本发明专利技术公开了一种魔芋的栽培方法，包括如下步骤：选地、魔芋种的选择、施肥、播种、起垄和魔芋种覆土、覆盖地膜和膜上覆土，其中，所述膜上覆土方法为：在晴天将田间土壤用筛子过滤，然后将过滤得到的细土均匀覆盖在地膜上，覆土厚度为3～5cm，覆土后用板状物在垄面压一压，使地膜充分与土壤接触。本发明专利技术魔芋的栽培方法出苗率高、出苗速度快、无烧苗现象，保温保湿效果好，防软腐病效果好。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，包括如下步骤：选地、魔芋种的选择、施肥、播种、起垄和魔芋种覆土、覆盖地膜和膜上覆土，其中，所述膜上覆土方法为：在晴天将田间土壤用筛子过滤，然后将过滤得到的细土均匀覆盖在地膜上，覆土厚度为3?5cm，覆土后用板状物在垄面压一压，使地膜充分与土壤接触。本专利技术魔芋的栽培方法出苗率高、出苗速度快、无烧苗现象，保温保湿效果好，防软腐病效果好。【专利说明】
本专利技术涉及一种植物的栽培方法，特别是涉及。
技术介绍
地膜覆盖栽培法使魔芋提早萌发，改善魔芋生长的土壤环境，有利于土壤保肥、保 水及增温，抑制杂草生长和减少病虫危害，使魔芋充分利用光、温、肥、水、气等营养条件，力口 快魔芋的生长发育，促进干物质的积累，从而提高魔芋球茎的产量。魔芋地膜覆盖栽培法虽 优点多，却存在一个破膜放苗的技术难题。当前魔芋地膜覆盖栽培方法中的破膜放苗工序 都靠人工完成。人工破膜放苗存在三个技术缺陷，一是破膜不及时易导致高温烧苗，二是破 膜放苗时农户凭经验开孔，放苗孔大小不一，导致保温、保湿效果降低，三是需多次多天破 膜放苗，人工成本高。魔芋膜上覆土自然破膜出苗栽培技术利用膜上土壤的重力作用及魔 芋幼苗的向光性，使魔芋幼苗自然顶破地膜出土，解决了魔芋地膜覆盖栽培中破膜放苗的 技术难题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种成本低、操作简便、栽培效果好的魔芋的栽 培方法。 ，包括如下步骤：选地、魔芋种的选择、施肥、播种、起垄和魔 芋种覆土、覆盖地膜和膜上覆土，其中，所述膜上覆土方法为：在晴天将田间土壤用筛子过 滤，然后将过滤得到的细土均匀覆盖在地膜上，覆土厚度为3?5cm，覆土后用板状物在垄 面压一压，使地膜充分与土壤接触。 本专利技术所述的魔芋的栽培方法，其中所述地膜为厚为0. 008?0. 015mm的黑色或 白色地膜，地膜覆盖时间为当田间土壤持水量为60% -80%时及时覆盖地膜，膜上覆土厚 度为3?5cm。 本专利技术所述的魔芋的栽培方法，其中所述魔芋种的规格为大于或等于50g，所述魔 芋种覆土步骤具体为：50_99g的魔芋种覆土厚度为5-8cm，100-149g的魔芋种覆土厚度为 8-12cm，150g以上的魔芋种覆土厚度为12-15cm。 本专利技术所述的魔芋的栽培方法，其中所述筛子为10mm-40mm的标准土壤筛，过滤 后的土壤颗粒直径为10mm -40mm。 本专利技术所述的魔芋的栽培方法，其包括如下步骤： (1)选地：选择土层深厚、结构疏松的平整土地或缓坡土地，土地最大坡度不超过 15 % 土地要深耕整细，捡出前茬秸杆； (2)魔芋种的选择：选择无病、无破损的健康魔芋种，魔芋种要大于或等于50g，魔 芋种不切块； (3)设计播种密度：播种密度为行距80-100cm，株距50-60cm，采用穴播，穴直径 30_40cm，穴深 20_25cm ; (4)施肥：一次性施足肥料，包括有机肥和硫酸钾复合肥，有机肥施肥量为 25000?30000kg/hm 2,有机肥至少提前30天堆怄；有机肥堆怄方法为：将有机肥堆于干燥 平整的地方，堆高1. 5-2. 0m，堆长随有机肥施用量而定，堆形横截面为梯形，然后在堆上覆 盖白色薄膜，薄膜要求将有机肥完全覆盖，在有机肥堆脚用细土将薄膜压紧，以使有机肥堆 内的温度快速升高，达到杀虫、灭菌、除草籽的作用。硫酸钾复合肥N:P:K养分比为15 :15 : 15,硫酸钾复合肥施肥量为500?700kg/hm2,所述有机肥及所述硫酸钾复合肥施于每穴正 中，所述硫酸钾复合肥施在所述有机肥的下部； (5)播种：采用整芋播种，魔芋种播于有机肥之上； (6)起垄和魔芋种覆土：垄底宽为60?70cm，垄面宽为40-50cm，垄高为25? 