【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电材料领域，尤其涉及一种铈铽共掺杂稀土硼镓酸盐的发光薄膜及其制备方法。本专利技术还涉及一种使用该发光薄膜作为发光层的电致发光器件。
技术介绍
薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的材料，是该课题的发展方向。 硼镓磷酸盐体系绿粉因其合成温度适中、发光亮度高、色坐标X值较大而倍受研究者青睐，是LED荧光粉的热门研究材料。但是由于材料的制备都在高温下反应,这样会有氧化磷蒸发,导致磷酸根与稀土元素的比例无法控制。稀土硼镓酸盐的研制，就是出于克服上述缺点。
技术实现思路
基于上述问题，本专利技术利用脉冲激光沉积法（PLD），提供一种铈铽共掺杂稀土硼镓酸盐的发光薄膜的制备方法。 本专利技术的技术方案如下: 一种铈铽共掺杂稀土硼镓酸盐的发光薄膜的制备方法，工艺步骤如下: （1）、陶瓷靶材的制备:分别称取R2O3，Ga2O3，B2O3，CeO2和Tb4O7粉体，均匀混合后，在900～1300℃下烧结，制得陶瓷靶材，其中，R2O3，Ga2O3，B2O3，CeO2和Tb4O7的摩尔比为0.5:1.5:2:x:0.25y； 优选，对陶瓷靶材...
【技术保护点】
一种铈铽共掺杂稀土硼镓酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:陶瓷靶材的制备:分别称取R2O3，Ga2O3，B2O3，CeO2和Tb4O7粉体，均匀混合后，在900～1300℃下烧结，制得陶瓷靶材，其中，R2O3，Ga2O3，B2O3，CeO2和Tb4O7的摩尔比为0.5:1.5:2:x:0.25y；将制得的陶瓷靶材和ITO玻璃衬底装入镀膜设备的腔体中，密封腔体后，对腔体进行抽真空处理，控制腔体真空度为1.0×10‑3Pa～1.0×10‑5Pa；设置镀膜工艺参数:设置基靶间距为45～95mm，衬底温度为250℃～750℃，镀膜激光的能量为80～300W，过程中通入流量为10～40sccm的氧气，工作压强为0.5～5Pa；待工艺参数设置完成后，进行镀膜处理；随后在ITO玻璃衬底的ITO层表面制得铈铽共掺杂稀土硼镓酸盐的发光薄膜，该发光薄膜的其化学通式为:RGa3(BO3)4:xCe3+,yTb3+；其中，:RGa3(BO3)4是基质，Ce3+和Tb3+激活光离子，为发光薄膜的发光中心，R选自Y,La,Gd或Lu元素，x的取值范围为0.01～0.05，y的取值范围为0.01～0...
【技术特征摘要】
1.一种铈铽共掺杂稀土硼镓酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在
于，包括如下步骤:
陶瓷靶材的制备:分别称取R2O3，Ga2O3，B2O3，CeO2和Tb4O7粉体，
均匀混合后，在900～1300℃下烧结，制得陶瓷靶材，其中，R2O3，Ga2O3，
B2O3，CeO2和Tb4O7的摩尔比为0.5:1.5:2:x:0.25y；
将制得的陶瓷靶材和ITO玻璃衬底装入镀膜设备的腔体中，密封腔体
后，对腔体进行抽真空处理，控制腔体真空度为1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa；
设置镀膜工艺参数:设置基靶间距为45～95mm，衬底温度为
250℃～750℃，镀膜激光的能量为80～300W，过程中通入流量为10～40sccm
的氧气，工作压强为0.5～5Pa；待工艺参数设置完成后，进行镀膜处理；随
后在ITO玻璃衬底的ITO层表面制得铈铽共掺杂稀土硼镓酸盐的发光薄膜，
该发光薄膜的其化学通式为:RGa3(BO3)4:xCe3+,yTb3+；其中，:RGa3(BO3)4是基质，Ce3+和Tb3+激活光离子，为发光薄膜的发光中心，R选自Y,La,Gd
或Lu元素，x的取值范围为0.01～0.05，y的取值范围为0.01～0.08。
2.根据权利要求1所述的铈铽共掺杂稀土硼镓酸盐的发光薄膜的制
备方法，其特征在于，所述陶瓷靶材制备过程中的烧结温度为1250℃。
3.根据权利要求1所述的铈铽共掺杂稀土硼镓酸盐的发光薄膜的制
备方法，其特征在于，所述抽真空处理是采用机械泵和分子泵把腔体进行
的。
4.根据权利要求1所述的铈铽共掺杂稀土硼镓酸盐的发光薄膜的制
备方法，其特征在于，ITO玻璃衬底在放入腔体前需清洗处理:先后用丙酮、
无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处
理，然后再放入真空腔体中。
5.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，陈吉星，王平，张娟娟，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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