均匀扩张的扩晶机制造技术

本实用新型专利技术提供一种均匀扩张的扩晶机，沿互相垂直的两个方向上的芯片切割道方向拉伸蓝膜，使得粘贴在蓝膜上已经切好的晶元均匀扩张、晶元上的芯片互相分离，相邻芯片之间的距离相等，使得后续的测量和分选的工艺占用较少的机器分辨和定位时间，达到芯片级封装或晶元级封装的要求，便于后续的工艺流程。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种均匀扩张的扩晶机，沿互相垂直的两个方向上的芯片切割道方向拉伸蓝膜，使得粘贴在蓝膜上已经切好的晶元均匀扩张、晶元上的芯片互相分离，相邻芯片之间的距离相等，使得后续的测量和分选的工艺占用较少的机器分辨和定位时间，达到芯片级封装或晶元级封装的要求，便于后续的工艺流程。【专利说明】均匀扩张的扩晶机
本技术涉及一种半导体行业和LED行业使用的扩晶机，使得晶元均匀扩张，相邻芯片之间的距离相等，减少后续的测量和分选工艺占用的机器分辨和定位时间，达到晶元级封装的要求，便于后续的工艺流程。
技术介绍
晶元(wafer)上正方形或者矩形芯片的切割道(cutting street)是沿互相垂直的两个方向:X方向和Y方向，设置晶元的平边(flat)与平X方向行。现有的扩晶机(waferexpander)都是沿晶元的半径方向扩张，因此，同一切割道方向上的相邻芯片(chip)之间的距离不相等，使得后续的测量和分选的工艺占用较多的机器分辨和定位时间。另外，芯片级封装(chip scale package)或晶元级封装(wafer level package)要求同一切割道方向上的芯片之间的距离相同。中国专利申请2014102053696提出一个方案，采用四边形顶膜结构扩张蓝膜以及其上的晶元。 但是，仍然需要一种能够更精细的控制扩张的方案，使得扩张后的晶元上的同一切割道方向的芯片之间的距离相同。
技术实现思路
本技术的首要目的是提供一种扩晶机，使得扩张后的晶元上同一切割道方向上相邻的芯片之间的距离相同，芯片之间的沿X方向的距离与沿Y方向的距离相同，使得后续的测量和分选的工艺占用较少的机器分辨和定位时间，满足芯片级封装的要求。第二个目的是提供一种扩晶机，使得扩张后的晶元的相邻的芯片之间在X方向的距离相同，相邻的芯片之间在Y方向的距离相同，芯片之间的沿X方向的距离与沿Y方向的距离不同，因此，适用于矩形芯片，满足芯片级封装的要求。 本技术的扩晶机的工作原理:扩晶机包括:框架结构、X方向拉伸结构、Y方向拉伸结构、压膜结构。设置框架结构、X方向拉伸结构、Y方向拉伸结构和压膜结构，使得扩晶机可以扩张蓝膜，压膜结构使得扩张后的蓝膜保持扩张状态。设置晶元和蓝膜，使得晶元的两个方向上的芯片切割道的方向分别与X方向和Y方向平行，其中，X方向和Y方向互相垂直。X方向拉伸结构沿正、负X方向拉伸蓝膜，Y方向拉伸结构沿正、负Y方向拉伸蓝膜，使得蓝膜分别沿正、负X方向和沿正、负Y方向扩张，蓝膜上的晶元沿互相垂直的两个方向上的芯片切割道方向扩张。压膜结构使得扩张后的蓝膜保持扩张状态。 本技术的扩晶机的实施实例:X方向拉伸结构包括沿Y方向排列的第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元，第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元分别包括相同数目的η个X拉伸单元，分别标记为X拉伸单元X11、X12、......、Χ1η和X拉伸单元Χ21、Χ22、......、 Χ2η。设置第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元，使得第一列X拉伸单元的X拉伸单元与第二列X拉伸单元的X拉伸单元--对应,例如,X拉伸单元Xla与X拉伸单元X2a之间的虚拟的连线与X方向平行，以此类推,X拉伸单元Xln与拉伸单元X2n之间的虚拟的连线与X方向平行，使得第一列X拉伸单元向正X方向拉伸蓝膜，使得第二列X拉伸单元向负X方向拉伸蓝膜。第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元中的每个X拉伸单元被分别控制，可以分别夹紧和放松蓝膜，分别沿X方向往返运动。所述第一列X拉伸单元和所述第二列X拉伸单元中的与晶元上的芯片相对应的X拉伸单元的宽度分别与一个芯片沿Y方向上的宽度相同，其他的X拉伸单元的宽度分别等于或者大于一个芯片沿Y方向上的宽度，一一对应的2个X拉伸单元具有相同的宽度。Y方向拉伸结构包括沿X方向排列的第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元。第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元分别包括相同数目的m 个Y拉伸单元，分别标记为Y拉伸单元Yll、Y12、......