本发明专利技术的实施例提供一种有机薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，涉及薄膜晶体管技术领域，解决了薄膜晶体管中的电极层的接触角较大使得有机半导体层形成效果不佳，容易出现断线的问题，保证了薄膜晶体管的质量和性能，避免了对原材料的浪费，降低了生产成本。该薄膜晶体管包括：源极、漏极和设置于所述源极和漏极上方的有机半导体层，该有机薄膜晶体管还包括：修饰层，其中：修饰层设置于有机半导体层的下方与源极和漏极对应的位置处；修饰层覆盖源极和漏极；修饰层用于改变源极和漏极的接触角。本发明专利技术应用于显示技术领域中。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术的实施例提供一种有机薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，涉及薄膜晶体管
，解决了薄膜晶体管中的电极层的接触角较大使得有机半导体层形成效果不佳，容易出现断线的问题，保证了薄膜晶体管的质量和性能，避免了对原材料的浪费，降低了生产成本。该薄膜晶体管包括：源极、漏极和设置于所述源极和漏极上方的有机半导体层，该有机薄膜晶体管还包括：修饰层，其中：修饰层设置于有机半导体层的下方与源极和漏极对应的位置处；修饰层覆盖源极和漏极；修饰层用于改变源极和漏极的接触角。本专利技术应用于显示
中。【专利说明】一种有机薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
本专利技术涉及薄膜晶体管
，尤其涉及一种有机薄膜晶体管及其制作方法、 阵列基板和显示装置。
技术介绍
近年，随着科技的不断发展，电子器件的性能逐步得到提升，现有技术方案中的薄 膜晶体管器件的显示面板的结构中源极和漏极是电极一般都是采用金属材料制作形成，保 证了源极和漏极的导电性能。同时，为了保证电子器件的性能通常会在源极和漏极上形成 有机半导体层。 但是，由于源极和漏极的接触角比较大，会出现形成有机半导体层时会出现铺展 行为不佳的问题，使得最终形成的有机半导体层膜厚不均一，容易出现有机半导体层断线 的问题。这样，薄膜晶体管的性能也无法得到保证。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种有机薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置， 解决了薄膜晶体管中的电极层的接触角较大使得有机半导体层形成效果不佳，容易出现断 线的问题，保证了薄膜晶体管的质量和性能，避免了对原材料的浪费，降低了生产成本。 为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案： 第一方面，提供一种有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管包括：源极、漏极和设 置于所述源极和漏极上方的有机半导体层，所述有机薄膜晶体管还包括：修饰层，其中： 所述修饰层设置于有机半导体层的下方与所述源极和漏极对应的位置处；所述修 饰层覆盖所述源极和漏极； 所述修饰层用于改变所述源极和漏极的接触角。 可选的，所述薄膜晶体管还包括栅绝缘层， 所述修饰层还设置于所述有机半导体层与所述栅绝缘层之间的位置处； 所述修饰层还用于改变所述栅绝缘层的接触角。 可选的，所述薄膜晶体管还包括：栅极和缓冲层，其中： 所述缓冲层分别设置于所述源极、漏极和栅极的下方与所述源极、漏极和栅极对 应的位置处； 所述缓冲层分别被所述源极、漏极和栅极覆盖； 所述缓冲层的材料的附着力大于所述源极、漏极和栅极的附着力。 可选的，所述缓冲层的厚度为20?300nm。 可选的，所述修饰层的厚度为0· 1?10nm。 可选的，所述源极和漏极的材料包括：金或银； 所述修饰层的材料包括：有机小分子材料或自组装小分子材料。 第二方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括第一方面所述的有机薄膜晶体 管。 第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括阵列基板，其中： 所述阵列基板为第二方面所述的阵列基板。 