注入锁定振荡器及无线接收射频前端制造技术

本实用新型专利技术涉及一种注入锁定振荡器及无线接收射频前端；包括一个低噪声放大器和一个混频器，低噪声放大器采用注入锁定振荡器实现，注入锁定振荡器采用共栅注入实现了注入端的宽频带阻抗匹配，电容交叉耦合注入提高了注入效率和注入锁定的频率范围；以此注入锁定振荡器作为低噪声放大器，既能实现输入端的阻抗匹配，又能实现信号的放大；输入到无线收发射频前端的输入端的射频信号作为注入锁定振荡器的注入信号，注入锁定振荡器的输出信号在频率/相位上跟随注入信号、在幅度上进行了放大；注入锁定振荡器的输出信号通过混频器与本振信号混频后输出中频信号，供后续的电路进行处理；该无线收发射频前端能实现频率调制信号、相位调制信号的接收。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
注入锁定振荡器及无线接收射频前端， 包括一个低噪声放大器和一个混频器，低噪声放大器的同相输入端作为无线收发射频前端的同相输入端，低噪声放大器的反相输入端作为无线收发射频前端的反相输入端，低噪声放大器的同相输出端接混频器的第一输入端，低噪声放大器的反相输出端接混频器的第二输入端；混频器的第三输入端接无线收发射频前端的本振信号同相输入端，混频器的第四输入端接无线收发射频前端的本振信号反相输入端；混频器的第一输出端作为无线收发射频前端的中频同相输出端，混频器的第二输出端作为无线收发射频前端的中频反相输出端；其特征在于：所述的低噪声放大器采用注入锁定振荡器实现，注入锁定振荡器包括两个NMOS管、两个PMOS管、四个电感、两个变容管、两个MIM电容及两个电阻；第一NMOS管的源极、第一MIM电容的一端、第一电感的一端相连，作为注入锁定振荡器的同相输入端；第二NMOS管的源极、第二MIM电容的一端、第二电感的一端相连，作为注入锁定振荡器的反相输入端；第一电容的另一端、第一电阻的一端、第二NMOS管的栅极相连；第二电容的另一端、第二电阻的一端、第一NMOS管的栅极相连；第一电阻的另一端、第二电阻的另一端连接，作为注入锁定振荡器的电压偏置端；第一电感的另一端和第二电感的另一端接地；第一NMOS管的漏极、第一变容管的一端、第三电感的一端、第一PMOS管的漏极、第二PMOS管的栅极连接，作为注入锁定振荡器的同相输出端；第二NMOS管的漏极、第二变容管的一端、第四电感的一端、第二PMOS管的漏极、第一PMOS管的栅极连接，作为注入锁定振荡器的反相输出端；第一变容管的另一端和第二变容管的另一端连接，作为注入锁定振荡器的电压控制端；第三电感的另一端和第四电感的另一端连接；第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极接电源VDD。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高海军，孙玲玲，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：新型
国别省市：浙江;33