半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置(PKG)，能够提高半导体装置的可靠性。包括具有贯通孔(SH)的绝缘性的基材(BS)、形成在基材(BS)的下表面(BSb)上的端子(TE)、以及以面朝上方式搭载在基材的上表面(BSa)上的半导体芯片(CP)。此外，具有将从基材(BS)的贯通孔(SH)露出的端子(TE)的露出面(EX)与半导体芯片(CP)的焊垫(PD)电连接的导线(BW)等导电性部件、以及将该导电性部件、基材(BS)的贯通孔(SH)的内部以及半导体芯片(CP)密封的密封体(MR)。从基材(BS)的贯通孔(SH)露出的端子(TE)的露出面(EX)在除了接合导线(BW)等导电性部件的接合部以外的区域设置有固定单元。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体装置，例如能够适用于包括半导体芯片的半导体装置。
技术介绍
有通过在卡主体中组装半导体装置来得到能够实现与外部进行数据通信的IC卡的技术。 在日本特开2011-210936号公报(专利文献1)中，记载有与组装到IC卡中的半导体装置相关的技术。 现有技术文献 专利文献 专利文献1：日本特开2011-210936号公报 例如在如上述专利文献1那样在由带构成的基材上搭载有半导体芯片的半导体装置即所谓COT(Chip On Tape)封装中，经由基材上所形成的贯通孔，在基材的背面上所形成的端子的表面(从基材的贯通孔露出的面)上连接导电性部件(在上述专利文献1中为导线)，进一步用树脂(密封体)密封半导体芯片和导电性部件。 但是，由于端子的表面与树脂的紧贴性低，因此若在端子的表面上的导电性部件的接合部(接合区域)施加大的负荷(应力、损伤)，则在该接合部处，电特性发生变化(还有甚至断线的情况)。
技术实现思路
其他课题和新颖的特征将通过本说明书的记载及附图得以明确。 根据一个实施方式，一种半导体装置，其特征在于，包括：绝缘性的基材，具有第1面、与上述第1面相反一侧的第2面、以及从上述第1面及上述第2面中的一个面朝向另一个面形成的贯通孔；外部端子，形成在上述基材的上述第2面上；半导体芯片，具有主面、形成在上述主面上的焊垫、及与上述主面相反一侧的背面，该半导体芯片以上述背面与上述基材的上述第1面相对的方式搭载在上述基材的上述第1面上；导电性部件，电连接上述外部端子中从上述基材的上述贯通孔露出的露出面与上述半导体芯片的上述焊垫；以及密封体，密封上述基材的上述贯通孔的内部、上述半导体芯片及上述导电性部件，在上述露出面中上述导电性部件所接合的接合部以外的区域，设置有固定单元。 此外，优选上述固定单元是形成在上述露出面上的凸点。 此外，优选在上述露出面的多个部位分别形成有上述凸点。 此外，优选在上述凸点的高度方向上观察时，在上述凸点的一部分的正下方存在上述密封体的一部分。 此外，优选在上述露出面上重叠有多个上述凸点。 此外，优选在上述露出面上，与上述接合部和上述贯通孔的内壁之间的距离相比，上述凸点和上述贯通孔的内壁之间的距离小。 此外，优选上述导电性部件是导线。 此外，优选上述导线和上述凸点由相同材料形成。 此外，优选在上述露出面上，上述接合部位于不与上述露出面的中心重合的位置。 此外，优选在上述露出面上，上述接合部的位置从上述露出面的中心向第1方向偏移，上述第1方向是在俯视时从上述半导体装置的中心远离的方向。 此外，优选上述固定单元是形成在上述露出面上的凹部。 此外，优选上述固定单元是形成在上述露出面上的凸部。 此外，优选上述固定单元是上述露出面上的被粗糙化的区域。 此外，优选上述露出面具有上述被粗糙化的区域和表面粗糙度比上述被粗糙化的区域的表面粗糙度小的区域，在上述表面粗糙度小的区域有上述接合部。 此外，优选上述被粗糙化的区域位于上述露出面的周缘部，上述表面粗糙度小的区域在上述露出面上位于上述被粗糙化的区域的内侧。 此外，优选上述外部端子具有与上述基材的上述第2面相对的一侧的基材相对面、以及与上述外部端子的上述基材相对面相反一侧的端子面，上述外部端子的上述基材相对面具有与上述基材的上述第2面相对的接合面、以及从上述基材的上述贯通孔露出的上述露出面。 此外，优选上述接合面的表面粗糙度比上述露出面中上述导电性部件所接合的上述接合部的表面粗糙度大。 此外，根据一个实施方式，一种半导体装置，其特征在于，包括：绝缘性的基材，具有第1面、与上述第1面相反一侧的第2面、以及从上述第1面及上述第2面中的一个面朝向另一个面形成的贯通孔；外部端子，形成在上述基材的上述第2面上；半导体芯片，具有主面、形成在上述主面上的焊垫、及与上述主面相反一侧的背面，该半导体芯片以上述背面与上述基材的上述第1面相对的方式搭载在上述基材的上述第1面上；导电性部件，电连接上述外部端子中从上述基材的上述贯通孔露出的露出面与上述半导体芯片的上述焊垫；以及密封体，密封上述基材的上述贯通孔的内部、上述半导体芯片及上述导电性部件，上述露出面具有第1区域和表面粗糙度比上述第1区域的表面粗糙度大的第2区域，上述导电性部件接合在上述第1区域上。 