晶片蚀刻系统和使用所述晶片蚀刻系统的晶片蚀刻方法技术方案

本发明专利技术公开了一种晶片蚀刻系统和使用该晶片蚀刻系统的晶片蚀刻方法，所述晶片蚀刻系统和晶片蚀刻方法能够平稳地制造和输送薄晶片。本发明专利技术包括：晶片磨削装置，所述晶片磨削装置用于机械蚀刻晶片；对准器，所述对准器用于将来自晶片磨削装置的蚀刻晶片对准；干蚀刻装置，所述干蚀刻装置用于再次蚀刻通过对准器对准的晶片；晶片输送装置，所述晶片输送装置用于在对准器与干蚀刻装置之间输送晶片；和贴带装置，所述贴带装置用于在具有由干蚀刻装置完成蚀刻的晶片上执行贴带。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术公开了一种晶片蚀刻系统和使用该晶片蚀刻系统的晶片蚀刻方法，所述晶片蚀刻系统和晶片蚀刻方法能够平稳地制造和输送薄晶片。本专利技术包括：晶片磨削装置，所述晶片磨削装置用于机械蚀刻晶片；对准器，所述对准器用于将来自晶片磨削装置的蚀刻晶片对准；干蚀刻装置，所述干蚀刻装置用于再次蚀刻通过对准器对准的晶片；晶片输送装置，所述晶片输送装置用于在对准器与干蚀刻装置之间输送晶片；和贴带装置，所述贴带装置用于在具有由干蚀刻装置完成蚀刻的晶片上执行贴带。【专利说明】
本专利技术涉及一种，并且更具体而言，涉及下述的一种晶片蚀刻系统，所述晶片蚀刻系统通过在传统的晶片磨削器与贴带装置之间串联地安装干蚀刻室和输送室能够平稳地制造和输送薄晶片，所述贴带装置连接到用于保护和运送晶片的保护带并连接到用于切割晶片的带。
技术介绍
电子装置的小型化和高功能性应该通过集成电路的制造工艺来支持，并且薄晶片的制造工艺基本上是为了该目的而需要的。 通常，为了将晶片的厚度减小到30 μ m或者更薄，首先执行机械方法中的磨削电路板背面的背面磨削工序，并且执行化学机械抛光(CMP)工序以减小晶片的厚度。 然而，所述方法不仅具有由于机械接触和摩擦热造成晶片破裂、翘曲和热损坏的问题，而且在施加小撞击时还具有造成破裂的表面残余应力。 此外，随着晶片的厚度减小，诸如晶片运送、过程复杂等的问题会引起制造成本的增加。 因此，正在研发下述方法，根据该方法，在保护膜以特定厚度(即，ΙΟΟμπι至200 μ m)连接到晶片的具有电路的表面的同时执行机械磨削，然后执行干刻蚀以减小厚度。 根据通常的干刻蚀工序，在几豪托(mTorr)至几百豪托的低压力下使用为CxFy气体或SxFy气体的主反应气体和为N2、Ar、02等的副气体的等离子源被应用于上部区域，并且几十KHz至GHz的RF功率单独地施加到下部夹头，以产生引起化学反应的等离子，从而执行晶片刻蚀工序。 然而，通过传统设备执行的上述蚀刻工序为低压力工序，使得对厚晶片的蚀刻速度低，而降低生产率。 另外，用于使晶片非常薄的蚀刻工序中的一个重要因素是蚀刻工序中产生的高温。在传统的蚀刻工序中，为了冷却在所述工序中被加热的晶片，使用静电夹头(ESC)。在该蚀刻工序中，用于冷却晶片的技术在每一个工序中的指标均不同，使得对于每一个晶片蚀刻设备应用不同的夹头设计。 传统地，夹头具有圆盘形状，所述圆盘形状具有多个沟槽或者具有多个孔，以经由沟槽或多孔施加氦气，以便冷却加热的晶片。 另一方面，当通过将RF功率施加到传统夹头上产生等离子时，存在在晶片与微小多孔或沟槽之间的空间中产生不希望有的等离子的问题，从而频繁损坏晶片。 另外，与厚晶片不同，在薄晶片的情况下，使用起模针夹紧和松开的传统方法会导致局部损坏问题。 此外，当输送晶片时，存在晶片翘曲或下陷而使得晶片的输送更加困难的问题。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是提供一种，所述晶片蚀刻系统能够完成贴带过程，以使得具有贴附有保护膜的集成电路的晶片的背面被机械磨削之后容易输送，并将晶片输送到等离子蚀刻设备，且蚀刻晶片以使晶片更薄。 本专利技术的另一个目的是提供一种，所述晶片蚀刻系统能够运送具有厚度减薄的磨削晶片，以便在输送磨削后的晶片时不会损坏磨削的晶片。 根据本专利技术的晶片蚀刻系统可以包括:晶片磨削装置，所述晶片磨削装置机械蚀刻晶片；对准器，所述对准器对准通过晶片磨削装置蚀刻的晶片；干蚀刻装置，所述干蚀刻装置再次蚀刻通过对准器对准的晶片；晶片输送装置，所述晶片输送装置在对准器与干蚀刻装置之间输送晶片；贴带装置，所述贴带装置对通过干蚀刻装置蚀刻的晶片执行贴带工序，使得晶片蚀刻系统能够在消除机械蚀刻所产生的残留在晶片中的应力的同时减小晶片的厚度。 