一体式熔断器制造技术

本实用新型专利技术公开了一体式熔断器，包括绝缘壳体和熔体，所述绝缘壳体的一侧向内凹陷形成容置腔；所述熔体包括熔断部、第一导电端和第二导电端，所述熔断部设置于所述容置腔内，所述熔断部的两端分别连接于所述第一导电端和所述第二导电端，所述第一导电端和所述第二导电端伸出所述容置腔；所述容置腔内设置有屏蔽所述熔断部的屏蔽层。根据本实用新型专利技术提供的一体式熔断器，其结构简单、性能稳定，生产成本和使用成本较低。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一体式熔断器，包括绝缘壳体和熔体，所述绝缘壳体的一侧向内凹陷形成容置腔；所述熔体包括熔断部、第一导电端和第二导电端，所述熔断部设置于所述容置腔内，所述熔断部的两端分别连接于所述第一导电端和所述第二导电端，所述第一导电端和所述第二导电端伸出所述容置腔；所述容置腔内设置有屏蔽所述熔断部的屏蔽层。根据本技术提供的一体式熔断器，其结构简单、性能稳定，生产成本和使用成本较低。【专利说明】一体式熔断器
本技术涉及一种电器安全保护装置，尤其涉及一种实现短路和过载保护的熔断器。
技术介绍
熔断器通常包括熔体、包覆熔体的绝缘管和固定连接于绝缘管两端并与熔体电连接的端帽。外部电路电两端帽以使电流流过熔体，当流过熔体的电流超过规定值时，熔体本身产生的热量使熔体熔断，断开电路，从而起到短路和过电流的保护的作用，是应用最普遍的电路保护器件之一。 目前的熔断器，熔体和端帽呈分体结构，其一方面使得熔断器的结构比较复杂，生产成本较高，另一方面，呈分体结构的熔体和端帽生产组装不当容易出现接触不良的情况，影响电路的正常运行。 因此，需要提供一种结构简单、性能稳定的熔断器，以降低熔断器的生产和使用成本。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种结构简单、性能稳定的熔断器，以降低熔断器的生产和使用成本。 为了实现上述目的，本技术公开了一体式熔断器，包括绝缘壳体和熔体，所述绝缘壳体的一侧向内凹陷形成容置腔；所述熔体包括熔断部、第一导电端和第二导电端，所述熔断部设置于所述容置腔内，所述熔断部的两端分别连接于所述第一导电端和所述第二导电端，所述第一导电端和所述第二导电端伸出所述容置腔；所述容置腔内设置有屏蔽所述熔断部的屏蔽层。 与现有技术相比，本技术提供的一体式熔断器，于绝缘壳体的一侧向内凹陷形成容置腔，使得容置腔仅于绝缘壳体的一侧开口，其一方面方便将熔体装入容置腔内并进行定位，另一方面方便对位于容置腔内的熔体进行屏蔽；熔断部、第一导电端和第二导电端相连接，且第一导电端和第二导电端伸出容置腔以便连接外部的电源，其一方面简化一体式熔断器的结构和生产工艺，另一方面降低一体式熔断器接触不良的可能性。根据本技术提供的一体式熔断器，其结构简单、性能稳定，生产成本和使用成本较低。 较佳的，所述第一导电端和所述第二导电端沿所述容置腔的内壁伸出所述容置腔并向所述绝缘壳体的两侧外壁弯折；其一方面可以定位熔体和绝缘壳体的相对位置，另一方面，将一体式熔断器卡接于电路中时，伸出至绝缘壳体两侧外壁的第一导电端和第二导电端可方便地与外部电路电连接。 在一实施例中，所述熔体还包括弹力部，两所述弹力部的一端分别连接于所述熔断部，两所述弹力部的另一端分别连接于所述第一导电端和所述第二导电端；所述绝缘壳体具有容置所述弹力部并供所述弹力部发生弹性变形的避让腔；当一体式熔断器通电时，熔体发热膨胀，驱动弹力部于避让腔内发生弹性变形，从而使得熔体在一定范围内发生变形而不会导致熔体断开，避免一体式熔断器在正常工况下断开而影响电器件的正常使用。 具体的，所述熔体的两侧设置有定位凸块，所述定位凸块的上方设置有盖板；所述盖板和所述绝缘壳体的底部围成所述避让腔。 具体的，所述容置腔的内壁向所述容置腔内凸伸形成所述定位凸块。 具体的，所述盖板连接于所述容置腔，所述盖板构成所述屏蔽层。 在一优选实施例中，所述盖板上侧和/或周侧设有粘结所述容置腔和所述盖板的粘结剂。 在另一优选实施例中，所述盖板上侧设置有所述屏蔽层。 