、Ylm和Y拉伸单元Υ21、Υ22、......、 Y2m。设置第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元，使得第一列Y拉伸单元的Y拉伸单元与第二列Y拉伸单元的Y拉伸单元--对应,例如,Y拉伸单元Yld与Y拉伸单元Y2d之间的虚拟的连线与Y方向平行，以此类推，Y拉伸单元Ylm与拉伸单元Y2m之间的虚拟的连线与Y方向平行，使得第一列Y拉伸单元向正Y方向拉伸蓝膜，使得第二列Y拉伸单元向负Y方向拉伸蓝膜。第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元中的每个Y拉伸单元被分别控制，可以分别夹紧和放松蓝膜，分别沿Y方向往返运动。第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元中的与晶元上的芯片相对应的Y拉伸单元的宽度分别与一个芯片沿X方向上的宽度相同，其他的Y拉伸单元的宽度分别等于或者大于一个芯片沿X方向上的宽度，一一对应的2个Y拉伸单元具有相同的宽度。 本技术的扩晶机的实施实例:X方向拉伸结构包括沿Y方向排列的第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元，第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元分别包括相同数目的P个X拉伸单元,分别标记为X拉伸单元X31、......、X3p和X拉伸单元X41、......、X4p。 设置第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元，使得第一列X拉伸单元的X拉伸单元与第二列X拉伸单元的X拉伸单元--对应,例如,X拉伸单元X31与X拉伸单元X41之间的虚拟的连线与X方向平行，以此类推,X拉伸单元X3p与拉伸单元X4p之间的虚拟的连线与X方向平行，使得第一列X拉伸单元向正X方向拉伸蓝膜，使得第二列X拉伸单元向负X方向拉伸蓝膜。第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元中的每个X拉伸单元被分别控制，可以分别夹紧和放松蓝膜，分别沿X方向往返运动。第一列X拉伸单元和第二列X拉伸单元中的与晶元上的芯片相对应的X拉伸单元的宽度分别与晶元上的至少两个芯片沿Y方向上的宽度之和相同，其他的X拉伸单元的宽度分别等于或者大于两个芯片沿Y方向上的宽度之和，一一对应的2个X拉伸单元具有相同的宽度。 Y方向拉伸结构包括沿X方向排列的第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元。第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元分别包括相同数目的q个Y拉伸单元，分别标记为Y 拉伸单元Y31、......、Y3q和Y拉伸单元Y41、......、Y4q。设置第一列Y拉伸单元和第二列 Y拉伸单元，使得第一列Y拉伸单元的Y拉伸单元与第二列Y拉伸单元的Y拉伸单元—对应，例如，Y拉伸单元Y31与Y拉伸单元Y41之间的虚拟的连线与Y方向平行，以此类推，Y拉伸单元Y3q与拉伸单元Y4q之间的虚拟的连线与Y方向平行，使得第一列Y拉伸单元向正Y方向拉伸蓝膜，使得第二列Y拉伸单元向负Y方向拉伸蓝膜。第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元中的每个Y拉伸单元被分别控制，可以分别夹紧和放松蓝膜，分别沿Y方向往返运动。第一列Y拉伸单元和第二列Y拉伸单元中的与晶元上的芯片相对应的Y拉伸单元的宽度分别与晶元上的至少两个芯片沿Y方向上的宽度之和相同，其他的Y拉伸单元的宽度分别等于或者大于两个芯片沿X方向上的宽度之和，一一对应的2个Y拉伸单元具有相同的宽度。 本技术的扩晶机的实施实例:扩晶机进一步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扩晶机，包括：框架结构、X方向拉伸结构、Y方向拉伸结构、压膜结构；设置框架结构、X方向拉伸结构、Y方向拉伸结构和压膜结构，使得所述X方向拉伸结构和所述Y方向拉伸结构可以扩张蓝膜，所述压膜结构使得扩张后的蓝膜保持扩张状态；其特征在于，所述X方向拉伸结构沿正、负X方向拉伸蓝膜，所述Y方向拉伸结构沿正、负Y方向拉伸蓝膜，使得蓝膜分别沿正、负X方向和沿正、负Y方向扩张；其中，所述X方向和所述Y方向互相垂直。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭晖，李文玉，王华，宋定洁，张亚菲，黄映仪，
申请(专利权)人：佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心，彭晖，
类型：新型
国别省市：广东;44