阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，属于液晶显示领域。其中，该阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有栅线、数据线、薄膜晶体管、公共电极、像素电极和钝化层，所述栅线和数据线交叉限定出多个像素区域，所述薄膜晶体管包括与所述栅线连接的栅电极、与所述数据线连接的源电极和与所述像素电极连接的漏电极，所述栅电极上方设置有导电图形，所述栅电极在垂直于衬底基板的方向上的投影落入所述导电图形内。本发明专利技术的技术方案能够消除显示装置的暗区现象，提高显示装置的显示质量。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，属于液晶显示领域。其中，该阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有栅线、数据线、薄膜晶体管、公共电极、像素电极和钝化层，所述栅线和数据线交叉限定出多个像素区域，所述薄膜晶体管包括与所述栅线连接的栅电极、与所述数据线连接的源电极和与所述像素电极连接的漏电极，所述栅电极上方设置有导电图形，所述栅电极在垂直于衬底基板的方向上的投影落入所述导电图形内。本专利技术的技术方案能够消除显示装置的暗区现象，提高显示装置的显示质量。【专利说明】阵列基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及液晶显示领域，特别是指一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
随着 TFT 产业的进步及工艺的改善，ADS (ADvanced Super Dimension Switch，高 级超维场转换）广视角技术已被应用到越来越多的产品当中，包括手机、数码相机、平板电 脑、笔记本电脑、及液晶电视等，其优良的显示特性已被越来越多的用户所推崇，市场竞争 力很强。 ADS技术是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电 极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子 都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以 提高TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显 示器）产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤 压水波纹（push Mura)等优点。 现有ADS阵列基板的结构如图1和图2所示，在衬底基板1上形成有栅线、数据线、 薄膜晶体管、公共电极9、像素电极4、有源层5、钝化层8和栅绝缘层3,栅线和数据线交叉 限定出多个像素区域，薄膜晶体管包括与栅线连接的栅电极2、与数据线连接的源电极7和 与像素电极4连接的漏电极6。如图1所示，公共电极图形包括有多个镂空区域S，镂空区 域S的宽度为d，长度不大于一个像素区域的长度，图中区域Μ为公共电极和像素电极交叠 的区域，在镂空区域S下端的虚线框内区域会因为液晶取向紊乱形成暗区，严重影响显示 面板的透过率，对显示面板的显示造成影响；同时，在显示面板工作时，栅电极形成的电场 往往会影响液晶偏转，在栅电极附近区域造成漏光，为了使公共电极能够遮挡住漏光处，镂 空区域S的末端需要和栅电极保持至少为a的距离，这样镂空区域S末端形成的暗区在像 素区域中的位置会比较靠上，将进一步影响显示面板的光效。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够消 除显示装置的暗区现象，提高显示装置的显示质量。 为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下： 一方面，提供一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有栅线、数据线、 薄膜晶体管、公共电极、像素电极和钝化层，所述栅线和数据线交叉限定出多个像素区域， 所述薄膜晶体管包括与所述栅线连接的栅电极、与所述数据线连接的源电极和与所述像素 电极连接的漏电极，其中，所述栅电极上方设置有导电图形，所述栅电极在垂直于衬底基板 的方向上的投影落入所述导电图形内。 进一步地，所述导电图形位于所述栅电极和所述公共电极之间。 进一步地，所述导电图形与所述薄膜晶体管之间间隔有绝缘层，所述导电图形与 所述公共电极之间间隔有所述钝化层。 进一步地，所述导电图形通过所述绝缘层上的过孔与所述源电极或漏电极连接。 进一步地，所述导电图形的材料为Mo、Al、Ag、Pt、Cr、ΙΤ0或ΙΖ0。 进一步地，所述公共电极的图形包括有多个镂空区域。 进一步地，公共电极的图形中的镂空区域延伸至像素区域下端的黑矩阵遮挡区。 进一步地，所述镂空区域的长度大于一个像素区域的长度。 本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。 本专利技术实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括衬底基板， 所述衬底基板上形成有栅线、数据线、薄膜晶体管、公共电极、像素电极、有源层、钝化层和 栅绝缘层，所述栅线和数据线交叉限定出多个像素区域，所述薄膜晶体管包括与所述栅线 连接的栅电极、与所述数据线连接的源电极和与所述像素电极连接的漏电极，其中，所述制 作方法包括：在所述栅电极上方形成导电图形，使所述栅电极在垂直于衬底基板的方向上 的投影落入所述导电图形内。 进一步地，所述在所述栅电极上方形成导电图形包括： 在所述栅电极和所述公共电极之间形成所述导电图形。 进一步地，所述制作方法还包括： 在所述导电图形与所述薄膜晶体管之间形成绝缘层； 在所述导电图形与所述公共电极之间形成所述钝化层。 进一步地，形成所述绝缘层包括： 在所述绝缘层上形成过孔，使所述导电图形通过所述过孔与所述源电极或漏电极 连接。 进一步地，所述制作方法还包括： 形成包括有多个镂空区域的公共电极的图形。 进一步地，公共电极的图形中的镂空区域延伸至像素区域下端的黑矩阵遮挡区。 进一步地，使所述镂空区域的长度大于一个像素区域的长度。 本专利技术的实施例具有以下有益效果： 上述方案中，阵列基板上设置有导电图形，该导电图形覆盖在薄膜晶体管的栅电 极上方，该导电图形能够屏蔽栅电极产生的电场，避免栅电极附近区域出现漏光；同时，由 于该导电图形的存在，公共电极图形不必再对栅电极进行遮挡，公共电极图形中的镂空区 域可以延伸至像素区域下端的黑矩阵遮挡区，这样即使在镂空区域末端形成显示暗区，该 显示暗区也会被黑矩阵遮挡而不会影响正常显示，从而能够消除显示装置的暗区现象，提 高显示装置的显示质量。 【专利附图】【附图说明】 图1为现有ADS阵列基板的平面示意图； 图2为图1所示ADS阵列基板AA'方向上的截面示意图； 图3为本专利技术实施例一阵列基板的平面示意图； 图4为图3所示阵列基板AA'方向上的截面示意图； 图5为本专利技术实施例二阵列基板AA'方向上的截面示意图； 图6为图5所示阵列基板导电图形上方的结构示意图； 图7为图5所示阵列基板导电图形下方的结构示意图； 图8为图5所示阵列基板AA'方向上的截面示意图； 图9为本专利技术实施例三阵列基板AA'方向上的截面示意图。 【具体实施方式】 为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合 附图及具体实施例进行详细描述。 本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够消除显示装置 的暗区现象，提高显示装置的显示质量。 本专利技术实施例提供了 一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有栅线、 数据线、薄膜晶体管、公共电极、像素电极和钝化层，所述栅线和数据线交叉限定出多个像 素区域，所述薄膜晶体管包括与所述栅线连接的栅电极、与所述数据线连接的源电极和与 所述像素电极连接的漏电极，其中，所述栅电极上方设置有导电图形，所述栅电极在垂直于 衬底基板的方向上的投影落入所述导电图形内。 本专利技术的阵列基板上设置有导电图形，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有栅线、数据线、薄膜晶体管、公共电极、像素电极和钝化层，所述栅线和数据线交叉限定出多个像素区域，所述薄膜晶体管包括与所述栅线连接的栅电极、与所述数据线连接的源电极和与所述像素电极连接的漏电极，其特征在于，所述栅电极上方设置有导电图形，所述栅电极在垂直于衬底基板的方向上的投影落入所述导电图形内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姜文博，包智颖，肖文俊，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11