电子器件制造技术

本申请涉及一种电子器件，其含有阳极，阴极，在阳极和阴极之间的至少一个发光层，至少一个包含单三芳基胺作为主体材料的p掺杂层A，和至少一个包含单三芳基胺的层B。本发明专利技术还涉及一种p掺杂混合物，其包含式(II)、(III)或(IV)的单三芳基胺作为主体材料和电子受体化合物作为掺杂剂，还涉及该混合物在电子器件中的用途。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子器件
本专利技术涉及一种如下的电子器件，其包括阳极，阴极，在阳极和阴极之间的至少一个发光层，至少一个包含单三芳基胺作为主体的p掺杂层A，和至少一个包含单三芳基胺的层B。特别是，本专利技术涉及一种包含上述层结构的有机电致发光器件(OLED)。本专利技术还涉及一种p掺杂混合物，其包含式(II)、(III)或(IV)的单三芳基胺作为主体和电子受体化合物作为掺杂剂，还涉及该混合物在电子器件中的用途。
技术介绍
包含有机层的电子器件是目前大力研究的课题。尤其感兴趣的是有机电致发光器件，它们例如被用于移动电子设备的显示器中或用作照明元件。现有技术，例如EP1463130A2和DE102007031220A1，公开了包括一个或多个包含掺杂剂和主体材料的p掺杂层的电子器件，其中该主体材料可以是有机氮化合物。另外例如从US5093698A已知，在电子器件中掺杂空穴或电子传输层，可以显著提高其电导率。现有技术，例如在EP1885008A1和JP1995053955A中，还公开了包含单三芳基胺作为空穴传输或发光层材料的电子器件。开发新型电子器件极为重要的因素是器件的长期稳定性和它们的性能数据，特别是工作电压和效率。虽然已经取得了进展，但是与现有技术已知的实施方式相比，在所有这些方面仍然有改进的需求。
技术实现思路
本专利技术的技术目的是提供一种如下的电子器件，其与现有技术中已知的器件相比，在一个或多个上述长期稳定性和性能数据方面，具有更好的性能。通过下文示出的本专利技术主题实现所述技术目的。一种电子器件，包含：-阳极，-阴极，-至少一个设置在阳极和阴极之间的发光层，-至少一个包含单三芳基胺作为主体的p掺杂层A，和-至少一个包含单三芳基胺的层B。p掺杂层在此处是指其中已产生自由空穴并且已由此提高其电导率的层。可以在Chem.Rev.(化学综述)2007,107,1233中找到OLED或有机太阳能电池中掺杂传输层的综合讨论。单三芳基胺是指如下的化合物，其包含单个三芳基胺基团。三芳基胺基团是如下的基团，其中三个芳基或杂芳基基团键合到氮原子上。该单三芳基胺优选不包含另外的芳基氨基基团。该单三芳基胺特别优选不包含另外的氨基基团。所述电子器件优选具有如下的层结构，其中在阳极和发光层之间设置层A和层B。层A优选设置在层B的阳极侧上。层A、层B和所述发光层还优选是有机层，即，基本由一种或多种有机化合物组成的层。另外优选在阳极和发光层之间具有如下层序列的器件，其中所述层彼此直接相邻：-阳极-层A-层B-发光层。这种实施方式对应于在图1中描绘的电子器件(1)的结构，其中阳极(2)、层A(3)、层B(4)、发光层(5)、电子传输层(6)和阴极(7)一个接一个地设置并彼此直接相邻。如图2中所示的，另外优选电子注入层(6a)存在于电子传输层(6)和阴极(7)之间。在本专利技术的另一优选实施方式中，另外的层C存在于层B和发光层之间。对应于本实施方式的电子器件(1)的可能的层布置示于图3中，其具有层C(4a)。层C优选包含一种有机胺，特别优选三芳基胺，非常特别优选单三芳基胺，如上文所限定的。层C优选和发光层直接相邻。还优选含单三芳基胺的层B或其它层与发光层直接相邻。根据另一个可行的实施方式，层A’存在于阳极和层A之间，从而在阳极和发光层之间产生以下层结构，其中所述层彼此直接相邻：-阳极-层A’-层A-层B-发光层。对应于这种实施方式的电子器件(1)的一种可能的层布置示于图4中，其具有层A’(2a)。层A’优选包含一种具有空穴传输性能的有机化合物，特别优选有机胺。层A’非常特别优选包含三芳基胺，例如单三芳基胺、双三芳基胺或含超过两个三芳基胺基团的化合物。层A’可以是p掺杂的。在这种情况下，优选含有有机电子受体化合物作为掺杂剂。在以下部分中示出这样的掺杂剂的优选实施方式。通常，所述电子器件还可以包括另外的层，例如另外的空穴传输层、电子传输层、耦合输出层、中间层、空穴阻挡层、电子阻挡层、激子阻挡层、电荷产生层和/或有机或无机p/n结。这些层的优选布置和功能和组合是本领域普通技术人员所已知的。通常优选的是，阳极和发光层之间的层都包含至少一种单三芳基胺。特别优选地，其除了单三芳基胺之外不包含其它三芳基胺化合物。非常特别优选地，一种或多种相同的单三芳基胺存在于阳极和发光层之间的所有层中。所述p掺杂层A的厚度优选为1到500nm，特别优选5到300nm，非常特别优选8到250nm。所述p掺杂层A优选包含一种是电子受体化合物的掺杂剂。该掺杂剂特别优选地能够氧化所述单三芳基胺，即具有足够高的氧化还原电位，特别是比所述单三芳基胺的氧化还原电位要高的氧化还原电位。根据一个优选实施方式，所述掺杂剂具有如下的LUMO，其比所述单三芳基胺的HOMO高不超过0.3eV，优选高不超过0.2eV，特别优选高不超过0.1eV。所述掺杂剂最优选具有如下的LUMO，其等于或低于所述单三芳基胺的HOMO。