30cm，垄上土壤为细碎的土壤；在魔芋种上进行覆土，50-99g的魔芋种覆土厚度为5-8cm， 100-149g的魔芋种覆土厚度为8-12cm，150g以上的魔芋种覆土厚度为12-15cm ; (7)覆盖地膜：选用幅宽为80-100cm、厚为0· 008?0· 015mm的黑色或白色地膜， 在雨后初晴、当田间土壤持水量为60% -80 %时及时覆盖地膜，覆膜时通过拉拽使地膜紧 贴垄面，覆膜后在垄两侧用土壤将地膜固定； (8)膜上覆土：在晴天将田间土壤用筛子过滤，然后将过滤得到的细土均匀覆盖 在地膜上，覆土厚度为3?5cm，覆土后用板状物在垄面压一压，使地膜充分与土壤接触， 所述筛子为l〇mm-40mm的标准土壤筛，其中，膜上覆土的土壤要求无杂草、石块及其他尖锐 物，田间土壤持水量为50%以下的土壤、土壤颗粒直径为10臟-4〇111111。 本专利技术魔芋的栽培方法与现有技术不同之处在于：本专利技术魔芋的栽培方法出苗率 高、出苗速度快、无烧苗现象，保温保湿效果好，防软腐病效果好。本专利技术魔芋的栽培方法中 重点在于在膜上覆土，而传统方法并没有这一步骤，采用膜上覆土的方法，带来的有益效果 见表1，小苗向上生长的力量同地膜上的覆土的重力作用同时配合作用，才能带来一个很好 的破苗率，传统技术中因为没有覆土，自然破膜出苗率较低，在植物生长过程中的生长力也 会向上顶起地膜，因此会造成地膜与土壤之间的缝隙较大，综合上述原因，本专利技术的魔芋的 栽培方法带来了很好的栽培效果。 传统方法中的地膜也需要绷紧，但是实际操作中不能保证100%绷紧，而采用本发 明的膜上覆土后不管薄膜是否绷紧，魔芋幼苗都会自破膜出苗。传统技术即使绷紧后也不 会达到本专利技术的效果，因为薄膜厚度为0. 008?0. 015_，魔芋幼苗无法自主顶破地膜，传 统技术在采用非常薄的薄膜绷紧后也可以达到自破膜的效果，但使用的薄膜是〇.〇〇5_，而 我国是禁止使用这类薄膜的。 表1.本专利技术所述魔芋膜上覆土栽培方法（新技术）与传统的魔芋地膜覆盖栽培 技术（传统技术）的比较 【权利要求】1. ，其特征在于：包括如下步骤：选地、魔芋种的选择、施肥、播 种、起垄和魔芋种覆土、覆盖地膜和膜上覆土，其中，所述膜上覆土方法为：在晴天将田间土 壤用筛子过滤，然后将过滤得到的细土均匀覆盖在地膜上，覆土厚度为3?5cm，覆土后用 板状物在垄面压一压，使地膜充分与土壤接触。2. 根据权利要求1所述的魔芋的栽培方法，其特征在于：所述地膜为厚为0. 008? 0. 015mm的黑色或白色地膜，地膜覆盖时间为当田间土壤持水量为60% -80%时及时覆盖 地膜，膜上覆土厚度为3?5cm。3. 根据权利要求1所述的魔芋的栽培方法，其特征在于：所述魔芋种的规格为大于或 等于50g，所述魔芋种覆土步骤具体为：50-99g的魔芋种覆土厚度为5-8cm，100-149g的魔 芋种覆土厚度为8-12cm，150g以上的魔芋种覆土厚度为12-15cm。4. 根据权利要求1或2所述的魔芋的栽培方法，其特征在于：所述筛子为10mm-40mm的 标准土壤筛，过滤后的土壤颗粒直径为10mm-40mm。5. 根据权利要求1所述的魔芋的栽培方法，其特征在于：包括如下步骤： (1) 选地：选择土层深厚、结构疏松的平整土地或缓坡土地，土地最大坡度不超过 15%，土地要深耕整细，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种魔芋的栽培方法，其特征在于：包括如下步骤：选地、魔芋种的选择、施肥、播种、起垄和魔芋种覆土、覆盖地膜和膜上覆土，其中，所述膜上覆土方法为：在晴天将田间土壤用筛子过滤，然后将过滤得到的细土均匀覆盖在地膜上，覆土厚度为3～5cm，覆土后用板状物在垄面压一压，使地膜充分与土壤接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张远学，沈艳芬，田恒林，李卫东，高剑华，肖春芳，陈家吉，程群，徐怡，
申请(专利权)人：恩施土家族苗族自治州农业科学院，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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