本发明专利技术公开了一种背钝化太阳能电池，包括背电极、背电场、背面钝化层、P+层、P型硅、N型发射极、减反膜和正电极；所述背面钝化层上涂覆硼源，对涂覆有硼源的背面钝化层通过激光刻蚀形成孔或槽并在所述孔或槽处形成P+层；所述背电场覆盖所述孔或槽，与所述P+层直接接触。相应的，本发明专利技术还提供一种制备上述背钝化太阳能电池的方法。采用本发明专利技术，通过在背面钝化层上涂覆硼源，能大大降低背面的复合速率，提高电池的转换效率。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种背钝化太阳能电池，包括背电极、背电场、背面钝化层、P+层、P型硅、N型发射极、减反膜和正电极；所述背面钝化层上涂覆硼源，对涂覆有硼源的背面钝化层通过激光刻蚀形成孔或槽并在所述孔或槽处形成P+层；所述背电场覆盖所述孔或槽，与所述P+层直接接触。相应的，本专利技术还提供一种制备上述背钝化太阳能电池的方法。采用本专利技术，通过在背面钝化层上涂覆硼源，能大大降低背面的复合速率，提高电池的转换效率。【专利说明】
本专利技术涉及太阳能电池
，尤其涉及。
技术介绍
目前大部分太阳能电池的基底材料为晶体硅，其较大的表面复合速率限制了其转换效率，这是因为:在硅片表面，晶体的周期性破坏产生大量悬挂键，使得晶体表面存在大量位于带隙中的缺陷能级；另外，位错、化学残留物、表面金属的沉积都会引入缺陷能级，这些都使得硅片表面成为复合中心。因此，在太阳能电池的正面沉积氮化硅，在背面丝网印刷金属铝，可以在一定程度上减小复合的速率。此外，由于太阳能电池的正面是光吸收面，在设计钝化层的同时还需要考虑光的吸收问题，对于正面的钝化层的研究收到了很大的限制。为了提高电池转换效率，研究者把重点转移到了太阳能电池的背面钝化上来了。 现有技术的背钝化太阳能电池的结构如图1所示:在太阳能电池的背面，先沉积钝化层，但由于钝化层为绝缘层，须通过激光刻蚀选择性的刻蚀掉部分钝化层，暴露出硅层，之后的背电场浆料灌满这些刻蚀区和硅片直接接触，从而实现导电。但是，在背面的激光刻蚀区，由于部分钝化层被去除，影响了整体的背面钝化的效率，降低了电池的转换效率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种电池转换效率高的背钝化太阳能电池。 本专利技术所要解决的技术问题还在于，提供一种制备高转换效率的背钝化太阳能电池的方法。 为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种背钝化太阳能电池，包括背电极、背电场、背面钝化层、P+层、P型硅、N型发射极、减反膜和正电极；所述背面钝化层上涂覆硼源，对涂覆有硼源的背面钝化层通过激光刻蚀形成孔或槽并在所述孔或槽处形成P+层；所述背电场覆盖所述孔或槽，与所述P+层直接接触。 作为上述方案的改进，所述硼源为硼酸三甲酯、三溴化硼、硼酸三丙酯或者氯化硼。 作为上述方案的改进，涂覆硼源的厚度为10-50 μ m。 作为上述方案的改进，所述背面钝化层包括:与所述P型硅相连的Al2O3层或S12层；与所述Al2O3层或S12层相连的氮化硅层。 作为上述方案的改进，所述S12层的厚度为8-25 nm ； 所述Al2O3层的厚度为3-25nm ； 所述氮化娃层的厚度为80-120nm。 作为上述方案的改进，所述孔或槽的面积占所述背面钝化层面积的3%-25%。 相应的，本专利技术还提供一种背钝化太阳能电池的制备方法，包括:在硅片正面形成绒面，所述硅片为P型硅；在所述硅片正面进行扩散，形成N型发射极；去除扩散过程形成的磷硅玻璃；在硅片背面形成背面钝化层；在背面钝化层上涂覆硼源； 对涂覆硼源的背面钝化层进行局部激光刻蚀形成孔或槽，所述孔或槽穿透背面钝化层，同时所述激光将硼扩散进P型硅，形成P+层；清洗掉残余的硼源，干燥硅片；在硅片正面形成减反膜；在硅片背面形成背电场和背电极，在硅片正面形成正电极；将硅片进行烧结。 作为上述方案的改进，所述硼源通过旋涂的方式均匀的附着在硅片的背面，涂覆硼源的厚度为10-50μπι;所述硼源为硼酸三甲酯、三溴化硼、硼酸三丙酯或者氯化硼。 作为上述方案的改进，所述背面钝化层包括:与所述P型硅相连的Al2O3层或S12层；与所述Al2O3层或S12层相连的氮化硅层；其中，所述S12层的厚度为8-25 nm； 所述Al2O3层的厚度为3-25nm ；所述氮化娃层的厚度为80-120nm。 