本发明专利技术公开一种线路板蚀刻方法,包括以下步骤:(1)粗蚀刻:采用第一蚀刻药水对片子底铜进行蚀刻直至片子底铜的厚度不足1μm,其蚀刻速度为每分钟40~60μm;(2)微蚀刻:使用第二蚀刻药水并采用水平喷淋的方式对剩下的片子底铜进行微蚀刻形成线路,其蚀刻速度为每分钟1~2μm,且该第二蚀刻药水由以下重量配比的原料组成:氨水40%~60%;双氧水30%~50%;硝酸银1%~2%;碳酸钠0.2%~0.3%;乙二胺四乙酸二钠5%~6%;酒石酸钾钠2%~3%。蚀刻后线路的侧壁保持垂直形状,满足要求,无需设置抗蚀层,缩短了生产流程,节约了生产时间,提高了生产效率,大大节省了在制作和退蚀抗蚀层的成本费用,并降低了因制作和运转时产生的不良率。
【技术实现步骤摘要】
一种线路板蚀刻方法
本专利技术涉及线路板领域技术,尤其是指一种线路板蚀刻方法。
技术介绍
在线路板的制作和生产过程中,经常需要使用蚀刻药水对铜层进行蚀刻,以便得到所需的线路图案。如图1所示,线路板10′包括有基板11′以及设置于基板11′上的片子底铜12′。现有技术中的蚀刻药水为酸性或碱性,其蚀刻量大,每分钟可蚀铜40~60μm,且蚀刻完线路边缘会呈45度角度倾斜的梯形图案(如图2所示),无法保证线路边缘必须垂直的要求,而且,在蚀刻前必须要在片子底铜12′制作耐酸或碱性的抗蚀层13′,蚀刻后再退蚀耐酸或碱的抗蚀层13′,如此,必然会存在成本高、效率低、效果差等问题。为更清楚地阐述本专利技术的结构特征和功效,下面结合附图与具体实施例来对本专利技术进行详细说明。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术针对现有技术存在之缺失,其主要目的是提供一种线路板蚀刻方法,其能有效解决现有之线路板蚀刻方法无法保证线路边缘垂直的问题。为实现上述目的,本专利技术采用如下之技术方案:一种线路板蚀刻方法,包括以下步骤:(1)粗蚀刻:采用第一蚀刻药水对片子底铜进行蚀刻直至片子底铜的厚度不足1μm,第一蚀刻药水为常规的酸性或碱性溶液,其蚀刻速度为每分钟40~60μm;(2)微蚀刻:使用第二蚀刻药水并采用水平喷淋的方式对剩下的片子底铜进行微蚀刻,其蚀刻速度为每分钟1~2μm,且该第二蚀刻药水由以下重量配比的原料组成:氨水40%~60%;双氧水30%~50%;硝酸银1%~2%;碳酸钠0.2%~0.3%;乙二胺四乙酸二钠5%~6%;酒石酸钾钠2%~3%。本专利技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果,具体而言,由上述技术方案可知:通过先采用常规的酸性或碱性溶液将片子底铜的厚度蚀刻至不足1μm,然后,再使用本专利技术配方的蚀刻药水,并采用水平喷淋的方式对剩下的片子底铜进行微蚀刻,蚀刻后线路的侧壁保持垂直形状,满足要求,无需设置抗蚀层,缩短了生产流程,节约了生产时间,提高了生产效率,大大节省了在制作和退蚀抗蚀层的成本费用,并降低了因制作和运转时产生的不良率。附图说明图1是传统之线路板蚀刻过程的第一状态示意图;图2是传统之线路板蚀刻过程的第二状态示意图;图3是传统之线路板蚀刻过程的第三状态示意图;图4是本专利技术之较佳实施例的第一状态示意图;图5是本专利技术之较佳实施例的第二状态示意图;图6是本专利技术之较佳实施例的第三状态示意图。附图标识说明:10′、线路板11′、基板12′、片子底铜13′、抗蚀层10、线路板11、基板12、片子底铜。具体实施方式本专利技术公开一种线路板蚀刻方法,包括以下步骤:(1)粗蚀刻:如图4所示,该线路板10包括有基板11以及设置于基板11表面上的片子底铜12,蚀刻时,采用第一蚀刻药水对片子底铜12进行蚀刻直至片子底铜12的厚度D不足1μm(图5所示),第一蚀刻药水为常规的酸性或碱性溶液,第一蚀刻药水的配方为现有成熟技术,在此对第一蚀刻药水的配方及制作方法不作详细叙述,该第一蚀刻药水的蚀刻速度为每分钟40~60μm。(2)微蚀刻:如图6所示,使用第二蚀刻药水并采用水平喷淋的方式对剩下的片子底铜12进行微蚀刻形成线路,其蚀刻速度为每分钟1~2μm,且该第二蚀刻药水由以下重量配比的原料组成:氨水40%~60%;双氧水30%~50%;硝酸银1%~2%;碳酸钠0.2%~0.3%;乙二胺四乙酸二钠5%~6%;酒石酸钾钠2%~3%。下面用具体实施例对本专利技术的第二蚀刻药水进行说明,以下实施例使用的“份”是基于重量的。实施例1将40重量份氨水、50重量份双氧水、1.3重量份硝酸银、0.2重量份碳酸钠、5.5重量份乙二胺四乙酸二钠(EDTA-2Na)以及3重量份酒石酸钾钠依次放入容器中搅拌均匀即可制得第二蚀刻药水。实施例2将40.6重量份氨水、50重量份双氧水、1.4重量份硝酸银、0.3重量份碳酸钠、5.5重量份乙二胺四乙酸二钠(EDTA-2Na)以及2.2重量份酒石酸钾钠依次放入容器中搅拌均匀即可制得第二蚀刻药水。实施例3将48重量份氨水、41.98重量份双氧水、2重量份硝酸银、0.22重量份碳酸钠、5.4重量份乙二胺四乙酸二钠(EDTA-2Na)以及2.4重量份酒石酸钾钠依次放入容器中搅拌均匀即可制得第二蚀刻药水。实施例4将50重量份氨水、4.29重量份双氧水、1.2重量份硝酸银、0.21重量份碳酸钠、6重量份乙二胺四乙酸二钠(EDTA-2Na)以及2.3重量份酒石酸钾钠依次放入容器中搅拌均匀即可制得第二蚀刻药水。实施例5将52重量份氨水、39.05重量份双氧水、1.6重量份硝酸银、0.25重量份碳酸钠、5重量份乙二胺四乙酸二钠(EDTA-2Na)以及2.1重量份酒石酸钾钠依次放入容器中搅拌均匀即可制得第二蚀刻药水。实施例6将55重量份氨水、33.8重量份双氧水、2重量份硝酸银、0.2重量份碳酸钠、6重量份乙二胺四乙酸二钠(EDTA-2Na)以及3重量份酒石酸钾钠依次放入容器中搅拌均匀即可制得第二蚀刻药水。实施例7将58重量份氨水、32.12重量份双氧水、1重量份硝酸银、0.28重量份碳酸钠、5.8重量份乙二胺四乙酸二钠(EDTA-2Na)以及2.8重量份酒石酸钾钠依次放入容器中搅拌均匀即可制得第二蚀刻药水。实施例8将60重量份氨水、30重量份双氧水、1.8重量份硝酸银、0.2重量份碳酸钠、6重量份乙二胺四乙酸二钠(EDTA-2Na)以及2重量份酒石酸钾钠依次放入容器中搅拌均匀即可制得第二蚀刻药水。以上实施例1~8的第二蚀刻药水配方如下表1所示。表1实施例1~8的第二蚀刻药水配方将上述各个实施例制得的第二蚀刻药水分别对剩下的片子底铜12进行微蚀刻形成线路,其蚀刻速度为每分钟1~2μm,蚀刻效果如图6所示,蚀刻后线路的侧壁保持垂直形状。本专利技术的设计重点在于:通过先采用常规的酸性或碱性溶液将片子底铜的厚度蚀刻至不足1μm,然后,再使用本专利技术配方的蚀刻药水,并采用水平喷淋的方式对剩下的片子底铜进行微蚀刻,蚀刻后线路的侧壁保持垂直形状,满足要求,无需设置抗蚀层,缩短了生产流程,节约了生产时间,提高了生产效率,大大节省了在制作和退蚀抗蚀层的成本费用,并降低了因制作和运转时产生的不良率。以上所述,仅是本专利技术的较佳实施例而已,并非对本专利技术的技术范围作任何限制,故凡是依据本专利技术的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰,均仍属于本专利技术技术方案的范围内。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种线路板蚀刻方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)粗蚀刻:采用第一蚀刻药水对片子底铜进行蚀刻直至片子底铜的厚度不足1μm,第一蚀刻药水为常规的酸性或碱性溶液,其蚀刻速度为每分钟40~60μm;(2)微蚀刻:使用第二蚀刻药水并采用水平喷淋的方式对剩下的片子底铜进行微蚀刻形成线路,其蚀刻速度为每分钟1~2μm,且该第二蚀刻药水由以下重量配比的原料组成:氨水 40%~60%;双氧水 30%~50%;硝酸银 1%~2%;碳酸钠 0.2%~0.3%;乙二胺四乙酸二钠 5%~6%;酒石酸钾钠 2%~3%。
【技术特征摘要】
1.一种线路板蚀刻方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)粗蚀刻:采用第一蚀刻药水对片子底铜进行蚀刻直至片子底铜的厚度不足1μm,第一蚀刻药水为常规的酸性或碱性溶液,其蚀刻速度为每分钟40~60μm;(2)微蚀刻:使用第二蚀刻药水并采用水平喷淋的方...
【专利技术属性】
技术研发人员:韩盛光,张吉林,聂玉林,
申请(专利权)人:东莞市凯昶德电子科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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