另一方面，干蚀刻装置可以包括:加工室，所述加工室能够快速地保持真空状态；第一闸阀，所述第一闸阀被构造成打开和关闭要连接到晶片输送装置的加工室；夹头，所述夹头安装在加工室中以支承通过晶片输送装置输送的晶片；等离子装置，所述等离子装置连接到加工室，以快速蚀刻由夹头支承的大面积的晶片。夹头可以包括:被构造成施加静电的静电部件；冷却气体提供部件，所述冷却气体提供部件通过贯穿静电部件的冷却气孔提供冷却气体；真空形成部件，所述真空形成部件被构造成通过冷却气孔形成真空；开/关阀，所述开/关阀被构造成被打开/关闭，以将冷却气体提供部件和真空形成部件连接到冷却气孔；调节阀，所述调节阀调节真空形成部件的真空度并调节冷却气体提供部件的冷却气体的量。夹头还可以包括掩模环和升降装置，所述掩模环用于在晶片在通过贴带装置完成贴带之后被干蚀刻时保护贴附于晶片的UV带，所述升降装置使掩模环升起和下降。 另一方面，等离子装置可以包括第一等离子单元和第二等离子单元，所述第一等离子单元与加工室相连接以将高压的第一股蚀刻气体投入加工室中，以便快速地蚀刻具有大面积的晶片，所述第二等离子单元与加工室相连接以将低压的第二股蚀刻气体投入加工室中，以便消除晶片的应力并获得晶片所需的粗糙度。 另一方面，晶片输送装置可以包括:快速保持真空状态的输送室；第二闸阀，所述第二闸阀打开或关闭输送室；输送臂，所述输送臂安装在输送室中以输送晶片；和末端执行器，所述末端执行器连接到能够附着晶片的输送臂的端部。在这种情况下，末端执行器可以为粘附式末端执行器，所述粘附式末端执行器上具有以规则图案散布的胶粘剂。另外，末端执行器可以为能够施加静电的静电式末端执行器。此外，末端执行器可以为粘附式/静电式末端执行器，所述末端执行器能够施加静电和其上具有以规则图案散布的胶粘剂。晶片输送装置可以还包括防止晶片落下装置，所述防止晶片落下装置安装在输送室中，以用于防止晶片在形成真空时从末端执行器掉落。 根据本专利技术的通过晶片蚀刻设备进行的晶片蚀刻方法包括以下步骤:首先通过晶片磨削装置磨削晶片；将晶片输送到对准器；通过晶片输送装置的末端执行器附着晶片；将附着到末端执行器的晶片输送到输送室中；关闭第二闸阀以将输送室抽成真空；当输送室的真空状态变得等于加工室的真空状态时打开第一闸阀，以将输送室中的晶片输送到加工室内的夹头上；通过将静电施加到夹头并通过真空形成部件形成真空将晶片与末端执行器分离；关闭第一闸阀以使加工室形成高度真空以蚀刻晶片；当完成蚀刻时，将被蚀刻的晶片附着到末端执行器；打开第一闸阀和第二闸阀以将晶片输送到对准器；和将晶片输送到贴带装置以执行贴带。 另一方面，用于蚀刻在其上通过贴带装置完成贴带的晶片的晶片蚀刻方法包括以下步骤:首先通过晶片磨削装置磨削晶片；将晶片输送到对准器；将晶片输送到贴带装置以执行贴带；将具有带的晶片输送到对准器并由晶片输送装置的末端执行器附着晶片；将附着到末端执行器的晶片输送到输送室中；关闭第二闸阀以将输送室抽成真空；当输送室的真空状态变得等于加工室的真空状态时打开第一闸阀，以将输送室中的晶片输送到加工室内的夹头上；通过将静电施加到夹头并通过真空形成部件形成真空将晶片与末端执行器分离；降低掩模环以用于保护晶片上的贴带部分；关闭第一闸阀以使加工室形成高度真空以蚀刻晶片；当完成蚀刻时升起掩模环；将被蚀刻的晶片附着到末端执行器；和打开本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片蚀刻系统，所述晶片蚀刻系统能够在消除机械蚀刻所产生的残留在晶片中的应力的同时减小晶片的厚度，所述晶片蚀刻系统包括：晶片磨削装置，所述晶片磨削装置机械蚀刻晶片；对准器，所述对准器对准通过所述晶片磨削装置蚀刻的晶片；干蚀刻装置，所述干蚀刻装置再次蚀刻通过所述对准器对准的晶片；晶片输送装置，所述晶片输送装置在所述对准器与所述干蚀刻装置之间输送晶片；贴带装置，所述贴带装置对通过所述干蚀刻装置蚀刻的晶片执行贴带工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳基龙，朴生万，内山昌彦，
申请(专利权)人：罗泽系统株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR