图。 图12描绘根据本专利技术的一些实施方式的灯头的一部分的侧视截面图。 为了便于理解，已经尽可能地使用相同的参考数字来标示各图中共有的相同元 件。这些附图并未按比例绘制，并可能为了清楚而简化。预期一个实施方式的这些元件和 特征结构可以有利地并入其他实施方式中，而无需进一步详述。 【具体实施方式】 在此提供处理基板的设备。本专利技术的设备包括灯头，所述灯头可以有利地作为热 源以加热位于处理腔室中的基板以及作为散热器（heat sink)以从处理腔室移除热。据此， 本专利技术的设备可以有利地调节处理腔室的一个或更多个部件的温度，诸如邻近于灯头的下 方拱形结构和/或处理腔室的处理环境，同时提供热至处理腔室用于处理基板。以下讨论 本专利技术的设备的其他和进一步的实施方式。 在此披露的本专利技术的方法的实施方式可于任何适当的处理腔室中使用，包括那些 适合执行外延沉积处理的腔室，诸如可从California(加利福尼亚州）的Santa Clara(圣 克拉拉市）的Applied Materials, Inc.(应用材料公司）购得的RPEPI?反应器。使用 灯提供热的其他处理腔室也可以从根据在此提供的教导的修改获得益处。以下针对图1描 述示例性的处理腔室，图1描绘半导体基板处理腔室100的示意性截面图，处理腔室100适 合执行本专利技术的部分。在一些实施方式中，处理腔室1〇〇可适用于执行如以上讨论的外延 沉积处理，处理腔室100说明性地包括腔室主体110、支撑系统130和控制器140。腔室主 体110 -般而言包括上方部分102、下方部分104和壳体120,上方部分102具有第一内容 积103,下方部分104具有第二内容积105。第一内容积103和第二内容积105可包括腔室 的处理容积。图1描绘的处理腔室仅用于举例说明，而本专利技术的方法同样可以在其他处理 腔室中被有利地使用，包括那些经配置以处理不同于外延沉积处理的那些处理腔室。 真空系统123可耦接至腔室主体110,以便于在腔室主体110内维持所需压力。在 一些实施方式中，真空系统123可包括节流阀和真空泵119,用以排空处理腔室110。在一 些实施方式中，可以通过调整节流阀和/或真空泵119来调节腔室主体110内部的压力。 上方部分102位于下方部分104上，并且上方部分102包括盖106、夹环108、衬垫 116、底板112和上方高温计156。在一些实施方式中，盖106具有类拱形结构形状因子（例 如，图1中的上方拱形结构162);然而，也考虑到具有其他形状因子的盖（例如，平坦或反 向曲线（reverse-curve)盖）。下方部分104 f禹接至第一气体入口 114和排气口 118,并且 下方部分104包括下方夹环121、下方拱形结构132、基板支撑件124、基板升降组件160、基 板支撑组件164、预热环122、灯头152和下方高温计158。虽然使用术语"环"来描述处理 腔室的某些部件，诸如用于描述预热环122或基座环131 (于以下讨论），但也考虑到这些部 件的形状不需要为圆形并可以包括任意形状，包括但不限于矩形、多边形、椭圆形和类似形 状。气源117可耦接至腔室主体110,以向腔室主体110提供一种或更多种处理气体。在一 些实施方式中，净化器（purifier) 115可耦接至气源117,以在一种或更多种处理气体进入 腔室主体110之前进行过滤或净化。 如图1A至图1B所示的灯头152可包括具有轮廓表面155的单块构件154。在一 些实施方式中并且如图所示，轮廓表面155实质上可以与下方拱形结构132的轮廓外表面 157相匹配。轮廓表面155与轮廓外表面157的匹配例如可以促进沿着下方拱形结构132 的半径的均匀加热和/或热移除。单块构件154可以由具有高效率热传导性的材料所形成。 在一些实施方式中，这些材料可以包括不锈钢、铜或铝的至少一种。这些材料的热传导性可 大约为l〇-l〇〇〇W/mK，或在一些本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在基板处理中使用的灯头，所述灯头包括：单块构件，所述单块构件具有轮廓表面；多个反射腔，所述反射腔位于所述轮廓表面中，其中每一个反射腔都具有作为反射镜或接收灯的可替换反射镜的形状；和多个灯通道，其中每一个灯通道都从所述多个反射腔之一延伸至所述单块构件中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：约瑟夫·M·拉内什，保罗·布里尔哈特，萨瑟施·库珀奥，东明·尤，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US