较佳的，所述弹力部的弹性变形方向与所述一体式熔断器的通电方向一致；熔体通常于通电方向上设置一强度较弱、受热过度会融化的熔断部，当熔体受热发生形变时，熔断部即使熔体容易断开的薄弱位置，将弹力部的弹性变形方向与一体式熔断器的通电方向一致，以减少薄弱的熔断部受到的形变应力，从而减少熔体断开的可能性。 在另一实施例中，所述容置腔内填充有屏蔽介质形成所述屏蔽层。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术一体式熔断器的立体结构示意图。 图2为本技术一体式熔断器第一实施例的剖面图。 图3为本技术一体式熔断器第一实施例的分解示意图。 图4为本技术一体式熔断器第一实施例的俯视图。 图5为本技术一体式熔断器第二实施例的剖面图。 【具体实施方式】 为详细说明本技术的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。 图1-图4所示为本技术一体式熔断器第一实施例的示意图。 如图1和图2所示的一体式熔断器，包括绝缘壳体100、熔体200和屏蔽层300。绝缘壳体100的一侧向内凹陷形成容置腔110，使得容置腔110的周侧封闭、仅上部开口 ；熔体200包括熔断部210、第一导电端220和第二导电端230，熔断部210设置于容置腔110内，熔断部210的两端分别连接于第一导电端220和第二导电端230，第一导电端220和第二导电端230伸出容置腔110 ;屏蔽层300设置于容置腔110内以屏蔽熔断部210。结合图3和图4所示，更具体的: 如图3所示，容置腔110的底部和侧壁封闭、仅顶部开口。熔体200包括熔断部210、第一导电端220、第二导电端230和两弹力部240。两弹力部240的一端分别连接于熔断部210 ;两弹力部240的另一端分别连接于第一导电端220和第二导电端230。其中，熔断部210和两弹力部240设置于容置腔110内，第一导电端220和第二导电端230沿容置腔110的内壁伸出容置腔110并向绝缘壳体100的两侧外壁弯折；第一导电端220和第二导电端230向绝缘壳体100的两侧外壁弯折的设置，一方面可以定位熔体200和绝缘壳体100的相对位置，使得熔断部210和两弹力部240悬设于容置腔110内，另一方面，将一体式熔断器卡接于电路中时，伸出至绝缘壳体100两侧外壁的第一导电端220和第二导电端230可方便地与外部电路电连接。 熔体200通常于通电方向上设置一强度较弱、受热过度会融断的熔断部位(在本实施例中，即为熔断部210)，当熔体200受热发生形变时，熔断部210构成使熔体200断开的薄弱位置；本技术提供的一体式熔断器，弹力部240的弹性变形方向与一体式熔断器的通电方向一致，以减少薄弱的熔断部210受到的形变应力，从而减少熔体200断开的可能性。在本实施例中，将熔断部210设置于两弹力部240之间，通过两侧的弹力部240吸收形变应力，减少熔断部210的受力，从而减少熔断部210在形变应力作用下发生断裂的可能性。较佳的，弹力部240呈波浪状或S状，当然弹力部240亦可以为其他弹性结构。 进一步的，绝缘壳体100还具有容置弹力部210并供弹力部210发生弹性变形的避让腔112。具体的，请参阅图3所示，容置腔110的底部向上凸伸形成定位凸块120。定位凸块120的位置请结合图4所示:定位凸块120共有四个，四个定位凸块120对称的设置于容置腔110的两侧；定位凸块120从容置腔110的底部和侧壁的连接处向外凸伸形成。进一步的，定位凸块120亦可以由容置腔110的侧壁向容置腔110内凸伸形成。在本实施例中，定位凸块1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种一体式熔断器，包括绝缘壳体和熔体，其特征在于：所述绝缘壳体的一侧向内凹陷形成容置腔；所述熔体包括熔断部、第一导电端和第二导电端，所述熔断部设置于所述容置腔内，所述熔断部的两端分别连接于所述第一导电端和所述第二导电端，所述第一导电端和所述第二导电端伸出所述容置腔；所述容置腔内设置有屏蔽所述熔断部的屏蔽层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何旭斌，赵志成，郭晓冬，
申请(专利权)人：东莞市博钺电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44