一种薄膜晶体管制作方法、系统及薄膜晶体管技术方案

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管制作方法、系统及薄膜晶体管，通过在驱动基板上分别形成扫描线路层、绝缘层、数据线路层，而在数据线路层与绝缘层之间的氧化物半导体层，在与栅电极图像竖直位置相对应的氧化物半导体层上用有机材料采用涂覆、曝光、显影工艺制作图形，形成蚀刻阻挡层，在蚀刻阻挡层两侧的氧化物半导体层上制作源电极、漏电极、数据线路。本方案通过采用有机材料制作蚀刻阻挡层，工艺简单，制作过程方便，解决了现有技术中采用镀膜的方式形成蚀刻阻挡层带来的工艺复杂，不易实现的问题。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种薄膜晶体管制作方法、系统及薄膜晶体管，通过在驱动基板上分别形成扫描线路层、绝缘层、数据线路层，而在数据线路层与绝缘层之间的氧化物半导体层，在与栅电极图像竖直位置相对应的氧化物半导体层上用有机材料采用涂覆、曝光、显影工艺制作图形，形成蚀刻阻挡层，在蚀刻阻挡层两侧的氧化物半导体层上制作源电极、漏电极、数据线路。本方案通过采用有机材料制作蚀刻阻挡层，工艺简单，制作过程方便，解决了现有技术中采用镀膜的方式形成蚀刻阻挡层带来的工艺复杂，不易实现的问题。【专利说明】一种薄膜晶体管制作方法、系统及薄膜晶体管
本专利技术涉及电子纸领域，尤其涉及一种薄膜晶体管制作方法、系统及薄膜晶体管。
技术介绍
电子纸技术多采用电泳显示技术作为显示面板，其显示效果接近自然纸张效果，免于阅读疲劳，然而，其需要额外的数字设备来阅读，如电子词典、个人电脑等。 目前，电子纸的显示面板通常采用薄膜晶体管制作。 薄膜晶体管包括扫描线路层、绝缘层、数据线路层，其中，数据线路层位于氧化物半导体层上方的两侧的部位，而氧化物半导体层的中间部分裸露在外，在对数据线路层上的源电极及漏电极进行蚀刻过程中，氧化物半导体层的中间部分容易被蚀刻，因此，在氧化物半导体层的中间部分设置有蚀刻阻挡层。 目前，蚀刻阻挡层通常采用镀膜的方式沉积氧化硅、氮化硅，再采用涂布蚀刻保护光阻、曝光、显影、蚀刻膜层、剥离蚀刻保护光阻方式形成所需图案，实现对氧化物半导体层的保护，以避免对其进行不必要的蚀刻。 然而，采用上述方案工艺较复杂，不易实现。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种薄膜晶体管制作方法、系统及薄膜晶体管，以解决现有技术中实现对氧化物半导体层的保护过程工艺复杂，不易实现的问题，其具体方案如下: 一种薄膜晶体管制作方法，包括: 选取驱动基板，在所述驱动基板上制作栅电极图案、扫描线，组成扫描线路层； 在所述扫描线路层上方制作绝缘层； 在所述绝缘层上方形成氧化物半导体层，在与所述栅电极图案竖直位置相对应的氧化物半导体层上用有机材料采用黄光工艺制作图形，形成蚀刻阻挡层； 在所述蚀刻阻挡层两侧的氧化物半导体层上制作源电极、漏电极和数据线路，形成数据线路层。 进一步的，所述黄光工艺具体包括:涂覆、曝光和显影工艺。 进一步的，所述氧化物半导体层的氧化物为:氧化铟锌和铟镓锌氧化物。 进一步的，在所述驱动基板上形成栅电极图案及扫描线，具体包括: 在所述驱动基板上沉积金属导电膜层，采用黄光、蚀刻方式形成栅电极图案及扫描线。 进一步的，在所述蚀刻阻挡层两侧的氧化物半导体层制作源电极、漏电极，具体包括: 在所述蚀刻阻挡层两侧的氧化物半导体层形成欧姆接触层； 在所述欧姆接触层上形成源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别搭接在位于蚀刻阻挡层两端的欧姆接触层。 一种薄膜晶体管制作系统，包括:第一制作单元，与所述第一制作单元相连的第二制作单元，与所述第二制作单元相连的第三制作单元，与所述第三制作单元相连的第四制作单元， 所述第一制作单元选取驱动基板，在所述驱动基板上制作栅电极图案、扫描线，组成扫描线路层； 所述第二制作单元用于在扫描线路层上方制作绝缘层； 所述第三制作单元用于在所述绝缘层上方形成氧化物半导体层； 所述第四制作单元用于在与所述栅电极图案竖直位置相对应的氧化物半导体层上用有机材料采用黄光工艺制作图形，形成蚀刻阻挡层，所述第三制作单元在所述蚀刻阻挡层两侧的氧化物半导体层上制作源电极、漏电极和数据线路，形成数据线路层。 