一种负离子阱制造技术

技术编号:10732259 阅读:126 留言:0更新日期:2014-12-10 09:54
一种负离子阱,配置了加速线圈,加速线圈在负离子阱内形成加速电场,能够使负氧离子在加速电场中获得定向加速,加速逸出,在负离子设备四周形成更宽范围的负离子环境,改进了现有负离子设备只能在发生器周围形成很小的负离子环境的状况。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种负离子阱,配置了加速线圈,加速线圈在负离子阱内形成加速电场,能够使负氧离子在加速电场中获得定向加速,加速逸出,在负离子设备四周形成更宽范围的负离子环境,改进了现有负离子设备只能在发生器周围形成很小的负离子环境的状况。【专利说明】—种负罔子拼
本技术涉及一种负离子阱,尤其涉及一种能使负离子加速逸出的负离子阱。
技术介绍
众所周知,负氧离子被誉为“空气维生素”,有益人体健康,但是负氧离子在空气中的寿命极短,因此,如何让负氧离子在有限的寿命存续时间内扩散到更远的地方是负离子设备的一个技术难题。 目前的负离子设备中,大多采用负高压电极电离空气的方法产生负氧离子,为了使产生的负氧离子能迅速扩散到空气中,通常使用的方法有: 一是直接将负高压电极暴露于空气中,这种方法虽然能让产生的负氧离子很容易扩散到周围空气中。但是,产生的负氧离子并不能扩散到较远的地方甚至充满整个房间。而且,暴露的负高压电极会给用户带来诸多不便。 二是为了避免暴露的高压电极给用户带来不便,将高压电极装置于设备外壳内,这种方法虽然能够有效解决感应电等等问题,但是产生的负氧离子只有很少的一部分能逸出扩散到空气中。这将很难满足人们日常对于负氧离子的需求量。
技术实现思路
为了解决现有技术中的上述不足和缺陷,本技术提供一种离子阱。 为实现以上目的,设计一种离子阱,由一个圆形或多边形的且底部封闭,中部通径可以流线型减小的筒、绕在筒上和穿架在筒口的加速线圈、装置在筒口的多孔网罩以及装置在筒底部的负电极构成。所述的筒和网罩是绝缘材料制作;所述的加速线圈由绝缘软线绕制;所述的负电极材料由金属、或碳纤维、或活性炭制成。网罩用防静电绝缘材料制作可有效降低感应电压,施加于加速线圈的电压和频率根据负氧离子溢出量调整其大小至最佳状态。当对负电极施加负高压时,在阱内形成负电场至使空气电离产生负氧离子,在加速线圈形成的加速正电场的作用下,负氧离子在负离子阱中获得定向加速,加速从网罩口逸出。大量的有一定运动速度的负氧离子能够迅速地、远距离地扩散到设备四周空气中。 本技术所产生的负氧离子的扩散速度快、传播距离远,很好地解决了现有负离子发生器加上网罩后负氧离子溢出量很少扩散距离近,不加网盖又会有感应电等等的问题。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术的结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图和具体实施例对本技术做进一步说明。 如图1所示,一种离子阱,由一个圆形或多边形的且底部封闭,中部通径可以流线型减小的筒3、绕在筒3上和穿架在筒口的加速线圈1、装置在筒口的多孔网罩2以及装置在筒底部的负电极4构成。所述的筒3和网罩2是绝缘材料制作;所述的加速线圈I由绝缘软线绕制;所述的负电极4材料由金属、或碳纤维、或活性炭制成。网罩2用防静电绝缘材料制作可有效降底感应电压,施加于加速线圈I的电压和频率根据负氧离子溢出量调整其大小至最佳状态。当对负电极4施加负高压时,在阱内形成负电场至使空气电离产生负氧离子,在加速线圈I形成的加速正电场的作用下,负氧离子在负离子阱中获得定向加速,加速从网罩2 口逸出。大量的有一定运动速度的负氧离子能够迅速地、远距离地扩散到设备四周空气中。【权利要求】1.一种负离子阱,其特征在于:由一个筒、绕在筒上和穿架在筒口的加速线圈、装置在筒口的多孔网罩以及装置在筒底部的负电极构成。2.如权利要求1所述的一种负离子阱,其特征在于所述的筒是圆形或多边形的,筒的底部封闭、中部通径流线型减小,筒是由绝缘材料制成。3.如权利要求1所述的一种负离子阱,其特征在于所述的网罩是绝缘材料制作,用以降低负离子阱产生的感应电压。4.如权利要求1所述的一种负离子阱,其特征在于所述的负电极材料由金属、或碳纤维、或活性炭制成,用于产生负离子。【文档编号】H01T23/00GK204012192SQ201420367384【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年7月4日 优先权日:2014年7月4日 【专利技术者】张晓帆, 刘显春, 田鹏, 文杨, 王先龙, 万昌斌, 肖兵 申请人:成都彩虹电器(集团)股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种负离子阱,其特征在于:由一个筒、绕在筒上和穿架在筒口的加速线圈、装置在筒口的多孔网罩以及装置在筒底部的负电极构成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张晓帆刘显春田鹏文杨王先龙万昌斌肖兵
申请(专利权)人:成都彩虹电器集团股份有限公司
类型:新型
国别省市:四川;51

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