本实用新型专利技术公开一种纳米碳导热片，包括基底层及设置在所述基底层上表面的纳米碳层，所述基底层为铜箔层，所述纳米碳层与所述铜箔层覆盖粘合或所述纳米碳层直接与所述铜箔层混合覆盖。组成材料密度均匀，在铜箔上覆盖纳米碳，使其的导热性能比普通的铜箔导热片增强几倍；有效利用纳米碳的强导热性，并将其应用在电子领域的导热材料制备中，结构设计合理，应用范围广泛，具有极佳的市场化前景。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开一种纳米碳导热片，包括基底层及设置在所述基底层上表面的纳米碳层，所述基底层为铜箔层，所述纳米碳层与所述铜箔层覆盖粘合或所述纳米碳层直接与所述铜箔层混合覆盖。组成材料密度均匀，在铜箔上覆盖纳米碳，使其的导热性能比普通的铜箔导热片增强几倍；有效利用纳米碳的强导热性，并将其应用在电子领域的导热材料制备中，结构设计合理，应用范围广泛，具有极佳的市场化前景。【专利说明】一种纳米碳导热片
本技术涉及导热材料，尤其涉及一种纳米碳导热片。
技术介绍
随着电子器件微型化的飞速发展，尤其突显的是电子线路板上的元器件日益密集，使得电子产品表面温度也在升高，电子产品的热量管理成为产品设计的重要课题。现阶段，所有集成元件设计的电子设备都需要考虑的就是元件表面温度控制问题，如何有效控制电子元件散热必然与电子产品的正常使用起到直接的决定性作用。
技术实现思路
本技术的目的在于，针对现有技术的不足，提供一种纳米碳导热片，通过纳米碳层与铜箔层的结合使用，组成新的导热片，有效增强导热性。 为有效解决上述问题，本技术采取的技术方案如下: 一种纳米碳导热片，包括基底层及设置在所述基底层上表面的纳米碳层，所述基底层为铜箔层，所述纳米碳层与所述铜箔层覆盖粘合或所述纳米碳层直接与所述铜箔层混合覆盖。 特别的，所述铜箔层下表面设有粘合层。 特别的，所述粘合层为黑色导热层，并于所述粘合层上覆盖有保护层。 特别的，所述纳米碳层单面覆盖所述铜箔层。 特别的，所述纳米碳层全面混合覆盖所述铜箔层。 本技术的有益效果:本技术提供的纳米碳导热片组成材料密度均匀，在铜箔上覆盖纳米碳，使其的导热性能比普通的铜箔导热片增强几倍；有效利用纳米碳的强导热性，并将其应用在电子领域的导热材料制备中，结构设计合理，应用范围广泛，具有极佳的市场化前景。 下面结合附图对本技术进行详细说明。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术公开的纳米碳导热片整体结构示意图。 其中: 001铜箔层，002纳米碳层，003粘合层，004保护层。 【具体实施方式】 实施例: 如图1所示，本实施例提供的纳米碳导热片包括基底层及设置在所述基底层上表面的纳米碳层002，所述基底层为铜箔层001，所述纳米碳层002与所述铜箔层001覆盖粘合或所述纳米碳层002直接与所述铜箔层001混合覆盖。 所述铜箔层001下表面设有粘合层003。所述粘合层003为黑色导热层，由高导热粉与丙烯酸胶水混合而成，并于所述粘合层003上覆盖有保护层。所述粘合层003上覆盖有保护层004。所述纳米碳层002单面覆盖所述铜箔层001。所述纳米碳层002全面混合覆盖所述铜箔层001。 申请人:声明，所属
的技术人员在上述实施例的基础上，将上述实施例某步骤，与
技术实现思路
部分的技术方案相组合，从而产生的新的方法或结构，也是本技术的记载范围之一，本申请为使说明书简明，不再罗列这些步骤的其它实施方式。 该实施例的主要技术应用: 本技术提供的纳米碳导热片组成材料密度均匀，在铜箔上覆盖纳米碳，使其的导热性能比普通的铜箔导热片增强几倍；有效利用纳米碳的强导热性，并将其应用在电子领域的导热材料制备中，结构设计合理，应用范围广泛，具有极佳的市场化前景。 本技术通过上述实施例来说明本技术的实现方法及装置结构，但本技术并不局限于上述实施方式，即不意味着本技术必须依赖上述方法及结构才能实施。所属
的技术人员应该明了，对本技术的任何改进，对本技术所选用实现方法等效替换及及步骤的添加、具体方式的选择等，均落在本技术的保护范围和公开范围之内。 本技术并不限于上述实施方式，凡采用和本技术相似结构及其方法来实现本技术目的的所有方式，均在本技术的保护范围之内。【权利要求】1.一种纳米碳导热片，其特征在于，包括基底层及设置在所述基底层上表面的纳米碳层，所述基底层为铜箔层，所述纳米碳层与所述铜箔层覆盖粘合或所述纳米碳层直接与所述铜箔层混合覆盖。2.根据权利要求1所述的纳米碳导热片，其特征在于，所述铜箔层下表面设有粘合层。3.根据权利要求2所述的纳米碳导热片，其特征在于，所述粘合层为黑色导热层，并于所述粘合层上覆盖有保护层。4.根据权利要求1所述的纳米碳导热片，其特征在于，所述纳米碳层单面覆盖所述铜箔层。5.根据权利要求1所述的纳米碳导热片，其特征在于，所述纳米碳层全面混合覆盖所述铜箔层。【文档编号】H05K7/20GK204031698SQ201420299697【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年6月6日 优先权日:2014年6月6日 【专利技术者】吴付东 申请人:吴付东本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种纳米碳导热片，其特征在于，包括基底层及设置在所述基底层上表面的纳米碳层，所述基底层为铜箔层，所述纳米碳层与所述铜箔层覆盖粘合或所述纳米碳层直接与所述铜箔层混合覆盖。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴付东，
申请(专利权)人：吴付东，
类型：新型
国别省市：广西;45
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