本实用新型专利技术提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，属于显示技术领域，其可以提高现有的薄膜晶体管的导电性能。本实用新型专利技术的薄膜晶体管，包括有源层、源极、漏极，所述有源层包括分别用于连接源极和漏极的源极接触区和漏极接接触区，以及设于所述源极接触区和漏极接触区之间的半导体沟道区，其中，在所述有源层的半导体沟道区上设置有金属导电层，所述金属导电层与所述源极和所述漏极间隔设置。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，属于显示
，其可以提高现有的薄膜晶体管的导电性能。本技术的薄膜晶体管，包括有源层、源极、漏极，所述有源层包括分别用于连接源极和漏极的源极接触区和漏极接接触区，以及设于所述源极接触区和漏极接触区之间的半导体沟道区，其中，在所述有源层的半导体沟道区上设置有金属导电层，所述金属导电层与所述源极和所述漏极间隔设置。【专利说明】 薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
本技术属于显示
，具体涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置。
技术介绍
显示技术广泛应用于电视、手机以及公共信息显示，目前液晶显示面板和有机电致发光显示面板(OLED)使用最为广泛。 液晶面板和OLED面板均包括阵列基板以及形成在阵列基板上的显示单元。其中，阵列基板包括多个薄膜晶体管，在液晶像素电路中，薄膜晶体管起到开关的作用。而在OLED的驱动中，薄膜晶体管既有开关作用也有驱动作用，专利技术人发现现有技术中薄膜晶体管作为驱动晶体管时，其驱动能力的大小是与薄膜晶体管有源层的导电能力正相关的，但是有源层的材料为半导体材料，故其导电能力相对导体材料而言较弱，所以如何增强有源层的导电能力显然很重要。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题包括，针对现有的薄膜晶体管的有源层导电能力较弱的问题，提供一种导电能力提高的薄膜晶体管、阵列基板及显示装置。 解决本技术技术问题所采用的技术方案是一种薄膜晶体管，其包括形成在基底上的栅极、有源层、源极、漏极，所述有源层包括分别用于连接源极和漏极的源极接触区和漏极接接触区，以及设于所述源极接触区和漏极接触区之间的半导体沟道区，其中，在所述有源层的半导体沟道区上设置有金属导电层，所述金属导电层与所述源极和所述漏极间隔设置。 由于本技术的薄膜晶体管的有源层的半导体沟道区上设置有金属导电层，故当给栅极加电时，该金属导电层在靠近栅极的一侧上将感应出与栅极电荷极性相反的电荷，因而在栅极与金属导电层之间将形成电场，从而增强有源层中的电场，加强半导体沟道区的导电能力，进而使得薄膜晶体管的导电性能更好。 优选的是，所述薄膜晶体管有源层的材料为非晶硅、多晶硅、微晶硅、氧化物半导体中的任意一种。 进一步优选的是，所述有源层材料为非晶硅、多晶硅、微晶硅中的任意一种，所述薄膜晶体管有源层包括:半导体层和设于半导体层上的欧姆接触层，所述欧姆接触层与所述源极、所述漏极、所述金属导电层接触且与所述源极、所述漏极、所述金属导电层图案相同。 优选的是，所述源极、所述漏极、所述金属导电层同层设置，且材料相同。 进一步优选的是，所述源极、所述漏极、所述金属导电层的材料为钥、钥铌合金、铝、铝钕合金、钛、铜中的任意一种。 优选的是，所述有源层的半导体沟道区为长方形或U型结构。 优选的是，所述金属导电层包括一个金属岛，或者包括多个同层且间隔设置的金属岛。 优选的是，所述薄膜晶体管还包括栅极，所述栅极设于所述有源层下方并通过栅极绝缘层隔开。 优选的是，所述薄膜晶体管还包括栅极，所述栅极设于所述有源层上方并通过栅极绝缘层隔开。 解决本技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，其包括上述薄膜晶体管。 由于本技术的阵列基板包括上述薄膜晶体管，故其性能更好。 解决本技术技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述阵列基板，故其性能更好。