一种半导体镀膜设备采用的晶圆陶瓷柱制造技术

一种半导体镀膜设备采用的晶圆陶瓷柱，通过提供一种在陶瓷柱孔镶嵌陶瓷柱底座并采用多个结构相同，但高度不同的陶瓷柱，来实现各支撑点处的高度一致的技术问题。具体结构是在加热盘凸台表面的陶瓷柱孔内镶嵌中心带孔的陶瓷圆柱座，组成新型加热盘，同时每个底座内放置不同高度的陶瓷柱，弥补陶瓷衬套深度不同导致的陶瓷柱的支撑高度不同的问题，来达到露在加热盘上表面外的陶瓷柱高度一致，避免加热盘氟化处理前后或升温前后，陶瓷柱高度发生变化，而造成工艺结果不稳定性的问题。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种半导体镀膜设备采用的晶圆陶瓷柱，通过提供一种在陶瓷柱孔镶嵌陶瓷柱底座并采用多个结构相同，但高度不同的陶瓷柱，来实现各支撑点处的高度一致的技术问题。具体结构是在加热盘凸台表面的陶瓷柱孔内镶嵌中心带孔的陶瓷圆柱座，组成新型加热盘，同时每个底座内放置不同高度的陶瓷柱，弥补陶瓷衬套深度不同导致的陶瓷柱的支撑高度不同的问题，来达到露在加热盘上表面外的陶瓷柱高度一致，避免加热盘氟化处理前后或升温前后，陶瓷柱高度发生变化，而造成工艺结果不稳定性的问题。【专利说明】—种半导体镀膜设备采用的晶圆陶瓷柱
本技术涉及一种晶圆陶瓷柱，确切地说是一种半导体镀膜设备采用的晶圆陶瓷柱。属于半导体薄膜沉积应用及制造
。
技术介绍
现有的半导体镀膜设备，尤其是12英寸半导体镀膜设备中，因铝制加热盘具有热效率高、成本低等优势，故铝制加热盘在当前的半导体镀膜设备中仍担当主角。在工艺过程中加热盘表面需要均布相同高度的支撑体来支撑晶圆(Wafer)，使晶圆保持水平，保证晶圆表面沉积膜厚度的均匀及工艺稳定性。但现有的加热盘蓝宝石球是直接放置在加热盘宝石球孔里面，加热盘氟化处理前后或升温前后，宝石球高度会发生变化，而使得晶圆表面沉积膜的厚度不够均匀，因此，存在着工艺稳定性差的技术问题。
技术实现思路
本技术是以解决上述问题为目的，主要解决现有技术存在的陶瓷柱孔处陶瓷柱高度不等而影响工艺稳定性的问题。通过提供一种在陶瓷柱孔镶嵌陶瓷柱底座并采用多个结构相同，但高度不同的陶瓷柱，来实现各支撑点处的高度一致的技术问题。 为实现上述目的，本技术采用下述技术方案:一种半导体镀膜设备采用的晶圆陶瓷柱，在加热盘凸台表面的陶瓷柱孔内镶嵌中心带孔的陶瓷圆柱座，组成新型加热盘，同时每个底座内放置不同高度的陶瓷柱，弥补陶瓷衬套深度不同导致的陶瓷柱的支撑高度不同的问题，来达到露在加热盘上表面外的陶瓷柱高度一致，避免加热盘氟化处理前后或升温前后，陶瓷柱高度发生变化，而造成工艺结果不稳定性的问题。 其具体结构是:在加热盘(I)凸台表面(11)的不同圆周上均布一定数量的销孔 (2)，加热盘(I)上的销孔(2)内镶嵌中心带孔的陶瓷圆柱座(3)，陶瓷圆柱座(3)的下底面 (9)与加热盘⑴的销孔(2)底面(10)配合。陶瓷圆柱座(3)的上表面(5)与加热盘(I)凸台表面(10)平齐。陶瓷柱(4)的上顶端部分为半球结构，顶端面(6)为球面结构；陶瓷柱(4)的下部分为圆柱结构，保持有一定的直线度。 不同高度的半导体镀膜设备用陶瓷柱的使用方法，该方法在实际应用中根据各支撑点处陶瓷柱的实际高度来调换相应高度的陶瓷柱，使各支撑点处陶瓷柱的高度一致，根据实际使用情况，该陶瓷柱的高度按照其基准值，上、下各设几个高度值，高度差值设定为 0.01,0.02mm等，根据实际需要，一般上、下各设定2个高度差，即总计5个高度的陶瓷柱就能满足设备的使用要求。