半导体装置(1000A)具备：具有氧化物半导体层(9)的TFT(100A)；辅助电容配线(12)；和与辅助电容配线(12)电连接的第一透明电极(15)。第一透明电极(15)具有在从基板(1)的法线方向看时与第一连接层(8x)重叠的部分。与第一连接层(8x)重叠的部分具有在从基板(1)的法线方向看时，对称点位于连接开口部(CH2)内的点对称的形状。第一透明电极(15)不与第一连接层(8x)直接接触。第一透明电极(15)的一部分与第二连接层(8x)直接接触。第一连接层(8x)与第二连接层(19a)直接接触。第一透明电极(15)通过第一连接层(8x)以及第二连接层(19a)与辅助电容配线(12)电连接。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】半导体装置（1000A)具备：具有氧化物半导体层(9)的TFT(IOOA);辅助电容配线(12);和与辅助电容配线（12)电连接的第一透明电极（15)。第一透明电极（15)具有在从基板（1)的法线方向看时与第一连接层（8x)重叠的部分。与第一连接层（8x)重叠的部分具有在从基板（1)的法线方向看时，对称点位于连接开口部（CH2)内的点对称的形状。第一透明电极（15)不与第一连接层（8x)直接接触。第一透明电极（15)的一部分与第二连接层（8x)直接接触。第一连接层（8x)与第二连接层（19a)直接接触。第一透明电极（15)通过第一连接层（8x)以及第二连接层（19a)与辅助电容配线（12)电连接。【专利说明】半导体装置、半导体装置的制造方法和显示装置
本专利技术涉及具备薄膜晶体管的半导体装置和半导体装置的制造方法、以及显示装 置。
技术介绍
有源矩阵型的液晶显示装置一般具备：按每个像素形成有作为开关元件的薄膜晶 体管（Thin Film Transistor，以下也称为"TFT"）的基板（以下称为"TFT基板"）；形成有 彩色滤光片等的对置基板；和设置在TFT基板与对置基板之间的液晶层。TFT基板具有TFT 并且具有辅助电容。辅助电容是为了保持被施加至像素的液晶层（在电学上被称为"液晶 电容"）的电压而与液晶电容电并联地设置的电容。此外，在本申请说明书中，有将TFT基 板或具备TFT基板的显示装置称为半导体装置的情况。 专利文献1中公开了具备包括透明的辅助电容电极的辅助电容（有称为透明辅助 电容的情况）的液晶显示装置。具备这样的辅助电容的液晶显示装置，能够不使像素的开 口率降低而得到高的光利用效率和充分的辅助电容，因此，被认为能够应用于高精细化的 液晶显示装置。 另一方面，近年来，提出了使用氧化物半导体代替硅半导体来形成TFT的活性层 (有源层）。将这样的TFT称为"氧化物半导体TFT"。氧化物半导体具有比非晶硅高的迁 移率。因此，氧化物半导体TFT能够比非晶硅TFT更高速地动作。例如专利文献1中公开 了使用氧化物半导体TFT作为开关元件的有源矩阵型的液晶显示装置（例如，专利文献2)。 另外，专利文献2中公开的氧化物半导体TFT，在氧化物半导体层上具有蚀刻阻挡层，保护 氧化物半导体层的沟道区域。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2001-33818号公报 专利文献2 :日本特开2011-191764号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题 本专利技术人在半导体装置中采用透明辅助电容的情况下发现了以下说明的问题。 在具备透明辅助电容电极的透明辅助电容中，透明辅助电容电极与向透明辅助电 容电极供给信号的辅助电容配线电连接。透明辅助电容电极与辅助电容配线，形成的层不 同，在透明辅助电容电极与辅助电容配线之间存在绝缘层。因此，透明辅助电容电极通过在 位于透明辅助电容电极与辅助电容配线之间的绝缘层形成的接触孔，与辅助电容配线电连 接。此外，也有在辅助电容配线上形成与接触孔重叠的导电性的连接层，使辅助电容配线与 透明辅助电容电极通过连接层电连接的情况。 此时，在透明辅助电容电极与辅助电容配线之间的绝缘层具有2层以上的多层结 构的情况下，当考虑例如对准余量等来形成接触孔（开口部）或上述的使辅助电容配线与 透明辅助电容电极电连接的连接层时，会产生接触孔或连接层的面积大至需要面积以上、 像素的开口率降低的问题。在专利文献2中公开的在TFT基板形成蚀刻阻挡层的情况下， 该问题特别显著。 本专利技术的实施方式是鉴于上述情况而做出的，其目的在于提供抑制了像素的开口 率降低的、具有辅助电容的半导体装置、半导体装置的制造方法和具备半导体装置的显示 装置。