第四方面，提供一种有机薄膜晶体管的制作方法，所述方法包括：形成源极、漏极 和所述源极和漏极上方的有机半导体层，还包括： 在所述源极和漏极上方且与所述有机半导体层对应的位置处形成覆盖所述源极 和漏极的修饰层； 所述修饰层用于改变所述源极和漏极的接触角。 可选的，所述方法还包括：形成栅绝缘层， 在所述栅绝缘层和所述有机半导体层之间的位置处形成所述修饰层； 所述修饰层还用于改变所述栅绝缘层的接触角。 可选的，所述方法还包括：形成栅极， 在所述栅极、源极和漏极下方分别形成被所述栅极、源极和漏极覆盖的缓冲层； 所述缓冲层的材料的附着力大于所述源极、漏极和栅极的附着力。 本专利技术的实施例提供的有机薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，通 过在薄膜晶体管的有机半导体层的下方与源极和漏极对应的位置处设置可以改变源极和 漏极的接触角的修饰层，解决了薄膜晶体管中的电极层的接触角较大使得有机半导体层形 成效果不佳，容易出现断线的问题，保证了薄膜晶体管的质量和性能，避免了对原材料的浪 费，降低了生产成本。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。 图1为本专利技术的实施例提供的一种有机薄膜晶体管的结构示意图； 图2为本专利技术的实施例提供的另一种有机薄膜晶体管的结构示意图； 图3为本专利技术的实施例提供的又一种有机薄膜晶体管的结构示意图； 图4为本专利技术的实施例提供的一种有机薄膜晶体管的制作方法的流程示意图； 图5为本专利技术的实施例提供的另一种有机薄膜晶体管的制作方法的流程示意图； 图6为本专利技术的实施例提供的又一种有机薄膜晶体管的制作方法的流程示意图。 附图标记：1_基板；2-栅极；3-栅绝缘层；4-源极；5-漏极；6-有机半导体层； 7_修饰层；8-缓冲层。 【具体实施方式】 下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本专利技术保护的范围。 本专利技术的实施例提供一种有机薄膜晶体管，该有机薄膜晶体管可以是栅极底接触 和栅极顶接触两种类型，本实施例中仅以栅极底接触模式为例进行说明，参照图1所示，该 有机薄膜晶体管包括：基板1、栅极2、栅绝缘层3、源极4、漏极5、设置于源极4和漏极5上 方的有机半导体层6和修饰层7,其中： 修饰层7设置于源极4和漏极5的上方与有机半导体层6对应的位置处；修饰层 7完全覆盖源极4和漏极5。 修饰层7用于改变源极4和漏极5的接触角。 具体的，修饰层可以采用有机小分子材料例如：六甲基二娃烧（Hexamethyl Disilazane，简称HMDS)和正辛基三氯娃烧（octyltrichlorosilane，简称0TS)等或者自组 装小分子材料等制作形成。在源极和漏极上方制作修饰层，由于修饰层可以与源极和漏极 中的分子发生反应，发生反应之后的源极和漏极的接触角会减小，从而源极和漏极的表面 势能降低，进而使得有机半导体层可以很好的形成，提高了有机半导体层的铺展效果，保证 薄膜晶体管的稳定性。 基板可以是玻璃基板、塑料基板或者不锈钢与绝缘薄膜的衬底等。栅绝缘层可以 是采用氧化硅、氮化硅、金属氧化物、金属氮化物或者有机材料等形成绝缘薄膜，之后通过 构图工艺形成的。栅绝缘层的厚度可以是30?lOOOnm。栅极可以是采用金属、ΙΤ0、掺杂硅、 有机导电物等形成的，栅极的厚度可以为20?200nm。源极和漏极一般都是采用金（Au)、 银（Ag)等贵金属形成的，源极和漏极的厚度可以为1?30nm。 本专利技术的实施例本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管包括：源极、漏极和设置于所述源极和漏极上方的有机半导体层，其特征在于，所述有机薄膜晶体管还包括：修饰层，其中：所述修饰层设置于所述有机半导体层的下方与所述源极和漏极对应的位置处；所述修饰层覆盖所述源极和漏极；所述修饰层用于改变所述源极和漏极的接触角。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：方汉铿，谢应涛，欧阳世宏，蔡述澄，石强，刘则，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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