采用陶瓷材质，陶瓷柱的上顶端部分为半球结构，顶端面为球面结构，利于在与晶圆接触时为相切状态，减少接触面积。陶瓷柱的下部分为圆柱结构，保持有一定的直线度。中心带孔的陶瓷柱底座底面为平面结构，陶瓷柱的下端面也为平面结构，以保证在与衬套接触时为平面，保持水平。在使用时，根据各支撑点处陶瓷柱的实际高度来调换相应高度的陶瓷柱，为解决宝石球高度容易发生变化，晶圆表面沉积膜的厚度均匀性的问题，改变现有的加热盘宝石球，采用不同高度的陶瓷柱，来改善在工艺过程中晶圆在沉积膜的均匀性问题。 本技术的有益效果及特点:可以在原有纯铝制加热盘的基础上进行改进，采用简单可靠的镶嵌式结构，使得加热盘的加工、安装均很方便，整个过程操作简单、快捷。并在实现其基本功能需求的前提下，即:在能完全实现原有加热盘对晶圆的承载、加热功能夕卜，还可以避免加热盘氟化处理前后或升温前后，陶瓷柱高度发生变化，从而很好的保证了工艺结果的有效性、稳定性，确保设备的正常产能。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术的结构示意图。 图2是图1的A-A剖视图。 图3是图2中B的局部放大视图 【具体实施方式】 实施例 参照图1一图3，一种半导体镀膜设备采用的晶圆陶瓷柱，根据实际需要在加热盘I凸台表面11在不同圆周上均布一定数量的销孔2，加热盘I上的销孔2内镶嵌中心带孔的陶瓷圆柱座3，陶瓷圆柱座3的下底面9与加热盘I的销孔2底面10配合。陶瓷圆柱座3的上表面5与加热盘I凸台表面10平齐。陶瓷柱4的上顶端部分为半球结构，顶端面6为球面结构，陶瓷柱3的下部分为圆柱结构，保持有一定的直线度。 使用时，将陶瓷柱4放置在陶瓷圆柱座3内，其底面7与陶瓷圆柱座3上底面8配合，其上表面6高出加热盘I凸台表面10—定距离。安装时根据实际高度要求情况，选择不同高度的陶瓷柱，来实现陶瓷柱露出加热盘凸面的高度一致。 该结构可以更好的避免加热盘氟化处理前后或升温前后，陶瓷柱高度发生变化，从而很好的保证了工艺结果的均匀性、稳定性，确保设备的正常产能。【权利要求】1.一种半导体镀膜设备采用的晶圆陶瓷柱，其特征在于:在加热盘凸台表面的陶瓷柱孔内镶嵌中心带孔的陶瓷圆柱座，组成新型加热盘，同时每个底座内放置不同高度的陶瓷柱。2.如权利要求1所述的半导体镀膜设备采用的晶圆陶瓷柱，其特征在于:在加热盘凸台表面不同圆周上均布销孔，加热盘凸台上的销孔内镶嵌中心带孔的陶瓷圆柱座，陶瓷圆柱座的下底面与加热盘的销孔底面配合，陶瓷圆柱座的上表面与加热盘凸台表面平齐，陶瓷柱的上顶端部分为半球结构，顶端面为球面结构，陶瓷柱的下部分为圆柱结构，保持有一定的直线度。【文档编号】H01L21/67GK203983243SQ201420357522【公开日】2014年12月3日 申请日期:2014年6月30日 优先权日:2014年6月30日 【专利技术者】吴凤丽, 朱超群, 陈英男, 马壮 申请人:沈阳拓荆科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体镀膜设备采用的晶圆陶瓷柱，其特征在于：在加热盘凸台表面的陶瓷柱孔内镶嵌中心带孔的陶瓷圆柱座，组成新型加热盘，同时每个底座内放置不同高度的陶瓷柱。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴凤丽，朱超群，陈英男，马壮，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21