纳米球包围的MoS2微米空心球结构半导体材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种纳米球包围的MoS2微米空心球结构半导体材料，包括MoS2微米级大球和MoS2纳米级小球，纳米小球均匀分散地生长在微米大球表面；其中，所述的MoS2微米大球是空心的薄球壳，纳米小球则是洋葱状结构，由一层层的球壳嵌套而成，中心小部分是空心的。本发明专利技术还公开了纳米球包围的MoS2微米空心球结构半导体材料的制备方法，仅用一步水热法制备出两种直径的MoS2球状结构。本发明专利技术制备方法具有操作简单，产物杂质少，制备成本低等优点。本发明专利技术材料在光催化工业废水和场发射领域有极大发展潜力。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种纳米球包围的MoS2微米空心球结构半导体材料，其特征在于，所述材料包括MoS2的微米大球和纳米小球；其中，多个所述纳米小球均匀分散地生长在所述微米大球表面，并且每一个微米大球以及其周围的多个纳米小球是生长成一个整体的。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谭英华，郁可，朱自强，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：上海;31