【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
TFT-LCD(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay,薄膜晶体管-液晶显示器)作为一种平板显示装置,因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点,而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。TFT-LCD由阵列基板和彩膜基板构成。在阵列基板和彩膜基板之间设置液晶层,通过分别向设置于阵列基板上的像素电极、设置于彩膜基板或阵列基板上的公共电极施加电压,从而在液晶层中形成电场。然后,通过调节电场的幅值来调节穿过液晶层的光线的透射率,以获得预期的显示图像。当上述公共电极和像素电极均设置在阵列基板上时,所述公共电极和所述像素电极可以异层设置,其中位于上层的电极为狭缝状电极,位于下层的电极为板状电极(或狭缝状电极)。采用上述阵列基板构成的显示装置为AD-SDS(Advanced-SuperDimensionalSwitching,简称为ADS,高级超维场开关)型显示装置。例如,如图1所示,公共电极10为板状电极位于阵列基板上多个堆叠的薄膜层的最下层,像素电极11为狭缝状电极位于阵列基板上多个堆叠的薄膜层的最上层。该显示装置通过同一平面内狭缝状电极(像素电极11)边缘所产生的电场以及狭缝状电极(像素电极11)与板状电极(公共电极10)间形成多维电场,使液晶层内狭缝状电极间、电极正上方的所有取向液晶分子都能够产生旋转,从而提高了液晶工作效率并增大了透光率。因此ADS型显示装置具有高画面品质、高分辨率、高透过 ...
【技术保护点】
一种阵列基板,包括用于提供公共电压的外围公共电极线和多个像素单元;其特征在于,还包括多个第一连接部和第二连接部;所述第一连接部沿第一方向,设置于所述外围公共电极线与靠近所述外围公共电极线一侧像素单元的公共电极之间,用于将所述外围公共电极线与所述公共电极电连接;所述第二连接部沿所述第一方向,设置于每两个相邻所述像素单元的公共电极之间,用于将所述两个相邻像素单元的公共电极电连接。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,包括用于提供公共电压的外围公共电极线和多个像素单元;其特征在于,还包括多个第一连接部和第二连接部;所述第一连接部沿第一方向,设置于所述外围公共电极线与靠近所述外围公共电极线一侧像素单元的公共电极之间,用于将所述外围公共电极线与所述公共电极电连接;所述第二连接部沿所述第一方向,设置于每两个相邻所述像素单元的公共电极之间,用于将所述两个相邻像素单元的公共电极电连接;还包括沿第二方向,设置于所述外围公共电极线与靠近所述外围公共电极线一侧像素单元的公共电极之间的,与所述外围公共电极线相连接的附加线;所述第一连接部与所述附加线相连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述阵列基板包括栅线情况下,所述第一连接部、所述第二连接部与所述栅线同层同材料。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括多个第三连接部,沿第二方向,设置于两个相邻所述像素单元之间,用于将所述两个相邻像素单元的公共电极电连接。4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,在所述阵列基板包括数据线的情况下,所述第三连接部包括分别设置于所述两个相邻像素单元的公共电极表面,与栅线同层同材料的第一孤岛;位于所述第一孤岛表面的第一过孔;与所述数据线同层同材料的第一跨线;其中,所述第一跨线沿所述第二方向,通过所述第一过孔,将所述两个相邻像素单元的公共电极电连接。5.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,还包括多个第四连接部,沿所述第二方向,设置于所述外围公共电极线与靠近所述外围公共电极线一侧的像素单元的公共电极之间,用于将所述外围公共电极线与所述公共电极电连接。6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,在所述阵列基板包括数据线的情况下,所述第四连接部包括设置于靠近所述外围公共电极线一侧像素单元的公共电极表面,与栅线同层同材料的第二孤岛;位于所述第二孤岛表面的第二过孔以及位于所述外围公共电极线表面的第三过孔;与所述数据线同层同材料的第二跨线;其中,所述第二跨线沿第二方向,通过所述第二过孔、第三过孔,将所述外围公共电极线与靠近所述外围公共电极线一侧像素单元的公共电极电连接。7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一连接部与所述外围公共电极线相连接。8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一连接部或第二连接部沿所述第二方向的宽度为所述像素单元沿所述第二方向宽度的1/40~1/15。9.一种显示装置,包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。10.一种阵列基板的制备方法,包括制作用于提供公共电压的外围公共电极线和多个像素单元的方法;其特征在于,还包括:沿第一方向,在所述外围公共电极线与靠近所述外围公共电极线一侧像素单元的公共电极之间形成第一连接部,用于...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯伟,
申请(专利权)人:合肥鑫晟光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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