【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于太赫兹混频器的新型混合集成电路，包括两个石英基板电路、一个GaAs基板电路（1）、一个射频波导（2）以及一个本振波导（3），所述GaAs基板电路（1）位于两个石英基板电路之间，第一石英基板电路（4）中的射频过度微带线（41）横跨在射频波导（2）上，第二石英基板电路（5）中的本振过渡微带线（51）横跨在本振波导（3）上，GaAs基板电路（1）包括GaAs基板和位于GaAs基板内的GaAs太赫兹肖特基二极管（13），其特征在于：所述GaAs太赫兹肖特基二极管（13）的正面朝上，GaAs太赫兹肖特基二极管（13）焊盘两端分别集成一段GaAs基的微带传输线或者悬置微带传输线，GaAs基的微带传输线或者悬置微带传输线分别与两侧的石英基板电路电连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王俊龙，杨大宝，邢东，梁士雄，张立森，赵向阳，冯志红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：新型
国别省市：河北;13
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