进一步的，所述第四制作单元包括:涂覆单元、与所述涂覆单元相连的曝光单元、与所述曝光单元相连的显影单元， 所述涂覆单元在与所述栅电极图案竖直位置相对应的氧化物半导体层上用有机感光材料采用涂覆工艺制作涂层； 所述曝光单元用于在所述涂覆单元制作的涂层上进行曝光操作，使所需的图形通过曝光方式转移到涂层上； 所述显影单元用于在所述曝光单元制作的图像上进行显影操作，把不需要的涂层去除，形成蚀刻阻挡层； 所述形成单元用于在所述蚀刻阻挡层两侧的氧化物半导体层上制作源电极、漏电极、数据线路，形成数据线路层。 进一步的，还包括:与所述第一制作单元相连的蚀刻单元， 所述蚀刻单元用于在所述第一制作单元在所述驱动基板上沉积金属导电膜层之后，利用蚀刻方式形成栅电极图案、扫描线路。 一种薄膜晶体管，包括:由下至上依次设置的驱动基板、扫描线路层单元、绝缘层单元、半导体层单元及数据线路层单元，其中，所述扫描线路层单元设置于所述驱动基板上， 所述数据线路层单元包括:蚀刻阻挡层和数据线路层， 所述氧化物半导体层设置于所述绝缘层上方； 所述蚀刻阻挡层为在与扫描线路层单元的栅电极图案竖直位置相对应的氧化物半导体层上采用黄光工艺制作成的图像； 所述数据线路层为在所述蚀刻阻挡层两侧的氧化物半导体层上制作而成的源电极、漏电极、数据线路组成的。 进一步的，所述蚀刻阻挡层具体为: 在与所述扫描线路层单元的栅电极图案数值位置相对应的氧化物半导体层上采用涂覆、曝光、显影等工艺制作成的图像。 从上述技术方案可以看出，本申请公开的薄膜晶体管制作方法、系统及薄膜晶体管，通过在驱动基板上分别形成扫描线路层、绝缘层、数据线路层，而在数据线路层与绝缘层之间的氧化物半导体层，在与栅电极图像竖直位置相对应的氧化物半导体层上用有机材料采用黄光工艺制作图形，形成蚀刻阻挡层，在蚀刻阻挡层两侧的氧化物半导体层上制作源电极、漏电极、数据线路。本方案通过采用有机材料制作蚀刻阻挡层，工艺简单，制作过程方便，解决了现有技术中采用镀膜的方式形成蚀刻阻挡层带来的工艺复杂，不易实现的问题。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1为本专利技术实施例公开的一种薄膜晶体管制作方法的流程图； 图2为本专利技术实施例公开的一种薄膜晶体管制作系统的结构示意图； 图3为本专利技术实施例公开的一种第三制作单元的结构示意图； 图4为本专利技术实施例公开的一种薄膜晶体管的结构示意图。 【具体实施方式】 下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。 本专利技术公开了一种薄膜晶体管制作方法，其流程图如图1所示，包括: 步骤S11、选取驱动基板，在驱动基板上制作栅电极图案、扫描线，组成扫描线路层； 在驱动基板上沉积金属导电膜层，形成栅电极图案、扫描线路，具体可以为:在驱动基板上沉积金属导电膜层，采用黄光、蚀刻方式形成栅电极图案、扫描线路。 步骤S12、在扫描线路层上方制作绝缘层； 步骤S13、在绝缘层上方形成氧化物半导体层，在与栅电极图案竖直位置相对应的氧化物半导体层上用有机材料采用黄光工艺制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括：选取驱动基板，在所述驱动基板上制作栅电极图案、扫描线，组成扫描线路层；在所述扫描线路层上方制作绝缘层；在所述绝缘层上方形成氧化物半导体层，在与所述栅电极图案竖直位置相对应的氧化物半导体层上用有机材料采用黄光工艺制作图形，形成蚀刻阻挡层；在所述蚀刻阻挡层两侧的氧化物半导体层上制作源电极、漏电极、数据线路，形成数据线路层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王金科，刘丹军，
申请(专利权)人：湖南普照爱伯乐平板显示器件有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43