电路板制作方法技术

一种电路板制作方法，包括步骤：提供覆铜基板，所述覆铜基板包括介电层及形成于介电层一表面的铜箔层；在所述覆铜基板内形成凹槽图形，所述凹槽图形贯穿所述铜箔层并延伸至与铜箔层相邻的部分介电层，所述凹槽图形的形状与分布与待形成的导电线路相对应；在所述凹槽图形内及铜箔层表面形成面铜，所述面铜完全填充所述凹槽图形；以及去除所述铜箔层及覆盖于所述铜箔层表面的面铜，位于所述凹槽图形内的面铜及覆盖凹槽图形的面铜构成导电线路。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种，包括步骤：提供覆铜基板，所述覆铜基板包括介电层及形成于介电层一表面的铜箔层；在所述覆铜基板内形成凹槽图形，所述凹槽图形贯穿所述铜箔层并延伸至与铜箔层相邻的部分介电层，所述凹槽图形的形状与分布与待形成的导电线路相对应；在所述凹槽图形内及铜箔层表面形成面铜，所述面铜完全填充所述凹槽图形；以及去除所述铜箔层及覆盖于所述铜箔层表面的面铜，位于所述凹槽图形内的面铜及覆盖凹槽图形的面铜构成导电线路。【专利说明】
本专利技术涉及电路板制作
，尤其涉及一种封高密度。
技术介绍
现有技术中，在电路板的制作过程中，通常采用采用增层法或者半加成法，从而得 到的导电线路制作于介电层的表面。即导电线路全部凸出于介电层的表面。为了保护导电 线路，通常需要在导电线路的表面形成防焊层。所述防焊层通常通过印刷防焊油墨的方式 形成，在印刷形成防焊层时，需要形成的防焊层覆盖需要覆盖的导电线路及导电线路之间 的空隙。由于导电线路层本身具有厚度，这样，需要形成的防焊层的厚度大于导电线路的厚 度。当导线线路的厚度较大时，形成的防焊层的厚度也需要增加，从而不利于电路板的薄型 化的要求。 并且，现有技术中的导电线路的制作方法也不利于细线路的制作。
技术实现思路
因此，有必要提供一种电路板的制作方法，降低电路板的防焊层的厚度，进而减小 电路板的厚度。 -种，包括步骤：提供覆铜基板，所述覆铜基板包括介电层及形成 于介电层一表面的铜箔层；在所述覆铜基板内形成凹槽图形，所述凹槽图形贯穿所述铜箔 层并延伸至与铜箔层相邻的部分介电层，所述凹槽图形的形状与分布与待形成的导电线路 相对应；在所述凹槽图形内及铜箔层表面形成面铜，所述面铜完全填充所述凹槽图形；以 及去除所述铜箔层及覆盖于所述铜箔层表面的面铜，位于所述凹槽图形内的面铜及覆盖凹 槽图形的面铜构成导电线路。 -种，包括步骤：提供覆铜基板，所述覆铜基板包括介电层、形成 于介电层一表面的第一铜箔层及形成于介电层另一相对表面的第二铜箔层；在所述覆铜基 板内形成第一凹槽图形和第二凹槽图形，所述第一凹槽图形贯穿所述第一铜箔层并延伸至 与第一铜箔层相邻的部分介电层，所述第一凹槽图形的形状与分布与待形成的第一导电线 路相对应，所述第二凹槽图形贯穿所述第二铜箔层并延伸至与第二铜箔层相邻的部分介电 层，所述第二凹槽图形的形状与分布与待形成的第二导电线路相对应；在所述第一凹槽图 形内及第一铜箔层表面形成第一面铜，所述第一面铜完全填充所述第一凹槽图形，在所述 第二凹槽图形内及第二铜箔层表面形成第二面铜，所述第二面铜完全填充所述第二凹槽图 形；以及去除所述第一铜箔层及覆盖于所述第一铜箔层表面的第一面铜，位于所述第一凹 槽图形内的第一面铜及覆盖第一凹槽图形的面铜构成导电线路。 与现有技术相比，本技术方案中，由于第一导电线路和第二导电线路部分设置于 介电层内，部分凸出于介电层，这样，在第一导电线路和第二导电线路表面形成防焊层时， 可以采用厚度较小的防焊层便可以将第一导电线路层和第二导电线路层覆盖，从而，可以 降低防焊层的厚度，进而可以降低电路板的厚度。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术方案实施例提供的覆铜基板的剖面示意图。 图2是图1的覆铜基板的表面形成第一黑化层和第二黑化层后的剖面示意图。 图3是图2的覆铜基板中形成第一凹槽图形和第二凹槽图形后的剖面示意图。 图4是图3的覆铜基板去除第一黑化层和第二黑化层后的剖面示意图。 图5是图4的覆铜基板表面形成第一面铜和第二面铜后的剖面不意图。 图6是图5的第一面铜表面和第二面铜表面形成光致抗蚀剂层后的剖面不意图。 图7是图6形成第一导电线路和第二导电线路后的剖面示意图。 