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术的实施例1、2的薄膜晶体管和阵列基板的一种结构示意图； 图2为图1的A1-A2的剖面图； 图3为本技术的实施例1、2的薄膜晶体管和阵列基板的另一种结构示意图； 图4为本技术的实施例1、2的薄膜晶体管和阵列基板的再一种结构示意图； 图5为图4的B1-B2的剖面图； 图6为本技术的实施例1、2的薄膜晶体管和阵列基板的又一种结构示意图。 其中附图标记为:1、基底；10、栅线；20、数据线；30、钝化层；11、栅极；12、栅极绝缘层；13、有源层；131、+导体层；132、欧姆接触层；21、源极；22、漏极；25、金属导电层；251、252、金属岛；31、过孔；32、像素电极。 【具体实施方式】 为使本领域技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本技术作进一步详细描述。 实施例1: 结合图1至6所示，本实施例提供一种薄膜晶体管，其包括形成在基底I上的栅极 11、有源层13、源极21、漏极22，所述有源层13包括分别用于连接源极21和漏极22的源极21接触区和漏极22接接触区，以及设于所述源极21接触区和漏极22接触区之间的半导体沟道区，其中，在所述有源层13的半导体沟道区上设置有金属导电层25，所述金属导电层25与所述源极21和所述漏极22间隔设置。 由于本实施例的薄膜晶体管的有源层13的半导体沟道区上设置有金属导电层25,故当给栅极11加电时,该金属导电层25在靠近栅极11的一侧上将感应出与栅极11电荷极性相反的电荷，因而在栅极11与金属导电层25之间将形成电场，从而增强有源层13中的电场，加强半导体沟道区的导电能力，进而使得薄膜晶体管的导电性能更好。 优选地，薄膜晶体管有源层13的材料为非晶硅、多晶硅、微晶硅、氧化物半导体中的任意一种。 如图3所示，进一步优选地，该薄膜晶体管有源层13的材料为非晶硅、多晶硅、微晶硅中的任意一种，所述薄膜晶体管有源层13包括:半导体层131和设于半导体层131上的欧姆接触层(n+a-si) 132，所述欧姆接触层132与所述源极21、所述漏极22、所述金属导电层25接触且与所述源极21、所述漏极22、所述金属导电层25图案相同。在本实施例中，欧姆接触层132有助于半导体层131与源极21和漏极22更好的接触，同时由于欧姆接触层132与所述源极21、所述漏极22、所述金属导电层25接触且与所述源极21、所述漏极22、所述金属导电层25图案相同，故欧姆接触层132与源极21、漏极22、金属导电层25可以通过一次构图工艺形成，因而不增加额外的工艺步骤。 优选地，本实施例中薄膜晶体管的源极21、漏极22、金属导电层25同层设置，且材料相同，故不增加薄膜晶体管的制备工艺步骤和成本。当然源极21和漏极22与金属导电层25分别制备也是可以的。 进一步优选地，本实施例中薄膜晶体管的源极21、漏极22、金属导电层25的材料可以为钥(Mo)、钥铌合金(MoNb)、铝(Al)、铝钕合金(AlNd)、钛(Ti)和铜(Cu)中的一种或多种材料形成的。 优选地，本实施例的薄膜晶体管的有源层13的半导体沟道区为长方形或U型结构。具体的如图1和6所示，半导体沟道区为U型结构；如图4所示，半导体沟道区为长方形。需要说明的是，半导体沟道区的图案不局限于U型结构和长方形结构，其他形状也是可行的。 优选地，本实施例中金属导电层25包括一个金属岛(如图1至5所示)，或者包括多个同层且间隔设置的金属岛(如图6所示)。具体的，如图4、5所示，有源层13的半导体沟道区上设置有金属岛，该金属岛位于薄膜晶体管的源极21和漏极22之间。其中，金属岛靠近源极本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括有源层、源极、漏极，所述有源层包括分别用于连接源极和漏极的源极接触区和漏极接接触区，以及设于所述源极接触区和漏极接触区之间的半导体沟道区，其特征在于，在所述有源层的半导体沟道区上设置有金属导电层，所述金属导电层与所述源极和所述漏极间隔设置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：程鸿飞，乔勇，先建波，李文波，李盼，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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