用于解决技术问题的手段 本专利技术的实施方式的半导体装置具备基板和在上述基板上形成的薄膜晶体管，上 述薄膜晶体管具有：栅极电极；在上述栅极电极上形成的栅极绝缘层；在上述栅极绝缘层 上形成的氧化物半导体层；和与上述氧化物半导体层电连接的源极电极和漏极电极，上述 半导体装置的特征在于，还具备：层间绝缘层，该层间绝缘层包括与上述源极电极和上述漏 极电极接触的保护层；在上述层间绝缘层上形成的第一透明电极；在上述第一透明电极上 形成的电介质层；在上述电介质层上，以隔着上述电介质层与上述第一透明电极的至少一 部分重叠的方式形成的第二透明电极；与上述栅极电极由相同的导电膜形成的辅助电容配 线；第一连接层，该第一连接层与上述辅助电容配线电连接，并且与上述源极电极或上述漏 极电极由相同的导电膜形成；和第二连接层，该第二连接层与上述第二透明电极由相同的 导电膜形成，并且不与上述第二透明电极电连接，位于上述第一连接层与上述第二连接层 之间的绝缘层，具有使上述第二连接层与上述第一透明电极以及上述第一连接层电连接的 连接开口部，在从上述基板的法线方向看时，上述第二连接层和上述连接开口部分别与上 述第一连接层的至少一部分重叠，上述第一透明电极具有在从上述基板的法线方向看时与 上述第一连接层重叠的部分，与上述第一连接层重叠的部分具有在从上述基板的法线方向 看时，对称点位于上述连接开口部内的点对称的形状，上述第一透明电极不与上述第一连 接层直接接触，上述第一透明电极的一部分与上述第二连接层直接接触，上述第一连接层 与上述第二连接层直接接触，上述第一透明电极通过上述第一连接层以及上述第二连接层 与上述辅助电容配线电连接。 在一个实施方式中，上述第二连接层覆盖上述连接开口部的侧面的至少一部分。 在一个实施方式中，在与上述基板垂直并且包含上述对称点的第一截面，上述第 一透明电极的一部分与上述第二连接层接触，在与上述基板垂直、包含上述对称点并且与 上述第一截面不同的第二截面，上述第一透明电极不与上述第二连接层接触。 在一个实施方式中，上述连接开口部包括：在上述保护层形成的第一开口部；和 在上述电介质层形成的第二开口部，上述第二开口部的侧面的至少一部分与上述第一开口 部的侧面对齐。 在一个实施方式中，上述层间绝缘层还包括有机绝缘层，上述有机绝缘层具有在 从上述基板的法线方向看时与上述第一连接层重叠的第三开口部，上述第一开口部和第二 开口部的至少一部分形成在上述第三开口部内。 在一个实施方式中，上述第一透明电极覆盖上述第三开口部的侧面的至少一部 分。 在一个实施方式中，上述的半导体装置还具有以覆盖上述氧化物半导体层的沟道 区域的方式形成的蚀刻阻挡层，上述栅极绝缘层形成在上述辅助电容配线上，上述蚀刻阻 挡层形成在上述栅极绝缘层上，上述栅极绝缘层和上述蚀刻阻挡层具有在从上述基板的法 线方向看时与上述辅助电容配线重叠的第四开口部，在上述第四开口部内，上述栅极绝缘 层的侧面的至少一部分与上述蚀刻阻挡层的侧面对齐，上述第一连接层覆盖上述第四开口 部中的、上述栅极绝缘层的侧面和上述蚀刻阻挡层的侧面的至少一部分。 在一个实施方式中，上述的半导体装置还具有在上述基板上形成的栅极端子部， 上述栅极端子部具备：与上述栅极电极由相同的导电膜形成的栅极端子连接层；和第三连 接层，该第三连接层与上述栅极端子连接层电本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体装置，其具备基板和在所述基板上形成的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有：栅极电极；在所述栅极电极上形成的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层；和与所述氧化物半导体层电连接的源极电极和漏极电极，所述半导体装置的特征在于，还具备：层间绝缘层，该层间绝缘层包括与所述源极电极和所述漏极电极接触的保护层；在所述层间绝缘层上形成的第一透明电极；在所述第一透明电极上形成的电介质层；在所述电介质层上，以隔着所述电介质层与所述第一透明电极的至少一部分重叠的方式形成的第二透明电极；与所述栅极电极由相同的导电膜形成的辅助电容配线；第一连接层，该第一连接层与所述辅助电容配线电连接，并且与所述源极电极或所述漏极电极由相同的导电膜形成；和第二连接层，该第二连接层与所述第二透明电极由相同的导电膜形成，并且不与所述第二透明电极电连接，位于所述第一连接层与所述第二连接层之间的绝缘层，具有使所述第二连接层与所述第一透明电极以及所述第一连接层电连接的连接开口部，在从所述基板的法线方向看时，所述第二连接层和所述连接开口部分别与所述第一连接层的至少一部分重叠，所述第一透明电极具有在从所述基板的法线方向看时与所述第一连接层重叠的部分，与所述第一连接层重叠的部分具有在从所述基板的法线方向看时，对称点位于所述连接开口部内的点对称的形状，所述第一透明电极不与所述第一连接层直接接触，所述第一透明电极的一部分与所述第二连接层直接接触，所述第一连接层与所述第二连接层直接接触，所述第一透明电极通过所述第一连接层以及所述第二连接层与所述辅助电容配线电连接。...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：美崎克纪，松原邦夫，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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