技术效果 根据一个实施方式，能够提高半导体装置的可靠性。 附图说明 图1是一个实施方式的半导体装置的俯视图。 图2是一个实施方式的半导体装置的俯视图。 图3是一个实施方式的半导体装置的俯视透视图。 图4是一个实施方式的半导体装置的剖视图。 图5是一个实施方式的半导体装置的部分放大剖视图。 图6是一个实施方式的半导体装置的部分放大俯视透视图。 图7是一个实施方式的半导体装置的部分放大剖视图。 图8是一个实施方式的IC卡的俯视图。 图9是一个实施方式的IC卡的俯视图。 图10是一个实施方式的IC卡的部分放大剖视图。 图11是表示一个实施方式的半导体装置的制造工序的制造工艺流程图。 图12是表示一个实施方式的半导体装置(尤其是基板)的制造工序的制造工艺流程图。 图13是表示基板的制造工序的剖视图。 图14是表示基板的制造工序的剖视图。 图15是表示基板的制造工序的剖视图。 图16是表示基板的制造工序的剖视图。 图17是表示基板的制造工序的剖视图。 图18是表示基板的制造工序的剖视图。 图19是表示基板的制造工序的剖视图。 图20是表示基板的制造工序的剖视图。 图21是表示基板的制造工序的剖视图。 图22是表示基板的制造工序的剖视图。 图23是表示基板的制造工序的剖视图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：绝缘性的基材，具有第1面、与上述第1面相反一侧的第2面、以及从上述第1面及上述第2面中的一个面朝向另一个面形成的贯通孔；外部端子，形成在上述基材的上述第2面上；半导体芯片，具有主面、形成在上述主面上的焊垫、及与上述主面相反一侧的背面，该半导体芯片以上述背面与上述基材的上述第1面相对的方式搭载在上述基材的上述第1面上；导电性部件，电连接上述外部端子中从上述基材的上述贯通孔露出的露出面与上述半导体芯片的上述焊垫；以及密封体，密封上述基材的上述贯通孔的内部、上述半导体芯片及上述导电性部件，在上述露出面中上述导电性部件所接合的接合部以外的区域，设置有固定单元。

【技术特征摘要】
2013.05.31 JP 2013-1155801.一种半导体装置，其特征在于，包括：
绝缘性的基材，具有第1面、与上述第1面相反一侧的第2面、
以及从上述第1面及上述第2面中的一个面朝向另一个面形成的贯通
孔；
外部端子，形成在上述基材的上述第2面上；
半导体芯片，具有主面、形成在上述主面上的焊垫、及与上述主
面相反一侧的背面，该半导体芯片以上述背面与上述基材的上述第1
面相对的方式搭载在上述基材的上述第1面上；
导电性部件，电连接上述外部端子中从上述基材的上述贯通孔露
出的露出面与上述半导体芯片的上述焊垫；以及
密封体，密封上述基材的上述贯通孔的内部、上述半导体芯片及
上述导电性部件，
在上述露出面中上述导电性部件所接合的接合部以外的区域，设
置有固定单元。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述固定单元是形成在上述露出面上的凸点。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
在上述露出面的多个部位分别形成有上述凸点。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
在上述凸点的高度方向上观察时，在上述凸点的一部分的正下方
存在上述密封体的一部分。
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
在上述露出面上重叠有多个上述凸点。
6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
在上述露出面上，与上述接合部和上述贯通孔的内壁之间的距离
相比，上述凸点和上述贯通孔的内壁之间的距离小。
7.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
上述导电性部件是导线。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，
上述导线和上述凸点由相同材料形成。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
在上述露出面上，上述接合部位于不与上述露出面的中心重合的
位置。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
在上述露出面上，上述接合部的位置从上述露出面的中心向第1
方向偏移，
上述第1方向是在俯视时从上述半导体装置的中心远离的方向。

【专利技术属性】
技术研发人员：大谷内贤治，和田环，森永优一，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：新型
国别省市：日本;JP