对本专利技术应用的目的，HOMO和LUMO的位置是通过使用“Gaussian03W”(高斯公司)进行量子化学计算而确定的，如实施例中所明确示出的。所述掺杂剂的LUMO优选地小于-4.6eV，特别优选小于-4.8eV，非常特别优选小于-5.0eV。所述掺杂剂最优选具有小于-5.1eV的LUMO。适当的掺杂剂原则上是如下的所有的化合物，其是电子受体化合物和能够通过氧化主体而增加有机层的电导率。本领域普通技术人员在其普通专业常识的范围里不需太大的努力就能够确定适合的化合物。特别适合的掺杂剂是在WO2011/073149、EP1968131、EP2276085、EP2213662、EP1722602、EP2045848、DE102007031220、US8044390、US8057712、WO2009/003455、WO2010/094378、WO2011/120709、US2010/0096600和WO2012/095143中公开的化合物。所述p掺杂层A的掺杂剂优选地选自醌二甲烷化合物，氮杂茚并芴二酮，氮杂萘并苯，氮杂苯并菲，I2，金属卤化物，优选过渡金属的卤化物，金属氧化物，优选含至少一种过渡金属或第3主族金属的金属氧化物，和过渡金属络合物，优选Cu、Co、Ni、Pd和Pt与含至少一个氧原子作为键合点的配体的络合物。此外，所述掺杂剂优选是过渡金属氧化物，优选铼、钼和钨的氧化物，特别优选Re2O7、MoO3、WO3和ReO3。此外，所述掺杂剂优选是具有电子受体性质的有机化合物，特别是下列化合物：所述掺杂剂优选以如下的浓度存在于层A中：0.1至20体积％，优选0.5至12体积％，特别优选1至8体积％，非常特别优选2至6体积％。除了所述掺杂剂和单三芳基胺外，所述p掺杂层A还可包含另外的化合物，例如具有空穴传输性能的另外的掺杂剂和/或另外的化合物。根据一种优选实施方式，所述p掺杂层具有如下的电导率，其大于10-8S/cm，特别优选大于10-7S/cm，非常优选大于10-6S/cm，最优选大于10-5S/cm。薄层的电导率可以利用两点法进行测量，其中将包括导电材料例如金或氧化铟锡的触头施加至基底。然后将待检查的薄层施加到整个基底区域，使触头被该层覆盖。施加电压到触头后，则测量产生的电流。从以这种方式测定的电阻，触头的几何本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件，其包含：‑阳极，‑阴极，‑至少一个设置在阳极和阴极之间的发光层，‑至少一个包含单三芳基胺作为主体的p掺杂层A，和‑至少一个包含单三芳基胺的层B。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.03.15 EP 12001759.51.一种电子器件，其包含：-阳极，-阴极，-至少一个设置在阳极和阴极之间的发光层，-至少一个包含单三芳基胺作为主体的p掺杂层A，和-至少一个包含单三芳基胺的层B，其中所述单三芳基胺符合式(III)和(IV)中的一个，并且所述单三芳基胺不包含另外的氨基基团：其中：Z在每次出现时相同或不同地是N或CR1，其中如果键合取代基，则Z等于C；Ar2是具有5至20个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其可被一个或多个基团R1取代；Ar3在每次出现时相同或不同地是具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其可被一个或多个基团R1取代；R1在每次出现时相同或不同地是H，D，F，Cl，Br，I，CHO，C(＝O)R2，P(＝O)(R2)2，S(＝O)R2，S(＝O)2R2，CR2＝CR2R2，CN，NO2，Si(R2)3，OSO2R2，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有2至40个C原子的直链烯基或炔基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基基团，所述基团中的每个可被一个或多个基团R2取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR2、P(＝O)(R2)、SO、SO2、O或S代替，和其中一个或多个H原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其在每种情况下可由一个或多个基团R2取代，或具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，其可由一个或多个基团R2取代，或这些体系的组合；两个或更多个相邻取代基R1此处还可彼此形成单环或多环的脂族或芳族环系；R2在每次出现时相同或不同地是H，D，CN或具有1至20个C原子的脂族、芳族和/或杂芳族的烃基团，其中，H原子还可被D或F代替；两个或更多个相邻的取代基R2此处还可彼此形成单...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯托夫·普夫卢姆，弗兰克·福格斯，乔纳斯·瓦伦丁·克罗巴，菲利普·斯托塞尔，约阿希姆·凯泽，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE