一种平面型二极管制造技术

本发明专利技术涉及一种平面型二极管，包括阴极引线，所述阴极引线与金属片连接，所述金属片上方设置有N型区，所述N型区中设置有P型区，所述N型区与P型区之间设置有PN结，所述P型区上方设置有二氧化硅衬底，所述二氧化硅衬底中设置有金属连接结构，所述金属连接结构下端与P型区上表面欧姆接触，所述金属连接结构上端设置有阳极引线。本发明专利技术结构简单、易封装、制造成本低廉，所承载的整流电流、反响电压较大，不易被击穿。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种平面型二极管，包括阴极引线，所述阴极引线与金属片连接，所述金属片上方设置有N型区，所述N型区中设置有P型区，所述N型区与P型区之间设置有PN结，所述P型区上方设置有二氧化硅衬底，所述二氧化硅衬底中设置有金属连接结构，所述金属连接结构下端与P型区上表面欧姆接触，所述金属连接结构上端设置有阳极引线。本专利技术结构简单、易封装、制造成本低廉，所承载的整流电流、反响电压较大，不易被击穿。【专利说明】一种平面型二极管
本专利技术涉及一种半导体器件，尤其涉及一种平面型二极管。
技术介绍
二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子 二极管现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在 所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生 最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。 目前，二极管制造技术已经相当成熟，但仍然存在结构复杂、成本高、封装难、容易 被击穿等问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种结构简单、易封装、制造成本低廉，所承载 的整流电流、反响电压较大，不易被击穿的平面型二极管。 本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种平面型二极管，包括阴极引线，所 述阴极引线与金属片连接，所述金属片上方设置有N型区，所述N型区中设置有P型区，所 述N型区与P型区之间设置有PN结，所述P型区上方设置有二氧化硅衬底，所述二氧化硅 衬底中设置有金属连接结构，所述金属连接结构下端与P型区上表面欧姆接触，所述金属 连接结构上端设置有阳极引线。 所述N型区，扩散P型杂质，构成P型区，并利用二氧化硅表面氧化膜的屏蔽作用， 在N型区上选择性地扩散一部分而形成的PN结，由于PN结的表面被二氧化硅氧化膜覆盖， 有利于-极管稳定性和使用寿命长的提商。 在上述技术方案的基础上，本专利技术还可以做如下改进。 进一步，所述金属片为铜金属片，所述铜金属片电阻率低、导电性强，用于PN结整 流电流的收集与传输。 进一步，所述阳极引线、阴极引线为镀铜金属，所述镀铜金属硬度大，有利于引线 的的支撑，同时镀铜引线电阻率低，有助于降低对整流电流的干扰。 进一步，所述金属连接结构为铝金属，所述铝金属可塑性较好，易于二极管的封装 与封闭，所述铝金属导电性好，有利于各结构之间的导通。 本专利技术的有益效果是：结构简单、易封装、制造成本低廉，所承载的整流电流、反响 电压较大，不易被击穿。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术一种平面型二极管结构示意图； 附图中，各标号所代表的部件列表如下：1、阴极引线，2、金属片，3、N型区，4、PN 结，5、P型区，6、二氧化硅衬底，7、金属连接结构，8、阳极引线。 【具体实施方式】 以下结合附图对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并 非用于限定本专利技术的范围。 如图1所示，一种平面型二极管，包括阴极引线1，所述阴极引线1与金属片2连 接，所述金属片2上方设置有N型区3,所述N型区3中设置有P型区5,所述N型区3与P 型区5之间设置有PN结4,所述P型区5上方设置有二氧化硅衬底6,所述二氧化硅衬底6 中设置有金属连接结构7,所述金属连接结构7下端与P型区5上表面欧姆接触，所述金属 连接结构7上端设置有阳极引线8。 所述N型区3,扩散P型杂质，构成P型区5,并利用二氧化硅6表面氧化膜的屏蔽 作用，在N型区3上选择性地扩散一部分而形成的PN结4,由于PN结4的表面被二氧化硅 6氧化膜覆盖，有利于二极管稳定性和使用寿命长的提高。 所述金属片2为铜金属片，所述铜金属片电阻率低、导电性强，用于PN结整流电流 的收集与传输；所述阳极引线8、阴极引线1为镀铜金属，所述镀铜金属硬度大，有利于引线 的的支撑，同时镀铜引线电阻率低，有助于降低对整流电流的干扰；所述金属连接结构7为 铝金属，所述铝金属可塑性较好，易于二极管的封装与封闭，所述铝金属导电性好，有利于 各结构之间的导通。 以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和 原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。【权利要求】1. 本专利技术涉及一种平面型二极管，其特征在于，包括阴极引线，所述阴极引线与金属片 连接，所述金属片上方设置有N型区，所述N型区中设置有P型区，所述N型区与P型区之 间设置有PN结，所述P型区上方设置有二氧化硅衬底，所述二氧化硅衬底中设置有金属连 接结构，所述金属连接结构下端与P型区上表面欧姆接触，所述金属连接结构上端设置有 阳极引线。2. 根据权利要求1所述一种平面型二极管，其特征在于，所述金属片为铜金属片。3. 根据权利要求1所述一种平面型二极管，其特征在于，所述阳极引线、阴极引线为镀 铜金属。4. 根据权利要求1所述一种平面型二极管，其特征在于，所述金属连接结构为铝金属。【文档编号】H01L29/06GK104218071SQ201410521503【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年9月30日 优先权日:2014年9月30日 【专利技术者】夏洪贵 申请人:夏洪贵本文档来自技高网...

【技术保护点】
本专利技术涉及一种平面型二极管，其特征在于，包括阴极引线，所述阴极引线与金属片连接，所述金属片上方设置有N型区，所述N型区中设置有P型区，所述N型区与P型区之间设置有PN结，所述P型区上方设置有二氧化硅衬底，所述二氧化硅衬底中设置有金属连接结构，所述金属连接结构下端与P型区上表面欧姆接触，所述金属连接结构上端设置有阳极引线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：夏洪贵，
申请(专利权)人：夏洪贵，
类型：发明
国别省市：重庆;85