一种Si/NiO:Ag异质pn结二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种Si/NiO:Ag异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结由n型Si衬底上生长p型NiO:Ag薄膜而得到的异质pn结。本发明专利技术利用磁控溅射工艺在n型Si衬底上制备p型NiO:Ag薄膜最后采用磁控溅射或热蒸发法在pn结上制作电极。本发明专利技术中异质pn结二极管具有较高的反向击穿电压、较大的正向电流密度，而且其制备方法工艺简单、成本低廉。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种Si/NiO:Ag异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，其特征在于：所述pn结是由n型Si衬底上生长NiO:Ag薄膜而得到的异质pn结。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李彤，王达夫，邓学松，
申请(专利权)人：天津职业技术师范大学，
类型：发明
国别省市：天津;12