基于ITO加热片的金属膜电极的制作方法技术

本发明专利技术公开了基于ITO加热片的金属膜电极的制作方法，首先将ITO基板依次用丙酮溶液、无水乙醇和去离子水各超声处理10分钟；用氧等离子清洗机清洗7分钟，使得ITO基板表面清洗干净；把ITO基板移至手套箱中；将ITO基板的一面和掩膜板完全贴合；把ITO基板和掩膜板移至真空蒸镀系统的真空腔室内的基片架上；将真空腔室中的氮气气体抽出，用功率为600w的电子束溅射金属，金属受热开始蒸发，同时用膜厚仪的晶振片检测溅射速率，当速率能稳定达到20Å/S时，打开挡板；此时，金属分子开始蒸镀到ITO基板上。本发明专利技术电极上电阻分布均匀，压降均匀，使得ITO面板生热均匀，没有使用胶体等有机物，避免了电极的老化现象。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了基于ITO加热片的金属膜电极的制作方法，首先将ITO基板依次用丙酮溶液、无水乙醇和去离子水各超声处理10分钟；用氧等离子清洗机清洗7分钟，使得ITO基板表面清洗干净；把ITO基板移至手套箱中；将ITO基板的一面和掩膜板完全贴合；把ITO基板和掩膜板移至真空蒸镀系统的真空腔室内的基片架上；将真空腔室中的氮气气体抽出，用功率为600w的电子束溅射金属，金属受热开始蒸发，同时用膜厚仪的晶振片检测溅射速率，当速率能稳定达到20?/S时，打开挡板；此时，金属分子开始蒸镀到ITO基板上。本专利技术电极上电阻分布均匀，压降均匀，使得ITO面板生热均匀，没有使用胶体等有机物，避免了电极的老化现象。【专利说明】基于ITO加热片的金属膜电极的制作方法
本专利技术主要涉及金属膜电极制作领域，尤其涉及一种基于Ι--加热片的金属膜电 极的制作方法。
技术介绍
针对LCD ( Liquid Crystal Display )在低温不能工作的情况，通过采用ΙΤ0 (Indium Tin Oxides)玻璃面板用作加热片，以此作为IXD工作时的加热元件，使得IXD屏 在低温时通过ΙΤ0面板的生热到达工作时的温度要求。目前ΙΤ0面板的电极主要通过涂覆 导电银浆的方式制作，但通过这种方式涂覆的导电银浆不均匀，造成电流分布不均匀，局部 生热现象严重。且长时间工作，会导致导电银浆的老化、脱落，影响IXD器件的工作。
技术实现思路
本专利技术目的就是为了弥补已有技术的缺陷，提供一种基于ΙΤ0加热片的金属膜电 极的制作方法，用真空蒸镀的方式蒸镀一层金属电极膜，形成均匀的电极，使得流过整个 ΙΤ0面板的电流均匀，产生的热量均匀。 本专利技术是通过以下技术方案实现的： 基于ΙΤ0加热片的金属膜电极的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： (1) 首先将ΙΤ0基板依次用丙酮溶液、无水乙醇和去离子水各超声处理8-12分钟；其 中丙酮溶液的浓度为99%-99. 5%，主要是清洗ΙΤ0玻璃基板上的有机物，无水乙醇主要是清 洗残留的丙酮溶液，去离子水是清洗残留的无水乙醇和ΙΤ0基板表面的颗粒物； (2) 然后用氧等离子清洗机清洗5-10分钟，使得ΙΤ0基板表面清洗干净； (3) 再把ΙΤ0基板移至手套箱中，在手套箱中将ΙΤ0基板和掩膜板固定；手套箱参数为： 氧含量〈〇· lppm，水含量〈0· Olppm); (4) 在手套箱中将ΙΤ0基板的一面和掩膜板完全贴合，掩膜板的作用是制备电极部分， 在蒸镀时，金属只蒸镀到ΙΤ0基板的电极部分； (5) 把ΙΤ0基板和掩膜板移至真空蒸镀系统的真空腔室内的基片架上，真空蒸镀系统 包括有真空腔室，真空腔室的一侧开孔并密封连接冷凝泵，冷凝泵通过冷凝管连接机械泵， 真空腔室内下端设有蒸发源、上端一侧设有膜厚仪，真空腔室中还设有旋转杆一，旋转杆一 的顶部固定有挡板，挡板的一侧固定在旋转杆一上，挡板的上方设有基片架；基片架固定在 其上方的旋转杆二上，蒸发源与电源连接； (6) 将真空腔室中的氮气气体抽出，当腔室内的真空度达到<l(T7T〇rr时开始蒸镀，用 功率为600w的电子束溅射金属，金属受热开始蒸发，同时用膜厚仪的晶振片检测溅射速 率，当速率能稳定达到20A/S时，通过旋转杆一的转动打开挡板；此时，金属分子开始蒸镀 至IJ ΙΤ0基板上；工作时ΙΤ0基板是通过基片架连接的旋转杆二不停的旋转，转速为20转/ 分钟。 本专利技术的原理是： 挡板连接的旋转杆一是控制挡板的开合，目的当蒸镀速率稳定时打开挡板，使金属稳 定的蒸镀到基板上。而与基片架连接的旋转杆二是控制基片架的旋转，使基片架在整个蒸 镀过程中保持以一定速率旋转，使得蒸镀的材料均匀。 本专利技术通过高温蒸镀的方式在ΙΤ0基板上均匀的蒸镀一层金属电极膜，使得电阻 分布均匀，在加载电流时，压降均匀，电流可以均匀的流过整个ΙΤ0面板，使得ΙΤ0面板生热 均匀。 本专利技术的优点是： 本专利技术电极上电阻分布均匀，压降均匀，使得ΙΤ0面板生热均匀，没有使用胶体等有机 物，避免了电极的老化现象。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术的真空蒸镀系统的结构示意图。 图2为ΙΤ0金属|旲电极基片不意图。 【具体实施方式】 如图1、2所示，基于ΙΤ0加热片的金属膜电极的制作方法，包括以下步骤： (1) 首先将ΙΤ0基板依次用丙酮溶液、无水乙醇和去离子水各超声处理10分钟；其中 丙酮溶液的浓度为99. 5%，主要是清洗ΙΤ0玻璃基板上的有机物，无水乙醇主要是清洗残留 的丙酮溶液，去离子水是清洗残留的无水乙醇和ΙΤ0基板表面的颗粒物； (2) 然后用氧等离子清洗机清洗7分钟，使得ΙΤ0基板表面清洗干净； (3) 再把ΙΤ0基板移至手套箱中，在手套箱中将ΙΤ0基板和掩膜板固定；手套箱参数为： 氧含量〈〇· lppm，水含量〈0· Olppm); (4) 将ΙΤ0基板的一面和掩膜板完全贴合，掩膜板的作用是制备电极部分，在蒸镀时， 金属只蒸镀到ΙΤ0基板的电极部分，即图2的阴影部分； (5) 如图1，把ΙΤ0基板1和掩膜板移至真空蒸镀系统的真空腔室2内的基片架3上， 真空蒸镀系统包括有真空腔室2,真空腔室2的一侧开孔并密封连接冷凝泵4,冷凝泵4通 过冷凝管5连接机械泵6,真空腔室2内下端设有蒸发源7、上端一侧设有膜厚仪8,真空腔 室2中还设有旋转杆9,旋转杆9的顶部固定有挡板10,挡板10的一侧固定在旋转杆9上， 挡板10的上方设有基片架3 ;基片架3固定在其上方的旋转杆11上，蒸发源7与电源12连 接； (6) 将真空腔室2中的氮气气体抽出，当腔室内的真空度达到<l(T7T〇rr时开始蒸镀， 用功率为600w的电子束溅射金属，金属受热开始蒸发，同时用膜厚仪的晶振片检测溅射速 率，当速率能稳定达到20A/S时，通过旋转杆9的转动打开挡板10 ;此时，金属分子开始蒸 镀到ΙΤ0基板1上；工作时ΙΤ0基板1是通过基片架3连接的旋转杆11不停的旋转，转速 为20转/分钟。 在金属电极材料选择方面，选用金属铝作为实验材料。由于电阻值和铝膜的厚度 密切相关，将金属电极膜均匀的分成四等份，用台阶仪测量金属膜电极各个等份的膜厚和 电阻值。数据如下： 【权利要求】1.基于ITO加热片的金属膜电极的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： (1) 首先将ΙΤ0基板依次用丙酮溶液、无水乙醇和去离子水各超声处理8-12分钟；其 中丙酮溶液的浓度为99%-99. 5% ; (2) 然后用氧等离子清洗机清洗5-10分钟，使得ΙΤ0基板表面清洗干净； (3) 再把ΙΤ0基板移至手套箱中，在手套箱中将ΙΤ0基板和掩膜板固定；手套箱参数为： 氧含量〈〇· lppm，水含量〈0· Olppm); (4) 在手套箱中将ITO基板的一面和掩膜板完全贴合，掩膜板的作用是制备电极部分， 在蒸镀时，金属只蒸镀到IT0基板的电极部分； (5) 把IT0基板和掩膜板移至真空蒸镀系统的真空腔室内的基片架上，真空蒸镀系统 包括有真空腔室，真空腔室的一侧开孔并密封连接冷凝泵，冷凝泵通过冷凝管连接机械泵， 真空腔室内下端设有蒸发源、上端一侧设有膜厚本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于ITO加热片的金属膜电极的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）首先将ITO基板依次用丙酮溶液、无水乙醇和去离子水各超声处理8‑12分钟；其中丙酮溶液的浓度为99%‑99.5%；（2）然后用氧等离子清洗机清洗5‑10分钟，使得ITO基板表面清洗干净；（3）再把ITO基板移至手套箱中，在手套箱中将ITO基板和掩膜板固定；手套箱参数为：氧含量<0.1ppm，水含量<0.01ppm）；（4）在手套箱中将ITO基板的一面和掩膜板完全贴合，掩膜板的作用是制备电极部分，在蒸镀时，金属只蒸镀到ITO基板的电极部分；（5）把ITO基板和掩膜板移至真空蒸镀系统的真空腔室内的基片架上，真空蒸镀系统包括有真空腔室，真空腔室的一侧开孔并密封连接冷凝泵，冷凝泵通过冷凝管连接机械泵，真空腔室内下端设有蒸发源、上端一侧设有膜厚仪，真空腔室中还设有旋转杆一，旋转杆一的顶部固定有挡板，挡板的一侧固定在旋转杆一上，挡板的上方设有基片架；基片架固定在其上方的旋转杆二上，蒸发源与电源连接；（6）将真空腔室中的氮气气体抽出，当腔室内的真空度达到<10‑7Torr时开始蒸镀，用功率为600w的电子束溅射金属，金属受热开始蒸发，同时用膜厚仪的晶振片检测溅射速率，当速率能稳定达到20Å/S时，通过旋转杆一的转动打开挡板；此时，金属分子开始蒸镀到ITO基板上；工作时ITO基板是通过基片架连接的旋转杆二不停的旋转，转速为20转/分钟。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡俊涛，余承东，程群，宗艳凤，梅文娟，邓亚飞，吕国强，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34