双岛SOP封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双岛SOP封装结构，包括引线框架和塑封体，所述引线框架包括内引脚和载片区，所述载片区包括一大一小两个且相互分离、互不连通，第一载片区为长方形的一角缺失一缺口形成的“L”型结构，第二载片区为包括相互连接为一体的旗杆部和旗面部的旗状结构，其中所述旗面部为长方形且设于所述缺口处，所述旗杆部自所述旗面部向对面的内引脚延伸，所述第二载片区和第一载片区的面积比为0.2:1～0.9:1。本实用新型专利技术在需要同时封装一大一小的芯片时，可以满足更大的尺寸要求。更大的载片区意味着更好的散热能力，因此对大功率芯片的散热能力得到增强，在封装一大功率和一小功率芯片时，能够改善两个载片区温升不均衡的问题。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种双岛SOP封装结构，包括引线框架和塑封体，所述引线框架包括内引脚和载片区，所述载片区包括一大一小两个且相互分离、互不连通，第一载片区为长方形的一角缺失一缺口形成的“L”型结构，第二载片区为包括相互连接为一体的旗杆部和旗面部的旗状结构，其中所述旗面部为长方形且设于所述缺口处，所述旗杆部自所述旗面部向对面的内引脚延伸，所述第二载片区和第一载片区的面积比为0.2:1～0.9:1。本技术在需要同时封装一大一小的芯片时，可以满足更大的尺寸要求。更大的载片区意味着更好的散热能力，因此对大功率芯片的散热能力得到增强，在封装一大功率和一小功率芯片时，能够改善两个载片区温升不均衡的问题。【专利说明】双岛SOP封装结构
本技术涉及半导体器件封装，特别是涉及一种双岛SOP封装结构。
技术介绍
近几十年来，芯片封装技术一直随着集成电路技术的发展而发展。封装结构是指半导体集成电路芯片用的外壳，其不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其它器件相连接。因此，封装结构一般包括用于安装、固定及引线的引线框架，同时还包括用于保护芯片、密封并与引线框架相匹配的封装体(Package Body)。 引线框架包括用于焊接半导体芯片、位于引线框架中心区域的载片区，以及布置于载片区周围的引脚。在封装时，先将半导体芯片布置于载片区，然后用封装体(例如环氧树脂等塑封料)塑封半导体芯片和引线框架。 传统的S0P(Small Outline Package,小外形封装)的双岛框架，两个载片区是尺寸相近的长方形结构。在实际应用中会遇到需要封装的芯片为一大一小、其中较大的芯片尺寸大于载片区的承载能力的情况。以及遇到两芯片的功率一大一小、载片区难以满足较大功率芯片的散热需求的情况。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种能够同时适用于封装一大一小双芯片，以及封装一大功率芯片和一小功率芯片的需求的双岛SOP封装结构。 一种双岛SOP封装结构，包括引线框架和塑封体，所述引线框架包括内引脚和载片区，所述载片区包括一大一小两个且相互分离、互不连通，第一载片区为长方形的一角缺失一缺口形成的“L”型结构，第二载片区为包括相互连接为一体的旗杆部和旗面部的旗状结构，其中所述旗面部为长方形且设于所述缺口处，所述旗杆部自所述旗面部向对面的内弓I脚延伸，所述第二载片区和第一载片区的面积比为0.2:1?0.9:1。 在其中一个实施例中，所述内引脚的数量为8，两侧各设有4根，其中一根内引脚与所述旗杆部连成一体。 在其中一个实施例中，邻近所述旗面部的4根内引脚中，中间的两根为“T”型结构，两边的各一根为“L”型结构；另一侧的4根内引脚中，邻近所述与旗杆部连成一体的内引脚的一根为“T”型结构，另两根连接于所述第一载片区上。 在其中一个实施例中，所述内引脚的数量为7。 在其中一个实施例中，所述塑封体为环氧树脂塑封体。 在其中一个实施例中，所述第一载片区为外露岛结构，所述封装结构还包括与所述第一载片区的尺寸相匹配的散热片。 在其中一个实施例中，所述散热片外露于所述封装结构贴片时与电路板接触的一面。 在其中一个实施例中，所述散热片外露于所述封装结构贴片时背离电路板的一面。 在其中一个实施例中，所述散热片为铜片。 在其中一个实施例中，所述缺口为长方形缺口。 上述双岛SOP封装结构,将载片区设置为一大一小的结构,在需要同时封装一大一小的芯片时，可以满足更大的尺寸要求。大载片区的“L”型结构凸出来的一部分虽然对承载更大尺寸的芯片没什么帮助，但更大的载片区意味着更好的散热能力，因此对大功率芯片的散热能力得到增强，在封装一大功率和一小功率芯片时，能够改善两个载片区温升不均衡的问题。 【专利附图】【附图说明】 通过附图中所示的本技术的优选实施例的更具体说明，本技术的上述及其它目的、特征和优势将变得更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分，且并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本技术的主旨。 图1是一实施例中引线框架的示意图。 【具体实施方式】 为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的首选实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。 需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。 除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。 本技术的双岛SOP封装结构包括引线框架和塑封体，引线框架包括内引脚和载片区。请参看图1，载片区包括一大一小两个，且相互分离、互不连通。大载片10为长方形的一角缺失一缺口形成的“L”型结构。小载片区20为包括相互连接为一体的旗杆部22和旗面部24的旗状结构，其中旗面部24为长方形且设于“L”型结构缺口处，旗杆部22自旗面部24向对面的内引脚延伸。小载片区20和大载片区10的面积比在0.2:1?0.9:1之间。两载片区上各粘接一粒芯片，实现衬底的隔离。芯片可以通过绝缘胶或导电胶粘接于载片区上。 上述双岛SOP封装结构,将载片区设置为一大一小的结构,在需要同时封装一大一小的芯片时，可以满足更大的尺寸要求。大载片区10的“L”型结构凸出来的一部分虽然对承载更大尺寸的芯片没什么帮助，但更大的载片区意味着更好的散热能力，因此对大功率芯片的散热能力得到增强，在封装一大功率和一小功率芯片时，能够改善两个载片区温升不均衡的问题。 图1所示实施例为S0P-8类型的封装结构，两侧各设有4根、共设8根内引脚(图1中编号为I?8)，其中内引脚8与旗杆部22连成一体。左侧邻近旗面部24的4根内引脚中，中间的两根内引脚2和3为“T”型结构，两边的各一根内引脚I和4为“L”型结构。右侧的4根内引脚中，邻近内引脚8的内引脚7为“T”型结构，另两根内引脚5和6连接于大载片区10上。 在其它实施例中，本技术的双岛SOP封装结构同样适用于设有7根引脚的S0P-7类型的封装。 为了更好地对芯片进行散热，在其中一个实施例中，将大载片区10设置为外露岛结构，同时为大载片区10设置外露的散热片，制造时在塑封体上形成与散热片的尺寸相匹配的开口。散热片可以设置于与印刷电路板(PCB)相接触的一面，散热片通过直接接触PCB板进行散热。也可以将散热片设于背离PCB的一面，散热片通过空气进行散热。在其它实施例中，还可以将小载片区20也设置为外露岛本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双岛SOP封装结构，包括引线框架和塑封体，所述引线框架包括内引脚和载片区，其特征在于，所述载片区包括第一载片区和第二载片区两个且相互分离、互不连通，所述第一载片区为长方形的一角缺失一缺口形成的“L”型结构，所述第二载片区为包括相互连接为一体的旗杆部和旗面部的旗状结构，其中所述旗面部为长方形且设于所述缺口处，所述旗杆部自所述旗面部向对面的内引脚延伸，所述第二载片区和第一载片区的面积比为0.2:1～0.9:1。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪德文，谢文华，王云峰，吕劲锋，
申请(专利权)人：深圳深爱半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44