场效应晶体管SOA曲线的验证平台制造技术

本实用新型专利技术场效应晶体管SOA曲线的验证平台，包括控制单元、用于显示测试信号波形的监控单元和用于为待测器件提供漏极电压的功率源；控制单元包括用于输出脉冲时间的单片机，开关，依次连接的第一运放和第二运放，以及待测器件源极接入端连接的阻值为1R的精密功率电阻；监控单元的输入端分别接入漏极电压和精密功率电阻的压降；单片机的串行输入口连接一端接地的开关，串行输出口通过第二电阻连接第一运放的反向输入端，第一运放的输出端连接第二运放的反向输入端，第二运放的输出端通过第七电阻连接待测器件的栅极接入端；第一运放的输出端连接可变电阻的一个固定端，另一固定端接地，调节端通过第四电阻连接在第二运放的反向输入端。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术场效应晶体管SOA曲线的验证平台，包括控制单元、用于显示测试信号波形的监控单元和用于为待测器件提供漏极电压的功率源；控制单元包括用于输出脉冲时间的单片机，开关，依次连接的第一运放和第二运放，以及待测器件源极接入端连接的阻值为1R的精密功率电阻；监控单元的输入端分别接入漏极电压和精密功率电阻的压降；单片机的串行输入口连接一端接地的开关，串行输出口通过第二电阻连接第一运放的反向输入端，第一运放的输出端连接第二运放的反向输入端，第二运放的输出端通过第七电阻连接待测器件的栅极接入端；第一运放的输出端连接可变电阻的一个固定端，另一固定端接地，调节端通过第四电阻连接在第二运放的反向输入端。【专利说明】场效应晶体管SOA曲线的验证平台
本技术涉及场效应晶体管的测试装置，具体为场效应晶体管SOA曲线的验证 T D O
技术介绍
目前，场效应晶体管SOA曲线不能通过逐点测试的方法绘出，各厂商所提供的SOA曲线均通过以下间接方法获得:首先测试该产品热阻参数从而依据:热阻=Δ温度/功率，利用热阻，功率，温度之间的关系反算得出，所得结果为理论化值，与实际值会出现偏差，从而导致客户端在实际使用中难免出现烧片，尤其当该产品使用于SOA曲线临界区域时，烧片风险将大大增加；所以用户迫切需要一种可以直观验证场效应晶体管在实际使用参数点时，其产品电性能表现的平台。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题，本技术提供一种使用方便，能够对SOA曲线域任意参数点直接进行测试的场效应晶体管SOA曲线的验证平台。 本技术是通过以下技术方案来实现: 本技术场效应晶体管SOA曲线的验证平台，包括控制单元、用于显示测试信号波形的监控单元和用于为待测器件DUT提供漏极电压VD的功率源；所述的控制单元包括用于输出脉冲时间的单片机U1，用于控制平台启动的开关BI，依次连接的第一运放U2和第二运放U3，以及与待测器件DUT源极接入端连接的阻值为IR的精密功率电阻R6 ;所述的监控单元的输入端分别接入漏极电压VD和精密功率电阻R6的压降；所述单片机Ul的串行输入口连接一端接地的开关BI，串行输出口通过第二电阻R2连接第一运放U2的反向输入端，第一运放U2的输出端连接第二运放U3的反向输入端，第二运放U3的输出端通过第七电阻R7连接待测器件DUT的栅极接入端；第一运放U2的输出端连接可变电阻RVl的一个固定端，另一固定端接地，调节端通过第四电阻R4连接在第二运放U3的反向输入端。 优选的，监控单元采用不少于两通道的示波器。 优选的，单片机Ul采用单片机AT89C2051。 进一步，单片机Ul的复位端连接复位电路，复位电路由串联在复位端的第一电阻Rl和第一电容Cl组成，第一电阻Rl和第一电容Cl连接端接地设置。 优选的,第一运放U2的反向输入端和输出端之间设置第一滤波电路；第一滤波电路由并联设置在第一运放U2的反向输入端和输出端之间的第三电阻R3和第三电容C3组成。 优选的，第二运放U3的反向输入端和输出端之间设置第二滤波电路；第二滤波电路由并联设置在第二运放U3的反向输入端和输出端之间的第五电阻R5和第五电容C5组成；第二运放U3的输出端依次经第七电阻R7和待测器件DUT，从待测器件DUT的源极接入端分别于与第五电阻R5和第五电容C5连接。 与现有技术相比，本技术具有以下有益的技术效果: 本技术场效应晶体管SOA曲线的验证平台，通过控制单元中的单片机自有的功能提供可调的脉冲时间，通过功率源提供可调的漏极电压，通过设置的阻值为IR的精密功率电阻，将对漏极电流的验证转换为精密功率电阻两端压降的验证，并且配合两级级联的运放，根据运放虚短原理，压降为第二运放反向输入端电压的负值，从而能够利用可变电阻调节经运放放大的单片机输出的标准电平，对第二运放反向输入端的输入电压进行调节，实现对漏极电流的调节；通过监控单元完成对漏极电压和漏极电流的波形显示，以及监控单元自带的时间测量功能自动测试脉冲时间。