半导体光电检测器和放射线检测器制造技术

本技术涉及半导体光电检测器和放射线检测器，以此能够提高光电检测的时间分辨率，并且使放射线能量辨别和光子计数成为可能。所述放射线检测器具有闪烁器、放射线检测部和曝光周期调节部。当放射线被输入时，所述闪烁器生成具有与放射线能量相对应的光强度的闪烁光，并且将所述闪烁光的光子分别提供至多个像素。每当所述像素在曝光周期内被所述闪烁光曝光时，所述放射线检测部基于在所述曝光周期内提供来的所述光子的数量检测所述放射线是否被输入。曝光周期调节部基于被检测的所述放射线的输入频率来调节所述曝光周期。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种放射线检测器，其包括：闪烁器，当放射线进入时，所述闪烁器生成具有取决于所述放射线的能量的光强度的闪烁光，然后将所述闪烁光的光子提供至多个像素之中的每个像素；放射线检测部，每当所述多个像素在曝光周期内被所述闪烁光曝光时，所述放射线检测部基于在所述曝光周期内提供的所述光子的数量来检测所述放射线是否进入；以及曝光周期调节部，所述曝光周期调节部基于被检测的所述放射线的入射频率来调节所述曝光周期。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：西原利幸，角博文，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP