红外线大功率LED制造技术

本实用新型专利技术公开了一种红外线大功率LED，包括支架底板、通过底胶组装于支架底板上的晶片、封装于晶片上表面的保护硅胶以及设置于支架底板上的框架，所述晶片以SMD封装工艺贴装于支架底板上；保护硅胶位于框架限定的区域范围内并覆盖住晶片，所述保护硅胶的厚度范围为0.5mm~1mm；所述框架由高耐温材料制成，其厚度为0.5mm~1.5mm。本实用新型专利技术采用了表面贴装器件的封装方式组装晶片，实现了自动化、标准化作业，可使产品衰减性、可靠性变优良；配合高耐温、超薄型框架的设计，晶片产生的热量能通过底部、正上方快速传导至散热基板和空气中，可大大降低了晶片本身的温度，可很好地解决因为高温导致的光衰和出光效率问题。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种红外线大功率LED，包括支架底板、通过底胶组装于支架底板上的晶片、封装于晶片上表面的保护硅胶以及设置于支架底板上的框架，所述晶片以SMD封装工艺贴装于支架底板上；保护硅胶位于框架限定的区域范围内并覆盖住晶片，所述保护硅胶的厚度范围为0.5nmTlmm;所述框架由高耐温材料制成，其厚度为0.5nmTl.5mm。本技术采用了表面贴装器件的封装方式组装晶片，实现了自动化、标准化作业，可使产品衰减性、可靠性变优良；配合高耐温、超薄型框架的设计，晶片产生的热量能通过底部、正上方快速传导至散热基板和空气中，可大大降低了晶片本身的温度，可很好地解决因为高温导致的光衰和出光效率问题。)【专利说明】红外线大功率LED
本技术涉及LED
，尤其涉及一种红外线大功率LED。
技术介绍
在繁多的LED产品中，红外线大功率LED因其稳定、节能被广泛应用于安防监控夜间照明。红外线大功率LED的可靠性和衰减性直接影响了安防效果，造成了其寿命短，安防效果不能持续稳定。在使用时，受产品散热影响，照射距离、强度变低；因为产品晶片结温过高时，红外线晶片会衰减增大，可靠性变低；封装材料受高温影响，老化加快，因此，解决红外线大功率LED的可靠性、衰减性的方法就是解决其散热。 图1所示的现有红外线大功率LED采用仿流明朗柏型封装，由保护硅胶I封装于框架3上的晶片4通过金线2与外接脚相连，晶片4与框架3之间还设有底胶5，框架3又设置于支架底板6上。这种结构的红外线大功率LED的散热回路主要分成两路:1、晶片4发热通过底胶5和支架底板6传递到散热基板散热；2、晶片4发热通过保护硅胶I和框架3散热进行空气散热。第I路散热回路的缺陷是:热阻高，支架底板6的厚度为2.4mm，根据铜的散热特性，大厚度并不会增加热量的传导速度，反而增加了热阻；晶片4工作时，热量通过底胶5导入支架底板6，通过支架底板6导入焊锡，再散入散热基板，当晶片4结温120°C时，散热基板才80°C，说明其热量未能及时导入散热基板，造成晶片4结温慢慢变高，引起产品衰减过大。而第2路散热回路的缺点是:晶片4工作时，产生的热量通过第一种方式导出一部分，另外一部分通过2.9_保护硅胶I和框架3散热，保护硅胶I会造成热量不能及时散发至空气中；通过框架3时，长时间高温会造成PPA材料老化、黄化，导致其反光效果变差，晶片4发光效率变低。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于，提供一种红外线大功率LED，以改善产品的光衰减性，提升产品可靠性。 为解决上述技术问题，本技术提供如下技术方案:一种红外线大功率LED，包括支架底板、通过底胶组装于支架底板上的晶片、封装于晶片上表面的保护硅胶以及设置于支架底板上的框架，所述晶片以SMD封装工艺贴装于支架底板上，所述支架底板为厚度为0.25±0.02mm的超薄铜板；保护硅胶位于框架限定的区域范围内并覆盖住晶片，所述保护娃胶的厚度范围为0.5mnTlmm ;所述框架由高耐温材料制成,其厚度为0.5mnTl.5mm。 进一步地，所述框架为聚对苯二甲酸1，4-环己烷二甲醇酯制作而成。 进一步地，所述框架为高分子环氧树脂通过蚀刻技术成型于铜基材上制作而成。 进一步地,所述保护娃胶的厚度为0.75mm。 进一步地，所述框架的厚度为1mm。 采用上述技术方案后，本技术至少具有如下有益效果:本技术采用了表面贴装器件的封装方式组装晶片，实现了自动化、标准化作业，可使产品衰减性、可靠性变优良；配合高耐温、超薄型框架的设计，晶片产生的热量能通过底部、正上方快速传导至散热基板和空气中，可大大降低了晶片本身的温度，可很好地解决因为高温导致的光衰和出光效率问题；此外，由于厚度、尺寸变小，还可减少一半的金线用量，框架生产效率更高，后期封装加工成本低，使红外线大功率LED整体成本变得更低，效率更高。 【专利附图】【附图说明】 图1为
技术介绍
所述现有一种红外线大功率LED的结构示意图； 图2为本技术所述一种红外线大功率LED的结构示意图。 图中:I一保护硅胶、2—金线、3—框架、4一晶片、5—底胶、6—支架底板。 【具体实施方式】 需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合，下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细说明。 如图2所示，本技术提供一种红外线大功率LED，包括支架底板6、通过底胶5组装于支架底板6上的晶片4、封装于晶片4上表面的保护硅胶I以及设置于支架底板6上的框架3。 所述晶片4以SMD封装工艺贴装于支架底板6上，所述支架底板为厚度为 0.25±0.02mm的超薄铜板；保护硅胶I位于框架3限定的区域范围内并覆盖住晶片4，所述保护硅胶I的厚度范围为0.5mnTlmm，优选厚度为0.75mm ;所述框架3由高耐温材料制成，其厚度为0.5mnTl.5mm,优选厚度为1mm。 在本技术的一个实施例中，所述框架3为聚对苯二甲酸1，4-环己烷二甲醇酯制作而成。而在本技术的另一个实施例中，所述框架为高分子环氧树脂通过蚀刻技术成型于铜基材上制作而成。 本技术红外线大功率LED采用表面贴装器件封装模式设计，其散热回路也分为两路:1、晶片4发热通过底胶5和支架底板6散发热量到散热基板；2、晶片4发热通过保护硅胶I和框架3进行空气散热。 上述第I路散热回路的优点是:热阻小，晶片4与散热基板之间的距离0.25mm(只有传统红外线大功率LED的十分之一)，当晶片4产生热量时，热源通过底胶5导入支架底板6，因支架底板为超薄设计，热量传输速度快，使热量传导速度变快，很快将热量导入散热基板，从而降低了晶片4的结温；当晶片4结温度120°C时，散热基板也将达到110°C，从而使温度的流通性变强，热量不会聚集于晶片4而造成晶片4受高温衰减。 第2路散热回路的优点是:晶片4工作时，产生的热量通过第一种方式导出一部分，另外一部分通过保护硅胶I和框架3散热，因为晶片4上的保护硅胶I覆盖很薄(不超过1_)，晶片4发出的热量可以很快地通过保护硅胶I散发至空气中，加强散热。通过框架3时，因为框架3采用了 PCT材质，其自身具有耐高温、耐热的优良特性，所以其不会发生类似传统红外线大功率LED的支架的黄化、衰减等现象。 尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同范围限定。【权利要求】1.一种红外线大功率LED，包括支架底板、通过底胶组装于支架底板上的晶片、封装于晶片上表面的保护硅胶以及设置于支架底板上的框架，其特征在于:所述晶片以SMD封装工艺贴装于支架底板上，所述支架底板为厚度为0.25±0.02mm的超薄铜板；保护娃胶位于框架限定的区域范围内并覆盖住晶片，所述保护硅胶的厚度范围为0.5mnTlmm;所述框架由高耐温材料制成，其厚度为0.5mnTl.5mm。2.根据权利要求1所述的红外线大功率LED，其特征在于:所述框架为聚对苯二甲酸1，4-环己烷二甲本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种红外线大功率LED，包括支架底板、通过底胶组装于支架底板上的晶片、封装于晶片上表面的保护硅胶以及设置于支架底板上的框架，其特征在于：所述晶片以SMD封装工艺贴装于支架底板上，所述支架底板为厚度为0.25±0.02mm的超薄铜板；保护硅胶位于框架限定的区域范围内并覆盖住晶片，所述保护硅胶的厚度范围为0.5mm~1mm；所述框架由高耐温材料制成，其厚度为0.5mm~1.5mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘勇，
申请(专利权)人：深圳市迈科光电有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44