图8是本技术方案实施例提供的电路板的剖面示意图。 主要元件符号说明 【权利要求】1. 一种，包括步骤： 提供覆铜基板，所述覆铜基板包括介电层及形成于介电层一表面的铜箔层； 在所述覆铜基板内形成凹槽图形，所述凹槽图形贯穿所述铜箔层并延伸至与铜箔层相 邻的部分介电层，所述凹槽图形的形状与分布与待形成的导电线路相对应； 在所述凹槽图形内及铜箔层表面形成面铜，所述面铜完全填充所述凹槽图形；以及 去除所述铜箔层及覆盖于所述铜箔层表面的面铜，位于所述凹槽图形内的面铜及覆盖 凹槽图形的面铜构成导电线路。2. 如权利要求1所述的，其特征在于，所述凹槽图形采用准分子激光 烧蚀形成。3. 如权利要求2所述的，其特征在于，形成所述凹槽图形包括步骤： 在所述铜箔层的表面形成黑化层； 采用准分子激光从黑化层一侧烧蚀形成凹槽图形；以及 去除所述黑化层。4. 如权利要求1所述的，其特征在于，形成所述面铜包括步骤： 在所述凹槽图形及所述铜箔层表面形成金属种子层；以及 采用电镀的方式在所述金属种子层表面形成电镀铜层，形成于凹槽图形内及铜箔层表 面的所述电镀铜层与所述金属种子层共同构成所述面铜。5. 如权利要求1所述的，其特征在于，形成所述导电线路包括步骤： 在所述面铜的表面形成光致抗蚀剂层； 对所述光致抗蚀剂层进行曝光及显影，使得与所述凹槽图形对应的部分光致抗蚀剂层 留在面铜表面，使得与铜箔层对应的部分光致抗蚀剂层被去除； 采用化学蚀刻的方式，将未被光致抗蚀剂层覆盖的面铜、被面铜覆盖的铜箔层去除，被 光致抗蚀剂层覆盖的面铜形成导电线路，凸出于介电层的部分导电线路的截面呈梯形；以 及 去除所述光致抗蚀剂层。6. -种，包括步骤： 提供覆铜基板，所述覆铜基板包括介电层、形成于介电层一表面的第一铜箔层及形成 于介电层另一相对表面的第二铜箔层； 在所述覆铜基板内形成第一凹槽图形和第二凹槽图形，所述第一凹槽图形贯穿所述第 一铜箔层并延伸至与第一铜箔层相邻的部分介电层，所述第一凹槽图形的形状与分布与待 形成的第一导电线路相对应，所述第二凹槽图形贯穿所述第二铜箔层并延伸至与第二铜箔 层相邻的部分介电层，所述第二凹槽图形的形状与分布与待形成的第二导电线路相对应； 在所述第一凹槽图形内及第一铜箔层表面形成第一面铜，所述第一面铜完全填充所述 第一凹槽图形，在所述第二凹槽图形内及第二铜箔层表面形成第二面铜，所述第二面铜完 全填充所述第二凹槽图形；以及 去除所述第一铜箔层及覆盖于所述第一铜箔层表面的第一面铜，位于所述第一凹槽图 形内的第一面铜及覆盖第一凹槽图形的面铜构成导电线路。7. 如权利要求6所述的，其特征在于，所述第一凹槽图形和第二凹槽 图形采用准分子激光烧蚀形成。8. 如权利要求7所述的，其特征在于，形成所述凹槽图形包括步骤： 在所述第一铜箔层的表面形成第一黑化层，并在所述第二铜箔层表面形成第二黑化 层； 采用准分子激光从第一黑化层一侧烧蚀形成第一凹槽图形，从第二黑化层一侧烧蚀形 成第二凹槽图形；以及 去除所述第一黑化层和第二黑化层。9. 如权利要求6所述的，其特征在于，形成所述第一面铜和第二面铜 包括步骤： 在所述第一凹槽图形内、第二凹槽图形内、所述第一铜箔层表面及第二铜箔层表面形 成金属种子层；以及 采用电镀的方式在所述金属种子层表面形成电镀铜层，形成于第一凹槽图形内及第一 铜箔层表面的所述电镀铜层与所述金属种子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路板制作方法，包括步骤：提供覆铜基板，所述覆铜基板包括介电层及形成于介电层一表面的铜箔层；在所述覆铜基板内形成凹槽图形，所述凹槽图形贯穿所述铜箔层并延伸至与铜箔层相邻的部分介电层，所述凹槽图形的形状与分布与待形成的导电线路相对应；在所述凹槽图形内及铜箔层表面形成面铜，所述面铜完全填充所述凹槽图形；以及去除所述铜箔层及覆盖于所述铜箔层表面的面铜，位于所述凹槽图形内的面铜及覆盖凹槽图形的面铜构成导电线路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许哲玮，贺圣元，
申请(专利权)人：富葵精密组件深圳有限公司，臻鼎科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44