【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置以及电子设备
本专利技术涉及一种显示装置。本专利技术涉及一种包括显示装置的电子设备。
技术介绍
使用双眼视差显示立体图像的显示装置是已知的。这种显示装置在一个屏幕上显示从观察者左眼的位置看到的图像(左眼用图像)和从观察者右眼的位置看到的图像(右眼用图像)。观察者由左眼观察左眼用图像并由右眼观察右眼用图像,因此可以观察立体图像。例如,在眼镜方式中,左眼用图像和右眼用图像与设置于一对眼镜的快门同步地交替显示在显示装置的屏幕上,由此观察者的左眼可以只看到左眼用图像,并且观察者的右眼可以只看到右眼用图像。如此,观察者可以看到立体图像。此外,在观察者可以由裸眼看到立体图像的使用视差阻挡方式的显示装置中,屏幕被分割为多个区域(例如,带状区域)。该区域交替地分配于右眼用区域和左眼用区域,并且视差阻挡与该区域的境界重叠地设置。在各自分割区域中,右眼用图像显示在右眼用区域上,并且左眼用图像显示在左眼用区域上。通过使用视差阻挡,用来显示右眼用图像的区域从观察者的左眼看不到,用来显示左眼用图像的区域从观察者的右眼看不到;其结果,左眼可以只看到左眼用图像,并且右眼可以只看到右眼用图像。如此,观察者可以由裸眼看到立体图像。注意,已知包括用来实现平面图像显示模式与立体图像显示模式的切换的可变视差阻挡的显示装置(专利文献1)。此外,已知包含发光有机化合物的层设置于一对电极之间的发光元件。因为这种发光元件是自发光型,所以实现高对比度以及对输入信号的高速响应。已知这种发光元件被应用的显示装置(专利文献2)。[参考文献][专利文献][专利文献1]PCT国际公布No.WO2004/00 ...
【技术保护点】
一种显示装置,包括:灰度转换部;以及显示部,其中,所述灰度转换部被配置为将输入到该灰度转换部的第一图像信号转换为第二图像信号并将该第二图像信号发送到所述显示部,其中所述第一图像信号具有p个灰度级(p是自然数并是偶数),其中所述第二图像信号经过了灰度转换处理,其中将从最低灰度级到第q灰度级的q个灰度级中的每一个灰度级进一步分割为2r个灰度级,并且,其中q是1以上且p/2以下,且r是1以上且20以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.04.06 JP 2012-0878181.一种显示装置,包括:灰度转换部;以及显示部,其中所述显示部包括像素,其中所述像素包括:能够在100μs以下的响应时间内发射具有带如下峰值的光谱线的光的发光模块,其中所述峰值的半宽度为60nm以下,其中所述灰度转换部被配置为将输入到所述灰度转换部的第一图像信号转换为第二图像信号并将所述第二图像信号发送到所述显示部,其中所述第一图像信号具有p个灰度级,p是自然数并是偶数,其中所述第二图像信号经过了灰度转换处理,其中将从最低灰度级到第q灰度级的q个灰度级中的每一个灰度级进一步分割为2r个灰度级,其中q是1以上且p/2以下,且r是1以上且20以下,并且,其中所述灰度转换部被配置为将包括在所述第一图像信号中的图像分割为多个区域,在所述多个区域的每一个中抽出亮度分布,根据所述亮度分布决定是否在所述多个区域的每一个中进行所述灰度转换处理,并对需要所述灰度转换处理的区域进行所述灰度转换处理。2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述发光模块包括第一发光模块、第二发光模块和第三发光模块中的一个,其中所述第一发光模块包括:第一反射膜;所述第一反射膜上的第一发光层;所述第一发光层上的中间层;所述中间层上的第二发光层;所述第二发光层上的半透射·半反射膜;以及所述半透射·半反射膜上的用于透射呈现红色的光的第一滤色片,其中将所述第一反射膜和所述半透射·半反射膜之间的第一光学距离调整为600nm以上且短于800nm的长度的i/2倍,i是自然数,其中所述第二发光模块包括:第二反射膜;所述第二反射膜上的所述第一发光层;所述第一发光层上的所述中间层;所述中间层上的所述第二发光层;所述第二发光层上的所述半透射·半反射膜;以及所述半透射·半反射膜上的用于透射呈现绿色的光的第二滤色片,其中将所述第二反射膜和所述半透射·半反射膜之间的第二光学距离调整为500nm以上且短于600nm的长度的j/2倍,j是自然数,并且其中所述第三发光模块包括:第三反射膜;所述第三反射膜上的所述第一发光层;所述第一发光层上的所述中间层;所述中间层上的所述第二发光层;所述第二发光层上的所述半透射·半反射膜;以及所述半透射·半反射膜上的用于透射呈现蓝色的光的第三滤色片,其中将所述第三反射膜和所述半透射·半反射膜之间的第三光学距离调整为400nm以上且短于500nm的长度的k/2倍,k是自然数。3.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述发光模块包括第一发光模块、第二发光模块和第三发光模块中的一个,其中所...
【专利技术属性】
技术研发人员:山崎舜平,平形吉晴,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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