作为上述方案的改进，所述孔或槽的面积占所述背面钝化层面积的3%_25%。 实施本专利技术，具有如下有益效果:现有背钝化太阳能电池的激光刻蚀区，由于钝化层被去除，影响了背面钝化的效果，降低了电池的转换效率。 本专利技术提供了一种背钝化太阳能电池，通过在背面钝化层上涂覆硼源，然后利用激光对涂覆有硼源的背面钝化层进行刻蚀，刻蚀的效果一方面腐蚀掉绝缘的背面钝化层，裸露出P型硅，方便导电；另一方面，硼在激光的高能量作用下，从激光刻蚀区往P型硅片内部扩散，形成一层P+层；P+层与P型硅形成高低结，能大大降低背面的复合速率，提高电池的转换效率。 而且，与现有技术相比，本专利技术只是增加了两个步骤(硼源的涂覆以及后续的清洗和干燥)，就可以在低成本、简单工艺的前提下，大大地提高转换效率，适合大规模工业化推广应用。 【专利附图】【附图说明】 图1是现有背钝化太阳能电池的结构示意图；图2是本专利技术背钝化太阳能电池的结构示意图； 图3是本专利技术背钝化太阳能电池的制备方法的流程图。 【具体实施方式】 为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述。 参见图1，图1显示了一种现有的背钝化太阳能电池，包括背电极1、背电场2、背面钝化层3、P型硅4、N型发射极5、减反膜6和正电极7，所述背电极1、背电场2、背面钝化层3、P型硅4、N型发射极5、减反膜6和正电极7依次相连。所述背面钝化层3通过激光刻蚀形成孔或槽31，所述背电场2覆盖所述孔或槽31，与所述P型硅4直接接触。 现有的太阳能电池的背面，先沉积背面钝化层3，但由于背面钝化层3为绝缘层，须通过激光刻蚀选择性的刻蚀掉部分钝化层，暴露出硅层，之后的背电场浆料灌满这些刻蚀区和硅片直接接触，从而实现导电。但是，在背面的激光刻蚀区，由于部分钝化层被去除，影响了整体的背面钝化的效率，降低了电池的转换效率。 参见图2，图2显示了本专利技术背钝化太阳能电池，包括背电极1、背电场2、背面钝化层4、P+层5、P型硅6、N型发射极7、减反膜8和正电极9，所述背电极1、背电场2、背面钝化层4、P+层5、P型硅6、N型发射极7、减反膜8和正电极9依次相连。 所述背面钝化层4上涂覆硼源，对涂覆有硼源的背面钝化层4通过激光刻蚀形成孔或槽40，裸露出P型硅，同时，硼在激光的高能量作用下，从激光刻蚀区往P型硅片内部扩散，在孔或槽处形成P+层5，所述背电场2覆盖所述孔或槽40，与所述P+层5直接接触。 需要说明的是，所述P+层5也叫P型层，其是在激光的高能量的作用下，从激光刻蚀区往P型硅片内部扩散而形成的。P+层5与P型硅6形成高低结。 所述硼源可以是液态源，例如硼酸三甲酯、三溴化硼或者硼酸三丙酯，也可以是固态源，例如氯化硼。所述硼源通过旋涂的方式均匀的附着在硅片的背面。关于硼源的用量，在背面钝化层4上涂覆厚度为10-50 μ m的硼源即可。具体的，涂覆硼源的厚度可以是10 μ m、20 μ m、30 μ m、40 μ m、50 μ m,且并不以此为限。 本专利技术通过在背面钝化层4上涂覆硼源，然后利用激光对涂覆有硼源的背面钝化层4进行刻蚀，刻蚀的效果一方面腐蚀掉绝缘的背面钝化层，裸露出P型硅，方便导电；另一方面，硼在激光的高能量作用下，从激光刻蚀区往P型硅片内部扩散，形成一层P+层5 ；P+层5与P型硅6形成高低结，能大大降低背本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种背钝化太阳能电池，其特征在于，包括背电极、背电场、背面钝化层、P+层、P型硅、N型发射极、减反膜和正电极； 所述背面钝化层上涂覆硼源，对涂覆有硼源的背面钝化层通过激光刻蚀形成孔或槽并在所述孔或槽处形成P+层；所述背电场覆盖所述孔或槽，与所述P+层直接接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：石强，秦崇德，方结彬，黄玉平，何达能，陈刚，
申请(专利权)人：广东爱康太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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