使用户准确了解待测器件的SOA性能，填补了国内场效应晶体管SOA曲线验证平台的空白。 进一步的，通过采用至少两通道的示波器，能够实现波形的同时同步的显示和对t匕，利用单片机具体的型号的采用，实现了对脉冲时间的提供和对电压输出的控制。 进一步的，第一电容为单片机的复位电容，该电容接VCC，是利用电容充电来提供远远大于2个机器周期的高电平时间让单片机复位，保证单片机正常工作。第二电容和第三电容均为滤波电容，分别对第一运放和第二运放输出电压进行滤波整形。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术所述验证平台结构框图。 图2为本技术所述验证平台的电路图。 图3为本技术验证平台单片机采用程序编辑设置脉冲时间PT的一种程序。 【具体实施方式】 下面结合具体的实施例对本技术做进一步的详细说明，所述是对本技术的解释而不是限定。 本技术场效应晶体管SOA曲线的验证平台，包括控制单元、用于显示测试信号波形的监控单元和用于为待测器件DUT提供漏极电压VD的功率源；所述的控制单元包括用于输出脉冲时间的单片机U1，用于控制平台启动的开关BI，依次连接的第一运放U2和第二运放U3，以及待测器件DUT源极接入端连接的阻值为IR的精密功率电阻R6 ;所述的监控单元的输入端分别接入漏极电压VD和精密功率电阻R6的压降；所述单片机Ul的串行输入口连接一端接地的开关BI，串行输出口通过第二电阻R2连接第一运放U2的反向输入端，第一运放U2的输出端连接第二运放U3的反向输入端，第二运放U3的输出端通过第七电阻R7连接待测器件DUT的栅极接入端；第一运放U2的输出端连接可变电阻RVl的一个固定端，另一固定端接地，调节端通过第四电阻R4连接在第二运放U3的反向输入端。 本优选实例中，监控单元采用不少于两通道的示波器；单片机Ul采用单片机AT89C2051。其中，单片机Ul的复位端连接复位电路，复位电路由串联在复位端的第一电阻Rl和第一电容Cl组成,第一电阻Rl和第一电容Cl连接端接地设置。第一运放U2的反向输入端和输出端之间设置第一滤波电路；第一滤波电路由并联设置在第一运放U2的反向输入端和输出端之间的第三电阻R3和第三电容C3组成。第二运放U3的反向输入端和输出端之间设置第二滤波电路；第二滤波电路由并联设置在第二运放U3的反向输入端和输出端之间的第五电阻R5和第五电容C5组成；第二运放U3的输出端依次经第七电阻R7和待测器件DUT，从待测器件DUT的源极接入端分别于与第五电阻R5和第五电容C5连接。 本技术所述验证平台，是由控制单元，功率源，监控单元三部分构成，详见图1。电路连接方式如图2所示，控制单元由单片机U1(AT89C2051)和开关BI组成，开关BI能够优选的采用按钮开关；功率源选择满足待测器件漏极电压VD，漏极电流ID设置范围的功率源即可，监控单元使用不少于两通道的示波器即可。 使用时，整个测试过程可分为预设置，测试两个阶段。 预设置:首先待测器件DUT不要装入测试电路中，根据脉冲时间PT计算单片机循环所需机器周期数，通过单片机自带的脉冲时间调整功能实现本文档来自技高网...

【技术保护点】
场效应晶体管SOA曲线的验证平台，其特征在于，包括控制单元、用于显示测试信号波形的监控单元和用于为待测器件(DUT)提供漏极电压(VD)的功率源；所述的控制单元包括用于输出脉冲时间的单片机(U1)，用于控制平台启动的开关(B1)，依次连接的第一运放(U2)和第二运放(U3)，以及待测器件(DUT)源极接入端连接的阻值为1R的精密功率电阻(R6)；所述的监控单元的输入端分别接入漏极电压(VD)和精密功率电阻(R6)的压降；所述单片机(U1)的串行输入口连接一端接地的开关(B1)，串行输出口通过第二电阻(R2)连接第一运放(U2)的反向输入端，第一运放(U2)的输出端连接第二运放(U3)的反向输入端，第二运放(U3)的输出端通过第七电阻(R7)连接待测器件(DUT)的栅极接入端；第一运放(U2)的输出端连接可变电阻(RV1)的一个固定端，另一固定端接地，调节端通过第四电阻(R4)连接在第二运放(U3)的反向输入端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗景涛，
申请(专利权)人：西安芯派电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61